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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | 重量( kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SB12100-AP | 0.4076 | ![]() | 7274 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | DO-201 AD,轴向 | SB12100 | 肖特基 | Do-201 AD | 下载 | 353-SB12100-AP | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 850 mv @ 12 a | 500 µA @ 100 V | -65°C〜150°C | 12a | 500pf @ 4V,1MHz | |||||
![]() | MBR745 bp | 0.3300 | ![]() | 5621 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | MBR745 | 肖特基 | TO-220AC | 下载 | 353-mbr745 bp | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 45 v | 100 µA @ 45 V | -55°C〜150°C | 7.5a | 400pf @ 4V,1MHz | ||||||
![]() | SF68G-BP | 0.1948 | ![]() | 4144 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | DO-201 AD,轴向 | SF68 | 标准 | Do-201 AD | 下载 | 353-SF68G-BP | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.7 V @ 6 A | 35 ns | 5 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 6a | 90pf @ 4V,1MHz | ||||
1N485B | 3.5850 | ![]() | 1978年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N485 | 标准 | DO-35(do-204AH) | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | 1N485BMS | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 200 v | 1 V @ 100 ma | 1 µA @ 200 V | -65°C〜175°C | 200mA | - | ||||
![]() | VS-30EPH06L-N3 | 2.8300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | Fredpt® | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-247-2 | 30EPH06 | 标准 | TO-247AD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 112-VS-30EPH06L-N3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 2.6 V @ 30 A | 35 ns | 50 µA @ 600 V | -65°C〜175°C | 30a | - | |
![]() | RGP10BEHE3/53 | - | ![]() | 7738 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101,epleaTectifier® | (TB) | 过时的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | RGP10 | 标准 | DO-204AL(DO-41) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 1.3 V @ 1 A | 150 ns | 5 µA @ 100 V | -65°C〜175°C | 1a | 15pf @ 4V,1MHz | ||
![]() | SK26HE3-LTP | 0.4400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 微商业公司 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | DO-214AA,SMB | SK26 | 肖特基 | DO-214AA(SMB) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 60 V | 700 mv @ 2 a | 100 µA @ 60 V | -55°C〜125°C | 2a | 230pf @ 4V,1MHz | |||
![]() | ACGRC503-HF | - | ![]() | 1196 | 0.00000000 | comchip技术 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | 标准 | DO-214AB(SMC) | 下载 | 641-ACGRC503-HFTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 200 v | 1.15 V @ 5 A | 5 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | 5a | 25pf @ 4V,1MHz | ||||||
![]() | DB3J313K0L | - | ![]() | 2730 | 0.00000000 | 松下电子组件 | - | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | 表面安装 | SC-85 | DB3J313K | 肖特基 | smini3-f2-b | - | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 30 V | 550 mv @ 200 ma | 1.5 ns | 50 µA @ 30 V | 125°c (最大) | 200mA | 3.8pf @ 10V,1MHz | |||
![]() | RS3JH | 0.1756 | ![]() | 5678 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | 标准 | DO-214AB(SMC) | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.3 V @ 3 A | 250 ns | 10 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 3a | - | |||
![]() | HERA807G C0G | - | ![]() | 6752 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 在sic中停产 | 通过洞 | TO-220-2 | Hera807 | 标准 | TO-220AC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 800 v | 1.7 V @ 8 A | 80 ns | 10 µA @ 800 V | -55°C〜150°C | 8a | 55pf @ 4V,1MHz | ||
MBR7H45HE3/45 | - | ![]() | 2682 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-220-2 | MBR7 | 肖特基 | TO-220AC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 45 v | 630 MV @ 7.5 A | 50 µA @ 45 V | -65°C〜175°C | 7.5a | - | ||||
![]() | HER208G | 0.0430 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjie技术 | - | (TB) | 积极的 | 通过洞 | do-204ac,do-15,轴向 | 标准 | do-15 | - | Rohs符合条件 | 到达不受影响 | 4617-HER208GTB | Ear99 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1000 v | 1.7 V @ 2 A | 75 ns | 5 µA @ 1000 V | -55°C〜150°C | 2a | 30pf @ 4V,1MHz | ||||
![]() | SS23HM3_A/H | 0.1643 | ![]() | 5158 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | DO-214AA,SMB | SS23 | 肖特基 | DO-214AA(SMB) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 112-SS23HM3_A/HTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 750 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 30 V | 500 mv @ 2 a | 400 µA @ 30 V | -65°C〜150°C | 2a | - | ||
![]() | SF55G-TP | 0.1716 | ![]() | 2491 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | DO-201 AD,轴向 | SF55 | 标准 | Do-201 AD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1200 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 300 v | 1.27 V @ 5 A | 35 ns | 5 µA @ 300 V | -65°C〜150°C | 5a | 30pf @ 4V,1MHz | ||
