SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电流 -io(io)(每个二极管) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f
BA159GPE-E3/53 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BA159GPE-E3/53 -
RFQ
ECAD 6505 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 BA159 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 800 v 1.3 V @ 1 A 500 ns 5 µA @ 800 V -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V,1MHz
BYC30W-600PQ WeEn Semiconductors BYC30W-600PQ 2.5100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Ween半导体 - 管子 积极的 通过洞 TO-247-2 BYC30 标准 TO-247-2 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 30 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 2.75 V @ 30 A 22 ns 10 µA @ 600 V 175°c (最大) 30a -
BYC30WT-600PQ WeEn Semiconductors BYC30WT-600PQ 2.5100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Ween半导体 - 管子 积极的 通过洞 TO-247-3 BYC30 标准 TO-247-3 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) 934068091127 Ear99 8541.10.0080 30 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 2.75 V @ 30 A 22 ns 10 µA @ 600 V 175°c (最大) 30a -
NUR460PU WeEn Semiconductors NUR460PU -
RFQ
ECAD 5307 0.00000000 Ween半导体 - 大部分 过时的 通过洞 DO-201 AD,轴向 NUR460 标准 Do-201 AD 下载 (1 (无限) 到达不受影响 934067058112 Ear99 8541.10.0080 400 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.28 V @ 4 A 75 ns 10 µA @ 600 V - 4a -
PMEG2002ESF,315 Nexperia USA Inc. PMEG2002ESF,315 0.3900
RFQ
ECAD 99 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 0201(0603公制) PMEG2002 肖特基 DSN0603-2 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 9,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 20 v 490 mv @ 100 ma 1.9 ns 3.5 µA @ 20 V 125°c (最大) 200mA 25pf @ 1V,1MHz
MUR4100GP-TP Micro Commercial Co MUR4100GP-TP 0.2966
RFQ
ECAD 8583 0.00000000 微商业公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 DO-201 AD,轴向 Mur4100 标准 Do-201 AD 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1200 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 1.85 V @ 4 A 75 ns 10 µA @ 100 V -55°C〜150°C 4a 50pf @ 4V,1MHz
MUR420GP-TP Micro Commercial Co MUR420GP-TP 0.1994
RFQ
ECAD 1715年 0.00000000 微商业公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 DO-201 AD,轴向 Mur420 标准 Do-201 AD 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1200 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 1.35 V @ 4 A 60 ns 10 µA @ 200 V -55°C〜150°C 4a 80pf @ 4V,1MHz
MUR480GP-TP Micro Commercial Co MUR480GP-TP 0.2966
RFQ
ECAD 6814 0.00000000 微商业公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 DO-201 AD,轴向 MUR480 标准 Do-201 AD 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1200 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 800 v 1.85 V @ 4 A 75 ns 10 µA @ 600 V -55°C〜150°C 4a 50pf @ 4V,1MHz
BAS16P2T5G onsemi BAS16P2T5G 0.2400
RFQ
ECAD 473 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SOD-923 BAS16 标准 SOD-923 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 8,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 100 v 1.25 V @ 150 mA 6 ns 100 µA @ 100 V -55°C〜150°C 200mA 2pf @ 0v,1MHz
BAS21TMR6T1G onsemi BAS21TMR6T1G 0.3600
RFQ
ECAD 14 0.00000000 Onmi 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SC-74,SOT-457 BAS21 标准 SC-74 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 3独立 250 v 200ma(dc) 1.25 V @ 200 ma 50 ns 1 µA @ 200 V -55°C〜150°C
BAV23CLT3G onsemi BAV23CLT3G -
RFQ
ECAD 3331 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BAV23 标准 SOT-23-3(TO-236) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 2832-BAV23CLT3GTR Ear99 8541.10.0070 10,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 250 v 400mA(DC) 1.25 V @ 200 ma 150 ns 100 NA @ 250 V -55°C〜150°C
C3D16065D Wolfspeed, Inc. C3D16065D 9.7600
RFQ
ECAD 512 0.00000000 Wolfspeed,Inc。 Z-Rec® 管子 积极的 通过洞 TO-247-3 C3D16065 SIC (碳化硅) TO-247-3 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA(IO) 1对普通阴极 650 v 8A(DC) 1.8 V @ 8 A 0 ns 60 µA @ 650 V -55°C 〜175°C
CTLHR10-06 TR13 PBFREE Central Semiconductor Corp CTLHR10-06 TR13 PBFREE 1.8300
RFQ
ECAD 29 0.00000000 中央半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 3-SMD,平坦的铅 CTLHR10 标准 TLM364 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 5,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.7 V @ 10 A 25 ns 10 µA @ 600 V -65°C〜175°C 10a 42pf @ 4V,1MHz
BAV170VL Nexperia USA Inc. BAV170VL 0.2200
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BAV170 标准 TO-236AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 10,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 1对普通阴极 85 v 125mA(dc) 1.25 V @ 150 mA 3 µs 5 na @ 75 V 150°C (最大)
VI30100CHM3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VI30100CHM3/4W -
RFQ
ECAD 3498 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 管子 过时的 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA VI30100 肖特基 TO-262AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 100 v 15a 800 mv @ 15 A 500 µA @ 100 V -40°C〜150°C
