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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1N3211 | 7.0650 | ![]() | 1199 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 1N3211 | 标准 | do-5 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 1N3211GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 300 v | 1.5 V @ 15 A | 10 µA @ 50 V | -65°C〜175°C | 15a | - | |||||
![]() | BAS316-HF | 0.1700 | ![]() | 8047 | 0.00000000 | comchip技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-76,SOD-323 | BAS316 | 标准 | SOD-323 | - | (1 (无限) | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 1.25 V @ 150 mA | 4 ns | 1 µA @ 75 V | -55°C〜150°C | 250mA | 4pf @ 0v,1MHz | ||||||||
![]() | SMPA845L-TP | 0.1644 | ![]() | 8232 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | DO-221BC,SMA平面线索 | SMPA845 | 肖特基 | SMPA | 下载 | 353-SMPA845L-TP | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 45 v | 550 mv @ 8 a | 100 µA @ 45 V | -55°C〜150°C | 8a | 320pf @ 4V,1MHz | |||||||
![]() | MBR1530CT-BP | - | ![]() | 3619 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 管子 | 上次购买 | 通过洞 | TO-220-3 | MBR1530 | 肖特基 | TO-220AB | - | 353-MBR1530CT-BP | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 30 V | 15a | 100 µA @ 30 V | -55°C〜150°C | ||||||||
![]() | VS-10ETF10FPPBF | - | ![]() | 7131 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-220-2完整包 | 10etf10 | 标准 | TO-220AC Full Pack | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1000 v | 1.33 V @ 10 A | 310 ns | -40°C〜150°C | 10a | - | |||||
![]() | SF1040FCT-BP | 0.4650 | ![]() | 7183 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3隔离选项卡 | SF1040 | 标准 | ITO-220AB | 下载 | 353-SF1040FCT-BP | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 400 v | 10a | 1.3 V @ 5 A | 35 ns | 5 µA @ 400 V | -50°C〜150°C | ||||||
![]() | BAS16,215 | - | ![]() | 3763 | 0.00000000 | NXP半导体 | 汽车,AEC-Q101,BAS16 | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BAS16 | 标准 | TO-236AB | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-BAS16,215-954 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 1.25 V @ 150 mA | 4 ns | 500 NA @ 80 V | 150°C (最大) | 215ma | 1.5pf @ 0v,1MHz | ||||||
![]() | MURS1040A-BP | 0.3488 | ![]() | 9799 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | Murs1040 | 标准 | TO-220AC | 下载 | 353-MURS1040A-BP | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 400 v | 1.25 V @ 10 A | 35 ns | 5 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 10a | 50pf @ 4V,1MHz | ||||||
![]() | JANTXV1N6079 | 41.3850 | ![]() | 8811 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/503 | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | g,轴向 | 标准 | g,轴向 | - | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N6079 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 50 V | 1.5 V @ 37.7 A | 30 ns | 10 µA @ 50 V | -65°C〜155°C | 2a | - | ||||||
![]() | CDBB3150-HF | 0.5000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | comchip技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | DO-214AA,SMB | CDBB3150 | 肖特基 | DO-214AA(SMB) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 150 v | 870 mv @ 30 a | 500 µA @ 150 V | -50°C〜175°C | 3a | 250pf @ 4V,1MHz | |||||
![]() | P600K | 0.1491 | ![]() | 222 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | P600,轴向 | 标准 | P600 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 2796-p600ktr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 800 v | 1.1 V @ 6 A | 1.5 µs | 10 µA @ 800 V | -50°C〜150°C | 6a | - | |||||
![]() | MUR3060PT | 1.0320 | ![]() | 36 | 0.00000000 | Yangjie技术 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-247-3 | 标准 | TO-247 | - | Rohs符合条件 | 到达不受影响 | 4617-MUR3060PT | Ear99 | 360 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 600 v | 15a | 1.5 V @ 15 A | 60 ns | 10 µA @ 600 V | -55°C 〜175°C | ||||||
![]() | BAV21 | 0.0200 | ![]() | 339 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | BAV21 | 标准 | do-35 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 250 v | 1.25 V @ 200 ma | 50 ns | 100 na @ 200 V | -50°C 200°C | 250mA | 5pf @ 0v,1MHz | ||||
![]() | SK2S200-200 | 13.9400 | ![]() | 350 | 0.00000000 | SMC二极管解决方案 | - | 盒子 | 积极的 | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | SK2S200 | 肖特基 | SOT-227 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | -1765-SK2S200-200S | Ear99 | 8541.10.0080 | 36 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 2独立 | 200 v | 100a | 950 MV @ 100 A | 500 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | ||||
