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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 安装类型 包装/箱 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 速度 分散配置 电压 - 反向 (Vr)(最大) 当前 - 平均调整 (Io)(每个分区) 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If 反向恢复T (trr) 电流 - 反向电流@Vr 工作温度 - 结 当前 - 平均调整 (Io) 电容@Vr, F
NTE5824 NTE Electronics, Inc NTE5824 10.8400
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ECAD 10 0.00000000 NTE电子公司 - 的积极 柱螺安装 DO-203AA、DO-4、螺柱 标准 DO-4 下载 符合ROHS3标准 2368-NTE5824 EAR99 8541.10.0080 1 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1000伏 1.4V@12A 400纳秒 1000V时为25μA -65℃~150℃ 12A -
1N4148-T50A Fairchild Semiconductor 1N4148-T50A 0.0300
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ECAD 5 0.00000000 仙童 - 大部分 的积极 通孔 DO-204AH、DO-35、宗教 1N4148 标准 DO-35 (DO-204AH) 下载 EAR99 8541.10.0070 11,539 小信号=< 200mA (Io),任意速度 100V 1V@10mA 4纳秒 5μA@75V 175℃(最高) 200毫安 4pF@0V、1MHz
BAS40-05/ZLR NXP USA Inc. BAS40-05/ZLR -
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ECAD 6248 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 BAS40 肖特基 SOT-23 (TO-236AB) - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0070 3,000 小信号=< 200mA (Io),任意速度 1对共轴线 40V 120毫安(直流) 1V@40mA 40V时为10μA 150℃(最高)
1N6543/TR Microchip Technology 1N6543/TR 11.7300
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ECAD 2953 0.00000000 微芯片 - 卷带式 (TR) 的积极 - 符合ROHS3标准 REACH 不出行 150-1N6543/TR EAR99 8541.10.0080 1
UFT3015C Microchip Technology UFT3015C 62.1000
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ECAD 5117 0.00000000 微芯片 - 大部分 的积极 通孔 TO-204AA、TO-3 标准 TO-204AA (TO-3) - REACH 不出行 150-UFT3015C EAR99 8541.10.0080 1 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 150伏 30A 930 毫伏 @ 15 安 35纳秒 15μA@150V -65℃~175℃
AR4PDHM3/87A Vishay General Semiconductor - Diodes Division AR4PDHM3/87A -
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ECAD 3607 0.00000000 Vishay General Semiconductor - 分割部门 eSMP® 卷带式 (TR) SIC停产 表面贴装 TO-277,3-PowerDFN AR4 雪崩 TO-277A (SMPC) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0080 6,500 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 200V 1.6V@4A 140纳秒 10μA@200V -55℃~175℃ 2A 77pF @ 4V、1MHz
JAN1N4148UB2 Microchip Technology JAN1N4148UB2 23.0100
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ECAD 2202 0.00000000 微芯片 军事,MIL-PRF-19500/116 大部分 的积极 表面贴装 2-SMD,无铅 1N4148 标准 UB2 下载 不符合 RoHS 指令 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0070 1 小信号=< 200mA (Io),任意速度 75V 1.2V@100mA 20纳秒 500nA@75V -65℃~200℃ 200毫安 4pF@0V、1MHz
1N1397 Microchip Technology 1N1397 38.3850
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ECAD 5318 0.00000000 微芯片 - 大部分 的积极 柱螺安装 DO-205AA、DO-8、螺柱 标准 DO-205AA (DO-8) 下载 REACH 不出行 150-1N1397 EAR99 8541.10.0080 1 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 100V 1.2V@200A 100V时为50μA -65℃~200℃ 100A -
ES1D_R1_00001 Panjit International Inc. ES1D_R1_00001 0.3400
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ECAD 4 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 DO-214AC、SMA ES1D 标准 SMA (DO-214AC) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-ES1D_R1_00001TR EAR99 8541.10.0080 1,800 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 200V 950毫伏@1安 35纳秒 1μA@200V -55℃~150℃ 1A 7pF@4V、1MHz
MUR10040CTR GeneSiC Semiconductor 穆尔10040CTR 75.1110
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ECAD 3250 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 的积极 安装结构 双塔 毛里求斯10040 标准 双塔 下载 符合RoHS标准 1(无限制) MUR10040CTRGN EAR99 8541.10.0080 40 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共阳极 400伏 50A 1.3V@50A 90纳秒 50V时为25μA -55℃~150℃
