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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MBR2X050A180 | 43.6545 | ![]() | 6918 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | MBR2X050 | 肖特基 | SOT-227 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 52 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 2独立 | 180 v | 50a | 920 MV @ 50 A | 3 ma @ 180 V | -40°C〜150°C | ||||||
![]() | 1N4153ur-1/tr | 1.5295 | ![]() | 4987 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-213aa | 标准 | do-213aa | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N4153UR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 50 V | 50 na @ 50 V | -65°C〜175°C | 150mA | 2pf @ 0v,1MHz | |||||||
![]() | v10km45chm3/i | 0.3703 | ![]() | 5549 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | 8-POWERTDFN | 肖特基 | Flatpak((5x6) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 112-v10km45chm3/itr | Ear99 | 8541.10.0080 | 6,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 45 v | 5a | 600 mv @ 5 a | 150 µA @ 45 V | -40°C〜175°C | ||||||
![]() | ES3AB | 0.0640 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjie技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 到达不受影响 | 4617-ES3ABTR | Ear99 | 3,000 | ||||||||||||||||||
![]() | ES1PB-E3/85A | - | ![]() | 6310 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | ESMP® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | do-220aa | ES1 | 标准 | DO-220AA(SMP) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 920 MV @ 1 A | 25 ns | 5 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 1a | 10pf @ 4V,1MHz | ||||
![]() | SBR20A150CTFP | 0.9380 | ![]() | 1909年 | 0.00000000 | 二极管合并 | SBR® | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | SBR20 | 超级障碍 | ITO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 150 v | 10a | 820 mv @ 10 a | 100 µA @ 150 V | -65°C〜175°C | |||||
![]() | VSS8D5M6HM3/i | 0.4400 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101,ESMP®,TMBS® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-221ac,sma平面线索 | S8D5 | 肖特基 | Slimsmaw(DO-221AD) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 14,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 60 V | 500 mV @ 2.5 A | 350 µA @ 60 V | -40°C〜175°C | 2.7a | 620pf @ 4V,1MHz | |||||
![]() | MURSD1040CTA-TP | 0.3381 | ![]() | 2875 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | MURSD1040 | 标准 | DPAK((TO-252) | 下载 | 353-MURSD1040CTA-TP | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 400 v | 10a | 1.25 V @ 5 A | 35 ns | 5 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | ||||||
![]() | PMEG3020CPAS115 | - | ![]() | 2037 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | |||||||||||||||||
![]() | G1KFS | 0.0180 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjie技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 到达不受影响 | 4617-G1KFSTR | Ear99 | 3,000 | ||||||||||||||||||
![]() | ES5DC | 0.3285 | ![]() | 81 | 0.00000000 | MDD | SMC | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | 标准 | DO-214AB(SMC) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 3372-ES5DCTR | 6,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 1 V @ 5 A | 35 ns | 10 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | 5a | - | |||||||
![]() | RS3K R7 | - | ![]() | 3433 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | 标准 | DO-214AB(SMC) | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1801-rs3kr7tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 800 v | 1.3 V @ 3 A | 500 ns | 10 µA @ 800 V | -55°C〜150°C | 3a | - | ||||
![]() | 1SS82TA-E | 0.1300 | ![]() | 20 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | do-35 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 200 v | 1 V @ 100 ma | 100 ns | 200 na @ 200 V | 175°C | 200mA | 1.5pf @ 0v,1MHz | |||||||
![]() | MSASC25H80KS/TR | - | ![]() | 4716 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | 到达不受影响 | 150-MSASC25H80KS/TR | 100 | ||||||||||||||||||||
![]() | F3JF | 0.0290 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjie技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 到达不受影响 | 4617-F3JFTR | Ear99 | 3,000 | ||||||||||||||||||
