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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 ECCN htsus 标准包 速度 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f
BYV98-100-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYV98-100-TAP 0.5643
RFQ
ECAD 6267 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 积极的 通过洞 SOD-64,轴向 Byv98 雪崩 SOD-64 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 12,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 1.1 V @ 5 A 35 ns 10 µA @ 100 V -55°C 〜175°C 4a -
BYV98-200-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYV98-200-TAP 0.5940
RFQ
ECAD 2948 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 积极的 通过洞 SOD-64,轴向 Byv98 雪崩 SOD-64 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 12,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 1.1 V @ 5 A 35 ns 10 µA @ 200 V -55°C 〜175°C 4a -
BYW172G-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYW172G-TAP 0.5742
RFQ
ECAD 3863 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 积极的 通过洞 SOD-64,轴向 BYW172 雪崩 SOD-64 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 12,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 400 v 1.5 V @ 9 A 100 ns 1 µA @ 400 V -55°C 〜175°C 3a -
BYW178-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYW178-TAP 0.5940
RFQ
ECAD 3250 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 积极的 通过洞 SOD-64,轴向 BYW178 雪崩 SOD-64 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 12,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 800 v 1.9 V @ 3 A 60 ns 1 µA @ 800 V -55°C 〜175°C 3a -
BYW72-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYW72-TAP 1.0900
RFQ
ECAD 12 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (CT) 积极的 通过洞 SOD-64,轴向 BYW72 雪崩 SOD-64 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 1.1 V @ 3 A 200 ns 5 µA @ 200 V -55°C 〜175°C 3a -
BYW73-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYW73-TAP 0.5247
RFQ
ECAD 4315 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 积极的 通过洞 SOD-64,轴向 BYW73 雪崩 SOD-64 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 12,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 300 v 1.1 V @ 3 A 200 ns 5 µA @ 300 V -55°C 〜175°C 3a -
BYW74TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYW74TAP 0.5346
RFQ
ECAD 3167 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 积极的 通过洞 SOD-64,轴向 BYW74 雪崩 SOD-64 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 12,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 400 v 1.1 V @ 3 A 200 ns 5 µA @ 400 V -55°C 〜175°C 3a -
BYW83TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division byw83tap 0.5247
RFQ
ECAD 6020 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 积极的 通过洞 SOD-64,轴向 Byw83 雪崩 SOD-64 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 12,500 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 400 v 1 V @ 3 A 7.5 µs 1 µA @ 400 V -55°C 〜175°C 3a 60pf @ 4V,1MHz
BYW85-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYW85-TAP 0.5445
RFQ
ECAD 8050 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 积极的 通过洞 SOD-64,轴向 BYW85 雪崩 SOD-64 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 12,500 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 800 v 1 V @ 3 A 7.5 µs 1 µA @ 800 V -55°C 〜175°C 3a 60pf @ 4V,1MHz
BYX82TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division byx82Tap 0.2475
RFQ
ECAD 1668年 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 积极的 通过洞 SOD-57,轴向 byx82 雪崩 SOD-57 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 25,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 200 v 1 V @ 1 A 4 µs 1 µA @ 200 V -55°C 〜175°C 2a 20pf @ 4V,1MHz
1N4005GP-M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4005GP-M3/73 -
RFQ
ECAD 6730 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N4005 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 600 v 1.1 V @ 1 A 5 µA @ 600 V -50°C〜150°C 1a 15pf @ 4V,1MHz
1N4006-E3/53 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4006-E3/53 -
RFQ
ECAD 2212 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N4006 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 800 v 1.1 V @ 1 A 5 µA @ 800 V -50°C〜150°C 1a 15pf @ 4V,1MHz
1N4006GP-M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4006GP-M3/73 -
RFQ
ECAD 5017 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N4006 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 800 v 1.1 V @ 1 A 5 µA @ 800 V -50°C〜150°C 1a 15pf @ 4V,1MHz
1N4007GP-E3/53 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4007GP-E3/53 -
RFQ
ECAD 3639 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N4007 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1000 v 1.1 V @ 1 A 2 µs 5 µA @ 1000 V -65°C〜175°C 1a 8pf @ 4V,1MHz
1N4007GPE-E3/53 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4007GPE-E3/53 -