SR809HR0G Taiwan Semiconductor Corporation SR809HR0G -
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ECAD 4544 0.00000000 台积电 汽车,AEC-Q101 卷带式 (TR) SIC停产 通孔 DO-201AD,缝合 SR809 肖特基 DO-201AD 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0080 1,250人 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 90V 920毫伏@8安 90V时为100μA -55℃~150℃ 8A -
US3MC-HF Comchip Technology US3MC-HF 0.1471
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ECAD 5761 0.00000000 芯芯科技 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 DO-214AB、SMC 美国三军 标准 DO-214AB(SMC) - 符合ROHS3标准 1(无限制) 641-US3MC-HFTR EAR99 8541.10.0080 3,000 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1000伏 1.68V@3A 75纳秒 1000V时为5μA -55℃~150℃ 3A -
JANTX1N5809URS/TR Microchip Technology JANTX1N5809URS/TR 20.4300
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ECAD 1301 0.00000000 微芯片 MIL-PRF-19500/477 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 SQ-MELF,B 标准 B、SQ-MELF - 150-JANTX1N5809URS/TR 100 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 100V 第875章 毫伏@4安 30纳秒 100V时为5μA -65℃~175℃ 3A 60pF@10V、1MHz
1N250A Solid State Inc. 1N250A 2.5000
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ECAD 50 0.00000000 固态公司 - 盒子 的积极 柱螺安装 DO-203AB、DO-5、螺柱 标准 溶解O - 符合ROHS3标准 1(无限制) 供应商未定义 2383-1N250A EAR99 8541.10.0080 10 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 200V 1.19V@90A 10μA@200V -65℃~200℃ 40A -
SDT2U40CP3-7 Diodes Incorporated SDT2U40CP3-7 0.1892
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ECAD 4563 0.00000000 分散公司 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 2-DFN 肖特基 X3-DSN1406-2 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) 31-SDT2U40CP3-7TR EAR99 8541.10.0080 5,000 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 40V 480毫伏@2安 40V时为150μA -55℃~150℃ 2A 180pF @ 4V、1MHz
SR1504 Taiwan Semiconductor Corporation SR1504 0.9549
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ECAD 9900 0.00000000 台积电 - 卷带式 (TR) 的积极 通孔 R-6,本体 SR1504 肖特基 R-6 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0080 1,000 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 40V 550毫伏@15安 40V时为500μA -50℃~150℃ 15A -
DAF160AA40 SanRex Corporation 达夫160AA40 51.9500
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ECAD 4590 0.00000000 三雷克斯公司 - 托盘 的积极 安装结构 模块 标准 - 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 4076-DAF160AA40 EAR99 8541.10.0080 1 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 1对共阳极 400伏 160A 1.3V@500A 30毫安@400伏 -40℃~150℃
1N1344A Solid State Inc. 1N1344A 1.9500
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ECAD 50 0.00000000 固态公司 - 盒子 的积极 柱螺安装 DO-203AA、DO-4、螺柱 标准 DO-4 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) 供应商未定义 2383-1N1344A EAR99 8541.10.0080 10 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 200V 1.3V@30A 10μA@200V -65℃~200℃ 16A -
RBQ10RSM10BTL1 Rohm Semiconductor RBQ10RSM10BTL1 1.4400
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ECAD 2 0.00000000 罗姆半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 TO-277,3-PowerDFN 肖特基 TO-277A 下载 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0080 4,000 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 100V 700毫伏@10安 100V时为250μA 150℃ 10A -
AL1K-CT Diotec Semiconductor AL1K-CT 0.4645
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ECAD 4035 0.00000000 德欧泰克半导体 - 的积极 表面贴装 DO-213AA 雪崩 DO-213AA,迷你-MELF 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) 可根据要求提供REACH信息 2721-AL1K-CT 8541.10.0000 30 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 800V 1.3V@1A 1.5微秒 800V时为3μA -50℃~175℃ 1A -
ESH2CHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division ESH2CHE3_A/H 0.1576
