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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 ECCN htsus 标准包 速度 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f
BYV12-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYV12-Tr 0.2574
RFQ
ECAD 5492 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 SOD-57,轴向 BYV12 雪崩 SOD-57 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 25,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 1.5 V @ 1 A 300 ns 5 µA @ 100 V -55°C 〜175°C 1.5a -
BYV13-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division Byv13-Tr 0.2673
RFQ
ECAD 8526 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 SOD-57,轴向 BYV13 雪崩 SOD-57 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 25,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 400 v 1.5 V @ 1 A 300 ns 5 µA @ 400 V -55°C 〜175°C 1.5a -
BYV14-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division byv14-tr 0.2772
RFQ
ECAD 6475 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 SOD-57,轴向 BYV14 雪崩 SOD-57 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 25,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.5 V @ 1 A 300 ns 5 µA @ 600 V -55°C 〜175°C 1.5a -
BYV16-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division Byv16-Tr 0.7000
RFQ
ECAD 4154 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 SOD-57,轴向 Byv16 雪崩 SOD-57 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 5,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1000 v 1.5 V @ 1 A 300 ns 5 µA @ 1000 V -55°C 〜175°C 1.5a -
BYV27-050-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYV27-050-Tr 0.2970
RFQ
ECAD 5130 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 SOD-57,轴向 Byv27 雪崩 SOD-57 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 25,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 55 v 1.07 V @ 3 A 25 ns 1 µA @ 55 V -55°C 〜175°C 2a -
BYV27-150-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYV27-150-Tr 0.6600
RFQ
ECAD 17 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 SOD-57,轴向 Byv27 雪崩 SOD-57 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 5,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 165 v 1.07 V @ 3 A 25 ns 1 µA @ 165 V -55°C 〜175°C 2a -
BYV28-100-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYV28-100-Tr 0.6336
RFQ
ECAD 8099 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 SOD-64,轴向 Byv28 雪崩 SOD-64 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 12,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 1.1 V @ 5 A 30 ns 1 µA @ 100 V -55°C 〜175°C 3.5a -
BYV98-150-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYV98-150-Tr 0.5742
RFQ
ECAD 9504 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 SOD-64,轴向 Byv98 雪崩 SOD-64 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 12,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 150 v 1.1 V @ 5 A 35 ns 10 µA @ 150 V -55°C 〜175°C 4a -
BYW172D-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division Byw172d-Tr 0.5544
RFQ
ECAD 6806 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 SOD-64,轴向 BYW172 雪崩 SOD-64 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 12,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 1.5 V @ 9 A 100 ns 1 µA @ 200 V -55°C 〜175°C 3a -
BYW172F-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division byw172f-tr 0.5643
RFQ
ECAD 6614 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 SOD-64,轴向 BYW172 雪崩 SOD-64 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 12,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 300 v 1.5 V @ 9 A 100 ns 1 µA @ 300 V -55°C 〜175°C 3a -
BYW32-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division byw32-tr 0.5700
RFQ
ECAD 36 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 SOD-57,轴向 Byw32 雪崩 SOD-57 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 5,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 1.1 V @ 1 A 200 ns 5 µA @ 200 V -55°C 〜175°C 2a -
BYW33-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division byw33-tr 0.2673
RFQ
ECAD 4133 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 SOD-57,轴向 Byw33 雪崩 SOD-57 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 25,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 300 v 1.1 V @ 1 A 200 ns 5 µA @ 300 V -55°C 〜175°C 2a -
BYW35-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division Byw35-Tr 0.2871
RFQ
ECAD 9506 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 SOD-57,轴向 Byw35 雪崩 SOD-57 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 25,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 500 v 1.1 V @ 1 A 200 ns 5 µA @ 500 V -55°C 〜175°C 2a -
BYW55-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division byw55-tr 0.6400
RFQ
ECAD 24 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 SOD-57,轴向 BYW55 雪崩 SOD-57 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 5,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 800 v 1 V @ 1 A 4 µs 1 µA @ 800 V -55°C 〜175°C 2a -
BYW83-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division byw83-tr 0.5247
RFQ
ECAD 8198 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 SOD-64,轴向 Byw83 雪崩 SOD-64 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 12,500 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 400 v 1 V @ 3 A 7.5 µs 1 µA @ 400 V -55°C 〜175°C 3a 60pf @ 4V,1MHz
BYW83TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division byw83tap 0.5247
RFQ
