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参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 速度 | 分散配置 | 电压 - 反向 (Vr)(最大) | 当前 - 平均调整 (Io)(每个分区) | 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If | 反向恢复T (trr) | 电流 - 反向电流@Vr | 工作温度 - 结 | 当前 - 平均调整 (Io) | 电容@Vr, F |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MBR1060CT-LS | - | ![]() | 2692 | 0.00000000 | 分散公司 | - | 大部分 | 过时的 | 通孔 | TO-220-3 | MBR106 | 肖特基 | TO-220-3 | - | 31-MBR1060CT-LS | 过时的 | 1 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 60V | 5A | 750 毫伏 @ 5 安 | 60V时为100μA | 150℃ | ||||||||
![]() | MBRS4201T3G | 1.3700 | ![]() | 4742 | 0.00000000 | onsemi | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-214AB、SMC | MBRS4201 | 肖特基 | SMC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,500人 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 200V | 860 毫伏 @ 4 安 | 35纳秒 | 1毫安@200伏 | -55℃~150℃ | 4A | - | ||||
![]() | SK56C R6 | - | ![]() | 5289 | 0.00000000 | 台积电 | - | 卷带式 (TR) | SIC停产 | 表面贴装 | DO-214AB、SMC | 肖特基 | DO-214AB(SMC) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 1801-SK56CR6TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 60V | 750 毫伏 @ 5 安 | 500μA@60V | -55℃~150℃ | 5A | - | |||||
![]() | STPSC2H12B2Y-TR | 2.6400 | ![]() | 5730 | 0.00000000 | 意法半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 | STPSC2 | SiC(碳化硅)肖特基 | DPAK | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,500人 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1200伏 | 1.5V@2A | 12μA@1200V | -40℃~175℃ | 5A | 190pF @ 0V、1MHz | |||||
![]() | RB520S-40FHTE61 | - | ![]() | 4291 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | RB520 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 846-RB520S-40FHTE61TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 3,000 | ||||||||||||||||
![]() | VS-12CTQ045STRL-M3 | 1.4500 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB | 12CTQ045 | 肖特基 | TO-263AB (D²PAK) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 45V | 6A | 600 毫伏 @ 6 安 | 45V时为800μA | -55℃~175℃ | |||||
![]() | HER1006GH | 0.6087 | ![]() | 5962 | 0.00000000 | 台积电 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-3 | 标准 | TO-220AB | 下载 | 符合ROHS3标准 | REACH 不出行 | 1801-HER1006GH | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 600伏 | 10A | 1.7V@5A | 80纳秒 | 600V时为10μA | -55℃~150℃ | |||||
![]() | BAS116GWX | 0.2600 | ![]() | 5187 | 0.00000000 | 安世半导体美国公司 | 汽车,AEC-Q101 | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | SOD-123 | BAS116 | 标准 | SOD-123 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 75V | 1.25V@150mA | 3微秒 | 5nA@75V | 150℃(最高) | 215毫安 | 2pF@0V、1MHz | ||||
![]() | ES2H | 0.0440 | ![]() | 300 | 0.00000000 | 扬杰科技 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | - | 符合RoHS标准 | REACH 不出行 | 4617-ES2HTR | EAR99 | 3,000 | ||||||||||||||||||
RS2KFS | 0.4800 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 台积电 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | SOD-128 | RS2K | 标准 | SOD-128 | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,500人 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 800V | 1.3V@2A | 500纳秒 | 800V时为1μA | -55℃~150℃ | 2A | 10pF@4V,1MHz | |||||
![]() | GB01SLT12-252 | 1.3500 | ![]() | 5379 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | SiC 肖特基 MPS™ | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 | GB01SLT12 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-252 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,500人 | 无恢复T>500mA(Io) | 1200伏 | 1.8V@1A | 0纳秒 | 1200V时为2μA | -55℃~175℃ | 1A | 69pF@1V、1MHz | ||||
![]() | 1N4590 | 35.5695 | ![]() | 3928 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-205AA、DO-8、螺柱 | 1N4590 | 标准 | DO-205AA (DO-8) | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1N4590GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 400伏 | 1.5V@150A | 9毫安@400伏 | -60℃~200℃ | 150A | - | |||||
![]() | 鲁德620 | 0.7100 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 仙童 | - | 大部分 | 的积极 | 通孔 | TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA | 标准 | I-PAK | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 200V | 1V@6A | 30纳秒 | 100μA@200V | -65℃~175℃ | 6A | - | |||||
![]() | MBRH12045R | 60.0375 | ![]() | 6770 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | D-67 半包 | MBRH12045 | 肖特基,反 | D-67 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 36 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 45V | 700毫伏@120安 | 1毫安@45伏 | -55℃~150℃ | 120A | - | ||||||
![]() | 1N4933T/R | 0.0400 | ![]() | 70 | 0.00000000 | EIC半导体公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 通孔 | DO-204AL、DO-41、矫正 | 标准 | DO-41 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 2439-1N4933T/RTR | 8541.10.0000 | 5,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 50V | 1.2V@1A | 150纳秒 | 5μA@50V | -65℃~150℃ | 1A | 15pF@4V,1MHz | ||||||