![]() | Jan1n6874utk2/tr | 364.6950 | ![]() | 2677 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | 到达不受影响 | 150-JAN1N6874UTK2/tr | 100 | ||||||||||||||||||||
![]() | PCDB20120G1_R2_00001 | 12.8000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | PCDB20120 | SIC (碳化硅) | TO-263 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1200 v | 1.7 V @ 20 A | 0 ns | 180 µA @ 1200 V | -55°C 〜175°C | 20a | 1040pf @ 1V,1MHz | ||||
![]() | PR1006GL-T | - | ![]() | 8013 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 标准 | do-41 | - | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 800 v | 1.3 V @ 1 A | 500 ns | 5 µA @ 800 V | -65°C〜150°C | 1a | 8pf @ 4V,1MHz | ||||||
![]() | RUR30120 | - | ![]() | 3263 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | 雪崩 | TO-220-2 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 35 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1200 v | 2.1 V @ 30 A | 150 ns | 100 µA @ 1200 V | -65°C〜175°C | 30a | - | |||||
![]() | SB1030CT_T0_00001 | 0.2565 | ![]() | 5604 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3 | SB1030 | 肖特基 | TO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 3757-SB1030CT_T0_00001 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 30 V | 10a | 550 mv @ 5 a | 200 µA @ 30 V | -50°C〜125°C | ||||
![]() | BAV19WS-HG3-08 | 0.3800 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-76,SOD-323 | 标准 | SOD-323 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 1.25 V @ 200 ma | 50 ns | 100 na @ 100 V | 150°C | 250mA | 1.5pf @ 0v,1MHz | |||||
![]() | UF1M_R1_00001 | 0.4200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | DO-214AA,SMB | UF1M | 标准 | SMB(do-214AA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1000 v | 1.7 V @ 1 A | 100 ns | 1 µA @ 1000 V | -55°C〜150°C | 1a | 17pf @ 4V,1MHz | ||||
![]() | SK2050CD2 | 0.7534 | ![]() | 8106 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 管子 | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | SK2050 | 肖特基 | TO-263AB(D²Pak) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 2796-SK2050CD2 | 8541.10.0000 | 5,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 50 V | 10a | 700 mv @ 10 a | 300 µA @ 50 V | -50°C〜150°C | ||||||
![]() | US3GB-HF | 0.1063 | ![]() | 5741 | 0.00000000 | comchip技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | DO-214AA,SMB | US3G | 标准 | SMB/DO-214AA | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 641-US3GB-HFTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 400 v | 1.3 V @ 3 A | 50 ns | 5 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 3a | - | ||||
![]() | 1月1N6761-1 | - | ![]() | 5246 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/586 | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 肖特基 | do-41 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 690 mv @ 1 a | 100 µA @ 100 V | -65°C〜150°C | 1a | 70pf @ 5V,1MHz | |||||||
![]() | FGP20CHE3/73 | - | ![]() | 8306 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101,epleaTectifier® | (TB) | 过时的 | 通过洞 | do-204ac,do-15,轴向 | FGP20 | 标准 | DO-204AC(DO-15) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 150 v | 950 mv @ 2 a | 35 ns | 2 µA @ 150 V | -65°C〜175°C | 2a | 45pf @ 4V,1MHz | ||||
![]() | CPR2-040 TR | - | ![]() | 8535 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | (TB) | 上次购买 | CPR2 | - | 到达不受影响 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | VS-VS38DSR18M | - | ![]() | 4961 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 上次购买 | VS38 | - | 112-VS-VS38DSR18M | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | 1N4005GP-TP | 0.0408 | ![]() | 6338 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1N4005 | 标准 | do-41 | 下载 | 353-1N4005GP-TP | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 600 v | 1.1 V @ 1 A | 2 µs | 5 µA @ 600 V | -55°C 〜175°C | 1a | 15pf @ 4V,1MHz | ||||||
![]() | MER1002FCT_T0_00601 | 1.0100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3完整包 | MER1002 | 标准 | ITO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 200 v | 5a | 950 mv @ 5 a | 35 ns | 1 µA @ 200 V | -55°C 〜175°C |
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