RFQ
ECAD 2106 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N4007 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1000 v 1.1 V @ 1 A 2 µs 5 µA @ 1000 V -65°C〜175°C 1a 8pf @ 4V,1MHz
1N4007GPEHE3/53 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4007GPEHE3/53 -
RFQ
ECAD 2749 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N4007 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1000 v 1.1 V @ 1 A 2 µs 5 µA @ 1000 V -65°C〜175°C 1a 8pf @ 4V,1MHz
1N4007GPE-M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4007GPE-M3/73 -
RFQ
ECAD 3589 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N4007 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1000 v 1.1 V @ 1 A 5 µA @ 1000 V -50°C〜150°C 1a 15pf @ 4V,1MHz
1N4151TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4151TAP 0.2000
RFQ
ECAD 20 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (CT) 积极的 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N4151 标准 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 10,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 50 V 1 V @ 50 mA 4 ns 50 na @ 50 V -65°C〜175°C 150mA 2pf @ 0v,1MHz
1N4246GP-M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4246GP-M3/73 -
RFQ
ECAD 4255 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N4246 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 400 v 1.2 V @ 1 A 1 µA @ 400 V -65°C〜160°C 1a 8pf @ 4V,1MHz
1N4454-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4454-TAP 0.0530
RFQ
ECAD 6273 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 积极的 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N4454 标准 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 50,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 75 v 1 V @ 10 mA 4 ns 5 µA @ 75 V -65°C〜175°C 150mA -
1N4933GP-M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4933GP-M3/73 -
RFQ
ECAD 6047 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N4933 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 50 V 1.2 V @ 1 A 200 ns 5 µA @ 50 V -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V,1MHz
1N4934GPEHE3/91 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4934GPEHE3/91 -
RFQ
ECAD 5520 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N4934 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 1.2 V @ 1 A 200 ns 5 µA @ 100 V -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V,1MHz
1N4934GP-M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4934GP-M3/73 -
RFQ
ECAD 7956 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N4934 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 1.2 V @ 1 A 200 ns 5 µA @ 100 V 1a 15pf @ 4V,1MHz
1N4936-E3/53 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4936-E3/53 -
RFQ
ECAD 4820 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N4936 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 400 v 1.2 V @ 1 A 200 ns 5 µA @ 400 V -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V,1MHz
1N4937E-E3/53 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4937E-E3/53 -
RFQ
ECAD 6373 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N4937 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.2 V @ 1 A 200 ns 5 µA @ 600 V 1a 12pf @ 4V,1MHz
1N4944GP-M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4944GP-M3/73 -
RFQ
ECAD 9023 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N4944 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 400 v 1.3 V @ 1 A 150 ns 1 µA @ 400 V -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V,1MHz
1N4947GPHM3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4947GPHM3/73 -
RFQ
ECAD 1237 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N4947 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 800 v 1.3 V @ 1 A 250 ns 1 µA @ 800 V -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V,1MHz
1N5062TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5062TAP 0.6500
RFQ
ECAD 30 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (CT) 积极的 通过洞 SOD-57,轴向 1N5062 雪崩 SOD-57 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 5,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 800 v 1.15 V @ 2.5 A 4 µs 1 µA @ 800 V -55°C 〜175°C 2a 40pf @ 0v,1MHz
1N5818-E3/53 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5818-E3/53 0.1427
RFQ
ECAD 7062 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N5818 肖特基 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 30 V 875 MV @ 3.1 A 1 mA @ 30 V -65°C〜125°C 1a 110pf @ 4V,1MHz
31GF6-M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 31GF6-M3/73 -
RFQ
ECAD 5208 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 积极的 通过洞 DO-201 AD,轴向 31GF6 标准 Do-201 AD 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.6 V @ 3 A 30 ns 20 µA @ 600 V -40°C〜150°C 3a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库