SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 ECCN htsus 标准包 速度 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f
GPP20D-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GPP20D-E3/54 0.0842
RFQ
ECAD 6632 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 do-204ac,do-15,轴向 GPP20 标准 DO-204AC(DO-15) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 4,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 200 v 1.1 V @ 2 A 5 µA @ 200 V -55°C〜150°C 2a -
GPP60D-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GPP60D-E3/54 -
RFQ
ECAD 9144 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 通过洞 P600,轴向 GPP60 标准 P600 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 800 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 200 v 1.1 V @ 6 A 5.5 µs 5 µA @ 200 V -55°C 〜175°C 6a -
GPP60DHE3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GPP60DHE3/54 -
RFQ
ECAD 4149 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 过时的 通过洞 P600,轴向 GPP60 标准 P600 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 800 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 200 v 1.1 V @ 6 A 5.5 µs 5 µA @ 200 V -55°C 〜175°C 6a -
GUR460-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GUR460-E3/54 -
RFQ
ECAD 1346 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 通过洞 DO-201 AD,轴向 GUR460 标准 Do-201 AD - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,400 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.28 V @ 4 A 60 ns 10 µA @ 600 V -65°C〜175°C 4a -
SB020-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SB020-E3/73 -
RFQ
ECAD 7591 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 过时的 通过洞 MPG06,轴向 SB020 肖特基 MPG06 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 20 v 550 mv @ 600 mA 500 µA @ 20 V -65°C〜125°C 600mA -
SB040-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SB040-E3/73 -
RFQ
ECAD 3197 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 过时的 通过洞 MPG06,轴向 SB040 肖特基 MPG06 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 40 V 550 mv @ 600 mA 500 µA @ 40 V -65°C〜125°C 600mA -
SB150A-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SB150A-E3/73 -
RFQ
ECAD 6368 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 SB150 肖特基 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 50 V 650 MV @ 1 A 500 µA @ 50 V -65°C〜150°C 1a -
SB1H90-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SB1H90-E3/73 -
RFQ
ECAD 9313 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 SB1H90 肖特基 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 90 v 770 mv @ 1 a 1 µA @ 90 V 175°c (最大) 1a -
SB260S-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SB260S-E3/73 0.4700
RFQ
ECAD 35 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (CT) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 SB260 肖特基 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 60 V 680 mv @ 2 a 500 µA @ 60 V -65°C〜150°C 2a -
SB2H90-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SB2H90-E3/73 -
RFQ
ECAD 7750 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 积极的 通过洞 do-204ac,do-15,轴向 SB2H90 肖特基 DO-204AC(DO-15) - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 90 v 790 mv @ 2 a 10 µA @ 90 V -55°C 〜175°C 2a -
SB320S-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SB320S-E3/73 -
RFQ
ECAD 8625 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 过时的 通过洞 do-204ac,do-15,轴向 SB320 肖特基 DO-204AC(DO-15) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 20 v 500 mv @ 3 a 500 µA @ 20 V -65°C〜150°C 3a -
SB340-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SB340-E3/73 0.4400
RFQ
ECAD 42 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (CT) 积极的 通过洞 DO-201 AD,轴向 SB340 肖特基 Do-201 AD 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 40 V 490 mv @ 3 a 500 µA @ 40 V -65°C〜125°C 3a -
SB360-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SB360-E3/73 0.4900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (CT) 积极的 通过洞 DO-201 AD,轴向 SB360 肖特基 Do-201 AD 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 60 V 680 mv @ 3 a 500 µA @ 60 V -65°C〜150°C 3a -
SB360S-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SB360S-E3/73 -
RFQ
ECAD 7606 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 过时的 通过洞 do-204ac,do-15,轴向 SB360 肖特基 DO-204AC(DO-15) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 60 V 700 mv @ 3 a 500 µA @ 60 V -65°C〜150°C 3a -
SB550A-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SB550A-E3/73 -
RFQ
ECAD 5801 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 积极的 通过洞 DO-201 AD,轴向 SB550 肖特基 Do-201 AD 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 50 V 700 mv @ 5 a 500 µA @ 50 V -65°C〜150°C 5a -
SB5H90-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SB5H90-E3/73 0.6600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (CT) 积极的 通过洞 DO-201 AD,轴向 SB5H90 肖特基 Do-201 AD 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 90 v 800 mv @ 5 a 200 µA @ 90 V 175°c (最大) 5a -