![]() | MUR840F | 0.3640 | ![]() | 100 | 0.00000000 | Yangjie技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2隔离选项卡 | 标准 | ITO-220AC | - | Rohs符合条件 | 到达不受影响 | 4617-MUR840FTR | Ear99 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 400 v | 1.3 V @ 8 A | 50 ns | 5 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 8a | - | ||||||
![]() | JANTXV1N5617 | - | ![]() | 2328 | 0.00000000 | Semtech Corporation | * | 大部分 | 在sic中停产 | 1N5617 | - | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | PX8746JDNG029XTMA1 | - | ![]() | 8384 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 过时的 | PX8746JD | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | MBR40020CTRL | - | ![]() | 7809 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 双子塔 | 肖特基 | 双子塔 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 20 v | 200a | 580 mv @ 200 a | 3 ma @ 20 V | -55°C〜150°C | ||||||||
![]() | ER1CAFC_R1_00001 | 0.0810 | ![]() | 9998 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-221ac,sma平面线索 | ER1C | 标准 | smaf-c | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 120,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 150 v | 950 MV @ 1 A | 35 ns | 1 µA @ 150 V | -55°C〜150°C | 1a | 15pf @ 4V,1MHz | ||||
![]() | MSASC100H30HS/TR | - | ![]() | 8503 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | 到达不受影响 | 150-MSASC100H30HS/TR | 100 | ||||||||||||||||||||
![]() | SK5150B-LTP | 0.4800 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | DO-214AA,SMB | SK5150 | 肖特基 | DO-214AA(SMB) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 150 v | 870 mv @ 5 a | 1 ma @ 150 V | -55°C〜150°C | 5a | 200pf @ 4V,1MHz | |||||
![]() | RS3B M6 | - | ![]() | 1803年 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | 标准 | DO-214AB(SMC) | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1801-RS3BM6TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 1.3 V @ 3 A | 150 ns | 10 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 3a | - | ||||
![]() | MBR2060CD-HF | 0.3676 | ![]() | 8507 | 0.00000000 | comchip技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | MBR2060 | 肖特基 | D-pak(TO-252) | - | (1 (无限) | 641-MBR2060CD-HFTR | 2,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 60 V | 20a | 800 mv @ 10 a | 50 µA @ 60 V | -50°C〜150°C | ||||||||
![]() | tuau10jh | 0.4440 | ![]() | 7789 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-277,3-PowerDfn | tuau10 | 标准 | SMPC4.6U | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1801-tuau10jhtr | Ear99 | 8541.10.0080 | 6,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.7 V @ 10 A | 50 ns | 5 µA @ 600 V | -55°C 〜175°C | 10a | 135pf @ 4V,1MHz | ||||
![]() | GR5D | 0.0850 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjie技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 到达不受影响 | 4617-gr5dtr | Ear99 | 3,000 | ||||||||||||||||||
![]() | NRVB10100MFST1G | 0.9600 | ![]() | 9106 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | 8-Powertdfn,5个线索 | NRVB10100 | 肖特基 | 5-DFN (5x6)(8-SOFL) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 950 MV @ 10 A | 100 µA @ 100 V | -55°C 〜175°C | 10a | - | |||||
![]() | CD0.5A30 | 3.1200 | ![]() | 2167 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | 死 | 肖特基 | 死 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-CD0.5A30 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 30 V | 500 mv @ 100 ma | 10 µA @ 30 V | -65°C〜125°C | 200mA | 50pf @ 0v,1MHz | ||||||
![]() | S15MC | 0.2997 | ![]() | 8011 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | 标准 | DO-214AB(SMC) | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1000 v | 1.1 V @ 15 A | 1 µA @ 1000 V | -55°C〜150°C | 15a | 93pf @ 4V,1MHz | ||||||
![]() | 1N3738 | 158.8200 | ![]() | 1445 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-205ab,do-9,螺柱 | 标准 | DO-205AB(DO-9) | 下载 | 到达不受影响 | 150-1N3738 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 400 v | 1.3 V @ 300 A | 75 µA @ 400 V | -65°C 〜190°C | 275a | - | |||||||
![]() | BAT54WE6327 | 0.0200 | ![]() | 21 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | BAT54 | 肖特基 | PG-SOT323-3 | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.10.0070 | 15,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 30 V | 800 mv @ 100 ma | 5 ns | 2 µA @ 25 V | 150°C | 200mA | 10pf @ 1V,1MHz |
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