MSC030SDA120BCT | 20.3400 | ![]() | 40 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-247-3 | MSC030 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-247-3 | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 150-MSC030SDA120BCT | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 无恢复T>500mA(Io) | 1200伏 | 1.8V@30A | 0纳秒 | 1200V时为200μA | -55℃~175℃ | 65A | 141pF@400V,1MHz | |||||
![]() | MB36_R1_00001 | 0.4500 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 强茂国际有限公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-214AB、SMC | MB36 | 肖特基 | SMC (DO-214AB) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 60V | 740 毫伏 @ 3 安 | 50μA@60V | -65℃~175℃ | 3A | 140pF @ 4V、1MHz | |||||
![]() | CDSER4148-HF | - | ![]() | 4940 | 0.00000000 | 芯芯科技 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 表面贴装 | 0503(1308公制) | CDSER4148 | 标准 | 0503/SOD-723F | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0070 | 4,000 | 小信号=< 200mA (Io),任意速度 | 75V | 1V@50mA | 4纳秒 | 75V时为2.5μA | 125℃(最高) | 150毫安 | 4pF@0V、1MHz | ||||
![]() | S8B | 0.2813 | ![]() | 2125 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-214AB、SMC | 标准 | SMC (DO-214AB) | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 1(无限制) | 供应商未定义 | 2796-S8BTR | 8541.10.0000 | 3,000 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 100伏 | 980毫伏@8安 | 1.5微秒 | 10μA@100V | -50℃~150℃ | 8A | - | |||||
![]() | B0530WS | 0.0240 | ![]() | 300 | 0.00000000 | 扬杰科技 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | SC-76、SOD-323 | 肖特基 | SOD-323 | - | 符合RoHS标准 | REACH 不出行 | 4617-B0530WSTR | EAR99 | 3,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 30V | 550 毫伏 @ 500 毫安 | 30V时为300μA | -55℃~125℃ | 500毫安 | 30pF @ 4V、1MHz | |||||||
MSC030SDA120B | 10.7000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-247-2 | MSC030 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-247 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 不适用 | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | 无恢复T>500mA(Io) | 1200伏 | 1.5V@30A | 0纳秒 | - | 30A | - | ||||||
![]() | ST1M | 0.0195 | ![]() | 9572 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-214AC、SMA | 标准 | DO-214AC、SMA | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 2796-ST1MTR | 8541.10.0000 | 10,000 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1000伏 | 1.1V@1A | 1000V时为5μA | - | 1A | - | |||||||
![]() | FM1600W | 0.0420 | ![]() | 6113 | 0.00000000 | 瑞创美国 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-214AC、SMA | 标准 | SMX | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 2516-FM1600WTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 60,000 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1600伏 | 2V@500mA | 1600V时为5μA | -55℃~150℃ | 500毫安 | 35pF @ 4V,1MHz | ||||||
![]() | SL26 | 0.0470 | ![]() | 300 | 0.00000000 | 扬杰科技 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | - | 符合RoHS标准 | REACH 不出行 | 4617-SL26TR | EAR99 | 3,000 | ||||||||||||||||||
![]() | MBR2X060A200 | 46.9860 | ![]() | 5106 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | SOT-227-4,迷你块 | MBR2X060 | 肖特基 | SOT-227 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 52 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 2 独立 | 200V | 60A | 920 毫伏 @ 60 安 | 3毫安@200伏 | -40℃~150℃ | ||||||
SS36L RFG | - | ![]() | 第1752章 | 0.00000000 | 台积电 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-219AB | SS36 | 肖特基 | 亚SMA | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 60V | 750 毫伏 @ 3 安 | 500μA@60V | -55℃~150℃ | 3A | - | ||||||
![]() | BYG10J-AQ | 0.0881 | ![]() | 第937章 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-214AC、SMA | 雪崩 | DO-214AC、SMA | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 2796-BYG10J-AQTR | 8541.10.0000 | 7,500 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 600伏 | 1.15V@1.5A | 1.5微秒 | 5μA@600V | -50℃~150℃ | 1.5A | - | ||||||
![]() | SS15H | - | ![]() | 7775 | 0.00000000 | 台积电 | 汽车,AEC-Q101 | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-214AC、SMA | 肖特基 | DO-214AC (SMA) | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 1801-SS15HTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 50V | 750 毫伏 @ 1 安 | 50V时为200μA | -55℃~150℃ | 1A | - | |||||
![]() | MUR2020FCT-BP | 0.5380 | ![]() | 4848 | 0.00000000 | 微商公司 | - | 大部分 | 的积极 | 通孔 | TO-220-3隔离片 | 毛里求斯2020 | 标准 | ITO-220AB | 下载 | 353-MUR2020FCT-BP | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 200V | 20A | 975毫伏@10安 | 35纳秒 | 10μA@200V | -55℃~150℃ | ||||||
![]() | WNSC2D0212006Q | - | ![]() | 5726 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-2 | WNSC2 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-220AC | - | 1740-WNSC2D0212006Q | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 无恢复T>500mA(Io) | 1200伏 | 1.6V@2A | 0纳秒 | 10μA@1200V | -55℃~175℃ | 2A | 95pF@1V、1MHz |
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