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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | CMMSH1-20G TR PBFRE | 0.5000 | ![]() | 18 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOD-123F | CMMSH1 | 肖特基 | SOD-123F | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 20 v | 450 MV @ 1 A | 500 µA @ 100 V | - | 1a | - | ||
![]() | CMOD3003 TR PBFRE | 0.6500 | ![]() | 20 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-79,SOD-523 | CMOD3003 | 标准 | SOD-523 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 180 v | 1.1 V @ 200 ma | 10 na @ 180 V | -65°C〜150°C | 200mA | 4pf @ 0v,1MHz | ||
![]() | CMOSH2-4L TR PBFRE | 0.7000 | ![]() | 85 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-79,SOD-523 | CMOSH2 | 肖特基 | SOD-523 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 40 V | 500 mV @ 200 ma | 5 ns | 50 µA @ 20 V | -65°C〜150°C | 200mA | ||
![]() | CMPD2003 TR PBFRE | 0.4800 | ![]() | 36 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | CMPD2003 | 标准 | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 200 v | 1.25 V @ 200 ma | 50 ns | 100 na @ 200 V | -65°C〜150°C | 200mA | 5pf @ 0v,1MHz | |
![]() | CMPD2004 TR PBFRE | 0.5800 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | CMPD2004 | 标准 | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 240 v | 1.25 V @ 200 ma | 50 ns | 100 NA @ 240 V | -65°C〜150°C | 200mA | 5pf @ 0v,1MHz | |
![]() | CMPD3003 TR PBFRE | 0.4300 | ![]() | 18 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | CMPD3003 | 标准 | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io) | 180 v | 1.1 V @ 200 ma | 10 na @ 180 V | -65°C〜150°C | 200mA | 4pf @ 0v,1MHz | ||
![]() | cmpd6001 tr pbfree | 0.6600 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | CMPD6001 | 标准 | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 75 v | 1.1 V @ 100 mA | 3 µs | 500 PA @ 75 V | -65°C〜150°C | 250mA | 2pf @ 0v,1MHz | |
1月1N6620U | 12.4800 | ![]() | 2464 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/585 | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | SQ-MELF,a | 1N6620 | 标准 | D-5A | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 1.4 V @ 1.2 A | 30 ns | 500 na @ 200 V | -65°C〜150°C | 1.2a | - | ||
JANTX1N6621U | 15.8250 | ![]() | 2497 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/585 | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | SQ-MELF,a | 1N6621 | 标准 | D-5A | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 400 v | 1.4 V @ 1.2 A | 30 ns | 500 NA @ 400 V | -65°C〜150°C | 1.2a | - | ||
Jan1n6622u | 14.1900 | ![]() | 3890 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 军事,MIL-PRF-19500/585 | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | SQ-MELF,a | 1N6622 | 标准 | D-5A | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.4 V @ 1.2 A | 30 ns | 500 NA @ 600 V | -65°C〜150°C | 1.2a | - | ||
JANTXV1N6622U | 18.1050 | ![]() | 7058 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 军事,MIL-PRF-19500/585 | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | SQ-MELF,a | 1N6622 | 标准 | D-5A | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.4 V @ 1.2 A | 30 ns | 500 NA @ 600 V | -65°C〜150°C | 1.2a | - | ||
Jan1n6622us | 14.1900 | ![]() | 2793 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/585 | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | SQ-MELF,a | 1N6622 | 标准 | D-5A | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 660 v | 1.4 V @ 1.2 A | 30 ns | 500 NA @ 660 V | -65°C〜150°C | 1.2a | 10pf @ 10V,1MHz | ||
JANTXV1N6625U | 20.7150 | ![]() | 2537 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 军事,MIL-PRF-19500/585 | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | SQ-MELF,a | JANTXV1 | 标准 | D-5A | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1000 v | 1.75 V @ 1 A | 60 ns | 1 µA @ 1000 V | -65°C〜150°C | 1a | - | ||
JANTX1N6626U | 18.1050 | ![]() | 4266 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/590 | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | SQ-MELF,a | 1N6626 | 标准 | D-5A | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 1.35 V @ 2 A | 30 ns | 2 µA @ 200 V | -65°C〜150°C | 1.75a | - | ||
JANTXV1N6627U | 24.8100 | ![]() | 1932年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/590 | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | SQ-MELF,E | 1N6627 | 标准 | D-5B | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 400 v | 1.35 V @ 2 A | 30 ns | 2 µA @ 400 V | -65°C〜150°C | 1.75a | - | ||