GS1GE-TP Micro Commercial Co GS1GE-TP 0.1800
RFQ
ECAD 39 0.00000000 微商业公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 do-214ac,SMA GS1G 标准 DO-214AC(SMA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 6,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 400 v 1.1 V @ 1 A 5 µA @ 400 V -55°C〜150°C 1a 15pf @ 4V,1MHz
ES1DE-TP Micro Commercial Co ES1DE-TP 0.4300
RFQ
ECAD 6 0.00000000 微商业公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 do-214ac,SMA es1d 标准 DO-214AC(SMAE) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 6,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 975 MV @ 1 A 50 ns 5 µA @ 200 V -50°C〜150°C 1a 45pf @ 4V,1MHz
ES1JE-TP Micro Commercial Co ES1JE-TP -
RFQ
ECAD 4232 0.00000000 微商业公司 - 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 表面安装 do-214ac,SMA ES1J 标准 DO-214AC(SMAE) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 6,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.35 V @ 1 A 75 ns 5 µA @ 600 V -50°C〜150°C 1a 45pf @ 4V,1MHz
ES1GE-TP Micro Commercial Co ES1GE-TP -
RFQ
ECAD 2429 0.00000000 微商业公司 - (CT) 在sic中停产 表面安装 do-214ac,SMA es1g 标准 DO-214AC(SMAE) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 6,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 400 v 1.35 V @ 1 A 75 ns 5 µA @ 400 V -50°C〜150°C 1a 45pf @ 4V,1MHz
VF10150C-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VF10150C-M3/4W 0.5095
RFQ
ECAD 8323 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 管子 积极的 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 VF10150 肖特基 ITO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 150 v 5a 1.41 V @ 5 A 100 µA @ 150 V -55°C〜150°C
VF20120SG-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VF20120SG-M3/4W 0.5224
RFQ
ECAD 8369 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 VF20120 肖特基 ITO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 120 v 1.33 V @ 20 A 250 µA @ 120 V -40°C〜150°C 20a -
VF20M120C-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VF20M120C-M3/4W 0.6643
RFQ
ECAD 9575 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 管子 积极的 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 VF20M120 肖特基 ITO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 120 v 10a 910 MV @ 10 A 700 µA @ 120 V -40°C〜150°C
VF30100SG-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VF30100SG-M3/4W 0.5945
RFQ
ECAD 4394 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 VF30100 肖特基 ITO-220AB - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 910 MV @ 30 A 1 mA @ 100 V -40°C〜150°C 30a -
VF30100S-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VF30100S-M3/4W 0.7118
RFQ
ECAD 7242 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 VF30100 肖特基 ITO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 910 MV @ 30 A 1 mA @ 100 V -40°C〜150°C 30a -
VF30120C-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VF30120C-M3/4W 0.8047
RFQ
ECAD 2746 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 管子 积极的 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 VF30120 肖特基 ITO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 120 v 15a 970 mv @ 15 A 800 µA @ 120 V -40°C〜150°C
VF30120SG-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VF30120SG-M3/4W 0.6808
RFQ
ECAD 6485 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 VF30120 肖特基 ITO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 120 v 1.28 V @ 30 A 500 µA @ 120 V -40°C〜150°C 30a -
VF40100C-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VF40100C-M3/4W 1.9900
RFQ
ECAD 8078 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 管子 积极的 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 VF40100 肖特基 ITO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 100 v 20a 730 mv @ 20 a 1 mA @ 100 V -40°C〜150°C
VF60120C-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VF60120C-M3/4W 2.4000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 管子 积极的 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 VF60120 肖特基 ITO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 120 v 30a 950 MV @ 30 A 500 µA @ 120 V -40°C〜150°C
VFT1060C-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VFT1060C-E3/4W 0.5255
RFQ
ECAD 5452 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 管子 积极的 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 VFT1060 肖特基 ITO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 60 V 5a 700 mv @ 5 a 700 µA @ 60 V -40°C〜150°C
VFT1080C-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VFT1080C-M3/4W 0.5775
RFQ
ECAD 9387 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 管子 积极的 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 VFT1080 肖特基 ITO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 80 V 5a 720 MV @ 5 A 400 µA @ 80 V -55°C〜150°C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库