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参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 速度 | 分散配置 | 电压 - 反向 (Vr)(最大) | 当前 - 平均调整 (Io)(每个分区) | 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If | 反向恢复T (trr) | 电流 - 反向电流@Vr | 工作温度 - 结 | 当前 - 平均调整 (Io) | 电容@Vr、F |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | NTE5824 | 10.8400 | ![]() | 10 | 0.00000000 | NTE电子公司 | - | 包 | 的积极 | 柱螺安装 | DO-203AA、DO-4、螺柱 | 标准 | DO-4 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 2368-NTE5824 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1000伏 | 1.4V@12A | 400纳秒 | 1000V时为25μA | -65℃~150℃ | 12A | - | ||||||
![]() | 1N3766R | 2.5000 | ![]() | 50 | 0.00000000 | 固态公司 | - | 盒子 | 的积极 | 柱螺安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 标准,反脊柱 | 溶解O | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | 2383-1N3766R | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 800V | 1.19V@90A | 800V时为10μA | -65℃~200℃ | 40A | - | |||||
SS215LHRHG | - | ![]() | 2579 | 0.00000000 | 台积电 | 汽车,AEC-Q101 | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-219AB | SS215 | 肖特基 | 亚SMA | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 150伏 | 950毫伏@2安 | 100 µA @ 150 V | -55℃~150℃ | 2A | - | ||||||
![]() | AR4PDHM3/87A | - | ![]() | 3607 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | eSMP® | 卷带式 (TR) | SIC停产 | 表面贴装 | TO-277,3-PowerDFN | AR4 | 雪崩 | TO-277A (SMPC) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 6,500 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 200V | 1.6V@4A | 140纳秒 | 10μA@200V | -55℃~175℃ | 2A | 77pF @ 4V、1MHz | ||||
![]() | VS-95-5384PBF | - | ![]() | 8457 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 表面贴装 | TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB | 肖特基 | TO-263AB (D²PAK) | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 112-VS-95-5384PBFTR | 过时的 | 800 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 45V | 30A | 710 毫伏 @ 30 安 | 1.75毫安@45伏 | -55℃~150℃ | |||||||
![]() | 1N2134RA | 3.9500 | ![]() | 50 | 0.00000000 | 固态公司 | - | 盒子 | 的积极 | 柱螺安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 标准,反脊柱 | 溶解O | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | 2383-1N2134RA | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 350伏 | 1.25V@200A | 350V时为25μA | -65℃~200℃ | 70A | - | |||||
![]() | SR809HR0G | - | ![]() | 4544 | 0.00000000 | 台积电 | 汽车,AEC-Q101 | 卷带式 (TR) | SIC停产 | 通孔 | DO-201AD,缝合 | SR809 | 肖特基 | DO-201AD | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,250人 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 90V | 920毫伏@8安 | 90V时为100μA | -55℃~150℃ | 8A | - | |||||
![]() | BY880-200-CT | 0.5372 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 条 | 的积极 | 通孔 | DO-201AA、DO-27、矫正 | BY880 | 标准 | DO-201 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 可根据要求提供REACH信息 | 2721-BY880-200-CT | 8541.10.0000 | 12 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 200V | 1.1V@8A | 1.5微秒 | 5μA@200V | -50℃~175℃ | 8A | - | ||||
![]() | 1N4001GP | - | ![]() | 2591 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 通孔 | DO-204AC、DO-41、极性 | 标准 | DO-41/DO-204AC | 下载 | 不适用 | 不适用 | 供应商未定义 | 2796-1N4001GPTR | 8541.10.0000 | 1 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 50V | 1.1V@1A | 1.5微秒 | 5μA@50V | -50℃~175℃ | 1A | - | |||||
![]() | JAN1N6912UTK2CS/TR | 364.6950 | ![]() | 8433 | 0.00000000 | 微芯片 | 军事,MIL-PRF-19500/723 | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | ThinKey™2 | SiC(碳化硅)肖特基 | ThinKey™2 | - | 符合ROHS3标准 | REACH 不出行 | 150-JAN1N6912UTK2CS/TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 无恢复T>500mA(Io) | 45V | 640 毫伏 @ 25 安 | 1.2毫安@45伏 | -65℃~150℃ | 25A | 1000pF@5V,1MHz | ||||||
![]() | SFAF504G | 1.5200 | ![]() | 18 | 0.00000000 | 台积电 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-2全包 | SFAF504 | 标准 | ITO-220AC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 200V | 975毫伏@5安 | 35纳秒 | 10μA@200V | -55℃~150℃ | 5A | 70pF @ 4V,1MHz | ||||
![]() | 1N1397 | 38.3850 | ![]() | 5318 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 大部分 | 的积极 | 柱螺安装 | DO-205AA、DO-8、螺柱 | 标准 | DO-205AA (DO-8) | 下载 | REACH 不出行 | 150-1N1397 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 100V | 1.2V@200A | 100V时为50μA | -65℃~200℃ | 100A | - | |||||||
![]() | SRA1040 | - | ![]() | 4621 | 0.00000000 | 台积电 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-2 | 肖特基 | TO-220AC | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 1801-SRA1040 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 40V | 550毫伏@10安 | 40V时为500μA | -55℃~125℃ | 10A | - | |||||
![]() | S4PBHM3_B/I | - | ![]() | 3239 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | 汽车、AEC-Q101、eSMP® | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | TO-277,3-PowerDFN | S4PB | 标准 | TO-277A (SMPC) | 下载 | 112-S4PBHM3_B/ITR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 100V | 1.1V@4A | 2.5微秒 | 10μA@100V | -55℃~150℃ | 4A | 30pF @ 4V、1MHz | ||||||