JANTX1N6628U | 25.0500 | ![]() | 1978年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/590 | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | SQ-MELF,E | 1N6628 | 标准 | D-5B | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.35 V @ 2 A | 30 ns | 2 µA @ 600 V | -65°C〜150°C | 1.75a | - | ||
JANTXV1N6628U | 25.3050 | ![]() | 3014 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 军事,MIL-PRF-19500/590 | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | SQ-MELF,E | 1N6628 | 标准 | D-5B | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.35 V @ 2 A | 30 ns | 2 µA @ 600 V | -65°C〜150°C | 1.75a | - | ||
Jan1n6629u | - | ![]() | 9498 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 军事,MIL-PRF-19500/590 | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | SQ-MELF,E | 1N6629 | 标准 | D-5B | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 800 v | 1.4 V @ 1.4 A | 50 ns | 2 µA @ 800 V | -65°C〜150°C | 1.4a | - | ||
JANTX1N6629U | - | ![]() | 9427 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 军事,MIL-PRF-19500/590 | 大部分 | 在sic中停产 | 表面安装 | SQ-MELF,E | 标准 | D-5B | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 800 v | 1.4 V @ 1.4 A | 50 ns | 2 µA @ 800 V | -65°C〜150°C | 1.4a | - | |||
![]() | JANTXV1N6631 | - | ![]() | 5995 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/590 | 大部分 | 在sic中停产 | 通过洞 | E,轴向 | 标准 | e-pak | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1100 v | 1.6 V @ 1.4 A | 60 ns | 4 µA @ 1100 V | -65°C〜150°C | 1.4a | 40pf @ 10V,1MHz | ||
![]() | 1月1N6638 | 5.7000 | ![]() | 7866 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/578 | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | D,轴向 | 1N6638 | 标准 | D-5D | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 150 v | 1.1 V @ 200 ma | 20 ns | 500 NA @ 150 V | -65°C〜175°C | 300mA | 2.5pf @ 0v,1MHz | |
![]() | 1月1N6639 | 6.7800 | ![]() | 4899 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/609 | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | D,轴向 | 1N6639 | 标准 | D-5D | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 75 v | 1.2 V @ 300 mA | 4 ns | 100 na @ 75 V | -65°C〜175°C | 300mA | - | |
JANTXV1N6639 | 10.7700 | ![]() | 2208 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/609 | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | D,轴向 | 1N6639 | 标准 | D-5D | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 75 v | 1.2 V @ 500 mA | 4 ns | 100 na @ 75 V | -65°C〜175°C | 300mA | - | ||
Jan1n6640us | - | ![]() | 3403 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/609 | 大部分 | 在sic中停产 | 表面安装 | SQ-MELF,E | 标准 | D-5B | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 50 V | 1 V @ 300 mA | 4 ns | 100 na @ 50 V | -65°C〜175°C | 300mA | - | |||
![]() | JANTXV1N6641US | 13.8900 | ![]() | 7286 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/609 | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | SQ-MELF,d | 1N6641 | 标准 | D-5D | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 50 V | 1.1 V @ 200 ma | 5 ns | 100 na @ 50 V | -65°C〜175°C | 300mA | - | |
![]() | JANTX1N6642UB | - | ![]() | 1759年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/578 | 大部分 | 在sic中停产 | 表面安装 | 3-SMD,没有铅 | 标准 | UB | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 75 v | 1.2 V @ 100 ma | 20 ns | 500 NA @ 75 V | -65°C〜175°C | 300mA | - | ||
![]() | JANTXV1N6642UB | - | ![]() | 5854 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/578 | 大部分 | 在sic中停产 | 表面安装 | 3-SMD,没有铅 | 标准 | UB | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 75 v | 1.2 V @ 100 ma | 20 ns | 500 NA @ 75 V | -65°C〜175°C | 300mA | - | ||
![]() | JANTXV1N6642UB2R | 40.3500 | ![]() | 1498年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/578 | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | 2-SMD,没有铅 | 1N6642 | 标准 | UB2 | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 75 v | 1.2 V @ 100 ma | 20 ns | 500 NA @ 75 V | -65°C〜175°C | 300mA | - | |
![]() | Jan1n6642ubca | - | ![]() | 8453 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/578 | 大部分 | 在sic中停产 | 表面安装 | 3-SMD,没有铅 | 标准 | UB | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 75 v | 1.2 V @ 100 ma | 5 ns | 500 NA @ 75 V | -65°C〜175°C | 300mA | 5pf @ 0v,1MHz | ||
![]() | JANTXV1N6642UBCA | 34.1700 | ![]() | 8868 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/578 | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | 3-SMD,没有铅 | 1N6642 | 标准 | UB | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 75 v | 1.2 V @ 100 ma | 20 ns | 500 NA @ 75 V | -65°C〜175°C | 300mA | - |
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