SBYV26CHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SBYV26CHE3/73 -
RFQ
ECAD 2703 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 SBYV26 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 2.5 V @ 1 A 30 ns 5 µA @ 600 V -65°C〜175°C 1a -
SBYV27-100-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SBYV27-100-E3/73 -
RFQ
ECAD 7089 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 积极的 通过洞 do-204ac,do-15,轴向 SBYV27 标准 DO-204AC(DO-15) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 1.07 V @ 3 A 15 ns 5 µA @ 100 V -55°C〜150°C 2a 15pf @ 4V,1MHz
SBYV27-200-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SBYV27-200-E3/73 0.4300
RFQ
ECAD 544 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (CT) 积极的 通过洞 do-204ac,do-15,轴向 SBYV27 标准 DO-204AC(DO-15) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 1.07 V @ 3 A 15 ns 5 µA @ 200 V -55°C〜150°C 2a 15pf @ 4V,1MHz
SBYV28-100-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SBYV28-100-E3/73 0.5400
RFQ
ECAD 9626 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (CT) 积极的 通过洞 DO-201 AD,轴向 SBYV28 标准 Do-201 AD 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 1.1 V @ 3.5 A 20 ns 5 µA @ 100 V -55°C〜150°C 3.5a 20pf @ 4V,1MHz
SBYV28-150-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SBYV28-150-E3/73 -
RFQ
ECAD 4741 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 积极的 通过洞 DO-201 AD,轴向 SBYV28 标准 Do-201 AD 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 150 v 1.1 V @ 3.5 A 20 ns 5 µA @ 150 V -55°C〜150°C 3.5a 20pf @ 4V,1MHz
S4PKHM3/87A Vishay General Semiconductor - Diodes Division S4PKHM3/87A -
RFQ
ECAD 4073 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 ESMP® 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 表面安装 TO-277,3-PowerDfn S4P 标准 TO-277A(SMPC) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 6,500 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 800 v 1.1 V @ 4 A 2.5 µs 10 µA @ 800 V -55°C〜150°C 4a 30pf @ 4V,1MHz
S5BHE3/9AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division S5BHE3/9AT -
RFQ
ECAD 4793 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 DO-214AB,SMC S5B 标准 DO-214AB(SMC) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,500 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 100 v 1.15 V @ 5 A 2.5 µs 10 µA @ 100 V -55°C〜150°C 5a 40pf @ 4V,1MHz
S5DHE3/9AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division S5DHE3/9AT -
RFQ
ECAD 9665 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 DO-214AB,SMC S5D 标准 DO-214AB(SMC) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,500 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 200 v 1.15 V @ 5 A 2.5 µs 10 µA @ 200 V -55°C〜150°C 5a 40pf @ 4V,1MHz
S5K-E3/9AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division S5K-E3/9AT 0.1647
RFQ
ECAD 1685年 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 DO-214AB,SMC S5K 标准 DO-214AB(SMC) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,500 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 800 v 1.15 V @ 5 A 2.5 µs 10 µA @ 800 V -55°C〜150°C 5a 40pf @ 4V,1MHz
SA2G-E3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division SA2G-E3/5AT 0.3900
RFQ
ECAD 14 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 do-214ac,SMA SA2 标准 DO-214AC(SMA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 7,500 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 400 v 1.1 V @ 2 A 1.5 µs 3 µA @ 400 V -55°C〜150°C 2a 11pf @ 4V,1MHz
SA2K-E3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division SA2K-E3/5AT 0.3900
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 do-214ac,SMA SA2 标准 DO-214AC(SMA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 7,500 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 800 v 1.1 V @ 2 A 1.5 µs 3 µA @ 800 V -55°C〜150°C 2a 11pf @ 4V,1MHz
RGF1J-E3/5CA Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGF1J-E3/5CA 0.5400
RFQ
ECAD 1828年 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 DO-214BA RGF1 标准 DO-214BA(GF1) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 6,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.3 V @ 1 A 250 ns 5 µA @ 600 V -65°C〜175°C 1a 8.5pf @ 4V,1MHz
RGL34B-E3/83 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGL34B-E3/83 0.1635
RFQ
ECAD 6760 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 DO-213AA() RGL34 标准 DO-213AA(GL34) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 9,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 1.3 V @ 500 mA 150 ns 5 µA @ 100 V -65°C〜175°C 500mA 4pf @ 4V,1MHz
RGL41A-E3/97 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGL41A-E3/97 0.1284
RFQ
ECAD 3516 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) RGL41 标准 do-213ab 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 5,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 50 V 1.3 V @ 1 A 150 ns 5 µA @ 50 V -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V,1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库