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ECAD 5785 0.00000000 Vishay General Semiconductor - 分割部门 汽车,AEC-Q101 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 DO-214AA、SMB ESH2 标准 DO-214AA (SMB) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0080 750 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 150伏 930毫伏@2安 25纳秒 150V时为2μA -55℃~175℃ 2A 30pF @ 4V、1MHz
STTH602CSFY STMicroelectronics STTH602CSFY 0.8900
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ECAD 5 0.00000000 意法半导体 汽车、AEC-Q101、ECOPACK®2 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 TO-277,3-PowerDFN STTH602 标准 TO-277A (SMPC) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0080 6,000 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 200V 3A 1.06V@3A 31纳秒 200V时为4μA -40℃~175℃
RGL41K-E3/97 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGL41K-E3/97 0.1284
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ECAD 3872 0.00000000 Vishay General Semiconductor - 分割部门 超级调整器® 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 DO-213AB,MELF(玻璃) RGL41 标准 DO-213AB 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0080 5,000 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 800V 1.3V@1A 500纳秒 800V时为5μA -65℃~175℃ 1A 15pF@4V,1MHz
IDW50E60 Infineon Technologies IDW50E60 -
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ECAD 6673 0.00000000 英飞凌科技 - 大部分 的积极 通孔 TO-247-3 标准 PG-TO247-3 下载 EAR99 8542.39.0001 1 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 600伏 2V@50A 115纳秒 40μA@600V -40℃~175℃ 80A -
QRT8A06_T0_00001 Panjit International Inc. QRT8A06_T0_00001 0.3830
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ECAD 1724 0.00000000 强茂国际有限公司 - 管子 过时的 通孔 TO-220-2 QRT8A06 标准 TO-220AC - 符合ROHS3标准 不适用 EAR99 8541.10.0080 2,000 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 600伏 2.4V@8A 28纳秒 600V时为1μA -55℃~175℃ 8A -
VS-20ETS12STRL-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-20ETS12STRL-M3 2.1600
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ECAD 9707 0.00000000 Vishay General Semiconductor - 分割部门 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB 20ETS12 标准 TO-263AB (D²PAK) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0080 800 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1200伏 1.1V@20A 100μA@1200V -40℃~150℃ 20A -
MBRF20040 GeneSiC Semiconductor MBRF20040 -
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ECAD 9946 0.00000000 基恩碳化硅半导体 - 大部分 过时的 安装结构 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 25 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 40V 100A 700毫伏@100安 1毫安@40伏 -55℃~150℃
MBRF745 onsemi MBRF745 0.6400
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ECAD 39 0.00000000 onsemi * 大部分 的积极 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8542.39.0001 1
BAV170 Yangjie Technology 巴夫170 0.0200
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ECAD 300 0.00000000 扬杰科技 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 巴夫170 标准 SOT-23 - 符合RoHS标准 REACH 不出行 4617-BAV170TR EAR99 3,000 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 1对共轴线 85V 215毫安(直流) 1.25V@150mA 3微秒 5nA@75V 150℃
S5KHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division S5KHE3_A/H 0.2162
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ECAD 8927 0.00000000 Vishay General Semiconductor - 分割部门 汽车,AEC-Q101 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 DO-214AB、SMC S5K 标准 DO-214AB(SMC) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0080 850 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 800V 1.15V@5A 2.5微秒 800V时为10μA -55℃~150℃ 5A 40pF @ 4V,1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库