ECAD 6020 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 积极的 通过洞 SOD-64,轴向 Byw83 雪崩 SOD-64 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 12,500 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 400 v 1 V @ 3 A 7.5 µs 1 µA @ 400 V -55°C 〜175°C 3a 60pf @ 4V,1MHz
BYW85-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYW85-TAP 0.5445
RFQ
ECAD 8050 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 积极的 通过洞 SOD-64,轴向 BYW85 雪崩 SOD-64 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 12,500 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 800 v 1 V @ 3 A 7.5 µs 1 µA @ 800 V -55°C 〜175°C 3a 60pf @ 4V,1MHz
BYX82TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division byx82Tap 0.2475
RFQ
ECAD 1668年 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 积极的 通过洞 SOD-57,轴向 byx82 雪崩 SOD-57 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 25,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 200 v 1 V @ 1 A 4 µs 1 µA @ 200 V -55°C 〜175°C 2a 20pf @ 4V,1MHz
SD103BWS-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SD103BWS-G3-18 0.0646
RFQ
ECAD 6466 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SC-76,SOD-323 SD103 肖特基 SOD-323 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 10,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 30 V 600 mv @ 200 ma 10 ns 5 µA @ 20 V -55°C〜125°C 350mA 50pf @ 0v,1MHz
SD103CWS-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SD103CWS-HE3-18 0.0606
RFQ
ECAD 6946 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SC-76,SOD-323 SD103 肖特基 SOD-323 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 10,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 20 v 600 mv @ 200 ma 10 ns 5 µA @ 10 V -55°C〜125°C 350mA 50pf @ 0v,1MHz
SE20AFBHM3/6B Vishay General Semiconductor - Diodes Division SE20AFBHM3/6B 0.1163
RFQ
ECAD 6938 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 do-221ac,sma平面线索 SE20 标准 DO-221AC(Slimsma) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 14,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 100 v 1.1 V @ 2 A 1.2 µs 5 µA @ 100 V -55°C 〜175°C 1.3a 12pf @ 4V,1MHz
SE20AFB-M3/6B Vishay General Semiconductor - Diodes Division SE20AFB-M3/6B 0.1058
RFQ
ECAD 6309 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 do-221ac,sma平面线索 SE20 标准 DO-221AC(Slimsma) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 14,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 100 v 1.1 V @ 2 A 1.2 µs 5 µA @ 100 V -55°C 〜175°C 1.3a 12pf @ 4V,1MHz
SE20AFDHM3/6B Vishay General Semiconductor - Diodes Division SE20AFDHM3/6B 0.1163
RFQ
ECAD 9698 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 do-221ac,sma平面线索 SE20 标准 DO-221AC(Slimsma) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 14,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 200 v 1.1 V @ 2 A 1.2 µs 5 µA @ 200 V -55°C 〜175°C 1.3a 12pf @ 4V,1MHz
SE20AFG-M3/6B Vishay General Semiconductor - Diodes Division SE20AFG-M3/6B 0.1058
RFQ
ECAD 5705 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 do-221ac,sma平面线索 SE20 标准 DO-221AC(Slimsma) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 14,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 400 v 1.1 V @ 2 A 1.2 µs 5 µA @ 400 V -55°C 〜175°C 1.3a 12pf @ 4V,1MHz
SE20PG-M3/85A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SE20PG-M3/85A 0.0959
RFQ
ECAD 4533 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 do-220aa SE20 标准 DO-220AA(SMP) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 10,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 400 v 1.05 V @ 2 A 1.2 µs 5 µA @ 400 V -55°C 〜175°C 1.6a 13pf @ 4V,1MHz
SE30AFG-M3/6B Vishay General Semiconductor - Diodes Division SE30AFG-M3/6B 0.4500
RFQ
ECAD 7847 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 ESMP® 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 do-221ac,sma平面线索 SE30 标准 DO-221AC(Slimsma) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 14,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 400 v 1.1 V @ 3 A 1.5 µs 10 µA @ 400 V -55°C 〜175°C 1.4a 19pf @ 4V,1MHz
SE30AFJ-M3/6B Vishay General Semiconductor - Diodes Division SE30AFJ-M3/6B 0.4400
RFQ
ECAD 28 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 ESMP® 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 do-221ac,sma平面线索 SE30 标准 DO-221AC(Slimsma) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 14,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 600 v 1.1 V @ 3 A 1.5 µs 10 µA @ 600 V -55°C 〜175°C 1.4a 19pf @ 4V,1MHz
SE40PGHM3/87A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SE40PGHM3/87A -
RFQ
ECAD 2685 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 表面安装 TO-277,3-PowerDfn SE40 标准 TO-277A(SMPC) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 6,500 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 400 v 1.05 V @ 4 A 2.2 µs 10 µA @ 400 V -55°C 〜175°C 2.4a 28pf @ 4V,1MHz
SE40PG-M3/87A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SE40PG-M3/87A 0.2228
RFQ
ECAD 3176 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-277,3-PowerDfn SE40 标准 TO-277A(SMPC) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 6,500 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 400 v 1.05 V @ 4 A 2.2 µs 10 µA @ 400 V -55°C 〜175°C 2.4a 28pf @ 4V,1MHz
SE70PJHM3/87A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SE70PJHM3/87A -
RFQ
ECAD 2421 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 表面安装 TO-277,3-PowerDfn SE70 标准 TO-277A(SMPC) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 6,500 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 600 v 1.05 V @ 7 A 2.6 µs 20 µA @ 100 V -55°C 〜175°C 2.9a 76pf @ 4V,1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库