![]() | NRTS6100PFST3G | 0.9000 | ![]() | 4875 | 0.00000000 | onsemi | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | TO-277,3-PowerDFN | 肖特基 | TO-277-3 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 100V | 680 毫伏 @ 6 安 | 100V时为50μA | -55℃~175℃ | 6A | 827pF @ 1V、1MHz | ||||||
![]() | PX1500D-CT | 2.1564 | ![]() | 5461 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 条 | 的积极 | 通孔 | P600,屁股 | PX1500 | 标准 | P600 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 可根据要求提供REACH信息 | 2721-PX1500D-CT | 8541.10.0000 | 12 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 200V | 1V@15A | 1.5微秒 | 10μA@200V | -50℃~175℃ | 15A | - | ||||
![]() | NTE6083 | 1.6000 | ![]() | 34 | 0.00000000 | NTE电子公司 | - | 包 | 的积极 | 通孔 | TO-220-2 | 肖特基 | TO-220-2 | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 2368-NTE6083 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 45V | 840 毫伏 @ 20 安 | 45V时为100μA | -65℃~150℃ | 10A | - | |||||||
![]() | V20100SGHM3/4W | - | ![]() | 6801 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 过时的 | 通孔 | TO-220-3 | V20100 | 肖特基 | TO-220-3 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 100V | 1.07V@20A | 100V时为350μA | -40℃~150℃ | 20A | - | |||||
![]() | CUHS20S60,H3F | 0.3600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | 2-SMD,写入 | 肖特基 | US2H | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 60V | 530毫伏@2安 | 60V时为650μA | 150℃ | 2A | 290pF @ 0V、1MHz | |||||||
![]() | 1N4935-AP | - | ![]() | 4732 | 0.00000000 | 微商公司 | - | 胶带和盒子 (TB) | 过时的 | 通孔 | DO-204AL、DO-41、矫正 | 1N4935 | 标准 | DO-41 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 200V | 1.3V@1A | 200纳秒 | 5μA@200V | -55℃~150℃ | 1A | 15pF@4V,1MHz | |||||
DSC04C065 | 2.6300 | ![]() | 47 | 0.00000000 | 分散公司 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-2 | DSC04 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO220AC(WX型) | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 31-DSC04C065 | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 650伏 | 1.7V@4A | 650V时为170μA | -55℃~175℃ | 4A | 150pF@100mV,1MHz | ||||||
MBR740 | - | ![]() | 9310 | 0.00000000 | 分散公司 | - | 管子 | 过时的 | 通孔 | TO-220-2 | 肖特基 | TO-220AC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH旅行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 40V | 840 毫伏 @ 15 安 | 40V时为100μA | -55℃~150℃ | 7.5A | 400pF @ 4V、1MHz | |||||||
![]() | EGF1B-1HE3_A/I | - | ![]() | 5248 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | 汽车、AEC-Q101、Superectifier® | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-214BA | 关键生长因子1 | 标准 | DO-214BA (GF1) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 6,500 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 100V | 1V@1A | 50纳秒 | 100V时为5μA | -65℃~175℃ | 1A | 15pF@4V,1MHz | ||||
![]() | CDLL0.2A40/TR | 3.5850 | ![]() | 2573 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-213AA | 肖特基 | DO-213AA | 下载 | 符合ROHS3标准 | REACH 不出行 | 150-CDLL0.2A40/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 小信号=< 200mA (Io),任意速度 | 40V | 500 毫伏 @ 200 毫安 | 5μA@40V | -65℃~125℃ | 200毫安 | 50pF@0V、1MHz | ||||||
![]() | 1SS302A,低频 | 0.2200 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | SC-70、SOT-323 | 1SS302 | 标准 | SC-70 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号=< 200mA (Io),任意速度 | 1对中央 | 80V | 100毫安 | 1.2V@100mA | 4纳秒 | 80V时为500nA | -55℃~150℃ | |||||
![]() | NTE5926 | 22.1000 | ![]() | 16 | 0.00000000 | NTE电子公司 | - | 包 | 的积极 | 柱螺安装 | DO-203AA、DO-5、螺柱 | 标准 | 溶解O | 下载 | 符合ROHS3标准 | 2368-NTE5926 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1200伏 | 1.4V@60A | 10毫安@1200伏 | -65℃~175℃ | 60A | - | |||||||
![]() | VS-1ENH01HM3/85A | 0.0957 | ![]() | 2643 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | 汽车、AEC-Q101、FRED Pt® | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-220AA | 1ENH01 | 标准 | DO-220AA(SMP) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 100V | 920毫伏@1安 | 28纳秒 | 100V时为2μA | -55℃~175℃ | 1A | - | ||||
![]() | V10P45-M3/87A | 0.3444 | ![]() | 第1256章 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | TO-277,3-PowerDFN | V10P45 | 肖特基 | TO-277A (SMPC) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 6,500 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 45V | 570 毫伏 @ 5 安 | 45V时为800μA | -40℃~150℃ | 4.4A | - | |||||
![]() | BAR46薄膜 | 0.4400 | ![]() | 13 | 0.00000000 | 意法半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | 巴46 | 肖特基 | SOT-23 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号=< 200mA (Io),任意速度 | 100V | 1V@250mA | 5μA@75V | 150℃(最高) | 150毫安 | 10pF@0V、1MHz | |||||
![]() | SB1540-3G | 0.4870 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 通孔 | 结合 | 肖特基 | 结合 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 不适用 | 2796-SB1540-3GTR | 8541.10.0000 | 1,250人 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 40V | 550毫伏@15安 | 40V时为500μA | -50℃~150℃ | 15A | - |
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