![]() | CDBC360-g | 0.5000 | ![]() | 9 | 0.00000000 | comchip技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | CDBC360 | 肖特基 | DO-214AB(SMC) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 60 V | 700 mv @ 3 a | 500 µA @ 60 V | 125°c (最大) | 3a | - | |||
![]() | S5GC | 0.0966 | ![]() | 4852 | 0.00000000 | SMC二极管解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | S5G | 标准 | SMC(do-214ab) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 400 v | 1.15 V @ 5 A | 10 µA @ 400 V | -65°C〜150°C | 5a | 40pf @ 4V,1MHz | |||
MUR460G | 0.7000 | ![]() | 2643 | 0.00000000 | Onmi | SwitchMode™ | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | do-201aa,do-27,轴向 | MUR460 | 标准 | 轴向 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.28 V @ 4 A | 75 ns | 10 µA @ 600 V | -65°C〜175°C | 4a | - | |||
Jan1n6631us/tr | 19.3500 | ![]() | 8503 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/590 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SQ-MELF,E | 标准 | D-5B | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JAN1N6631US/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1100 v | 1.6 V @ 1.4 A | 60 ns | 4 µA @ 1100 V | -65°C〜150°C | 1.4a | 40pf @ 10V,1MHz | ||||
![]() | SBR3A40SA-13 | 0.0804 | ![]() | 3066 | 0.00000000 | 二极管合并 | SBR® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-214ac,SMA | SBR3A40 | 超级障碍 | SMA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 40 V | 500 mv @ 3 a | 400 µA @ 40 V | -65°C〜150°C | 3a | - | |||
![]() | FSU08D60 | 1.3500 | ![]() | 5780 | 0.00000000 | Kyocera avx | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2完整包 | 标准 | TO-220-2完整数 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 2.3 V @ 8 A | 45 ns | 20 µA @ 600 V | -55°C 〜175°C | 8a | - | ||||
![]() | 1N2135R | 74.5200 | ![]() | 6566 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 标准,反极性 | DO-5(do-203ab) | 下载 | 到达不受影响 | 150-1N2135R | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 400 v | 1.25 V @ 200 A | 25 µA @ 400 V | -65°C 〜200°C | 70a | - | |||||
![]() | es1g | 0.2200 | ![]() | 14 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-214ac,SMA | 标准 | DO-214AC(SMA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 400 v | 1.3 V @ 1 A | 35 ns | 5 µA @ 400 V | -55°C〜125°C | 1a | 8pf @ 4V,1MHz | |||
![]() | RBR2MM30ATFTR | 0.3900 | ![]() | 5540 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOD-123F | RBR2MM30 | 肖特基 | PMDU | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 30 V | 530 mv @ 2 a | 50 µA @ 30 V | 150°C (最大) | 2a | - | |||
1N486B/tr | 4.4555 | ![]() | 7438 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/118 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 标准 | DO-35(do-204AH) | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N486B/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 225 v | 1 V @ 100 ma | 25 NA @ 225 V | -65°C 〜200°C | 200mA | - | |||||
![]() | ES2B-M3/5BT | 0.1379 | ![]() | 8468 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | DO-214AA,SMB | ES2B | 标准 | DO-214AA(SMB) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3200 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 900 mv @ 2 a | 30 ns | 10 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 2a | 18pf @ 4V,1MHz | ||
![]() | V3FM15-m3/h | 0.4200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | ESMP®,TMBS® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-219ab | V3FM15 | 肖特基 | DO-219AB(SMF) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 150 v | 1.24 V @ 3 A | 85 µA @ 150 V | -40°C〜175°C | 3a | 150pf @ 4V,1MHz | |||
SBM56LAFC_R1_00001 | 0.3900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-221ac,sma平面线索 | SBM56 | 肖特基 | smaf-c | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 3757-SBM56LAFC_R1_00001DKR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 60 V | 600 mv @ 5 a | 220 µA @ 60 V | -55°C〜150°C | 5a | 200pf @ 4V,1MHz | |||
![]() | UG8JH | - | ![]() | 4862 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | 标准 | TO-220AC | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1801-ug8jh | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 2.9 V @ 8 A | 25 ns | 30 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 8a | - | ||
![]() | rs2jfl | 0.0888 | ![]() | 4089 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOD-123F | 标准 | SOD-123F | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1801-rs2Jfltr | Ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.3 V @ 2 A | 250 ns | 5 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 2a | 9pf @ 4V,1MHz |
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