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---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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![]() | 1N4007GP-E3/53 | - | ![]() | 3639 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | epletectifier® | (TB) | 积极的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1N4007 | 标准 | DO-204AL(DO-41) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io) | 1000 v | 1.1 V @ 1 A | 2 µs | 5 µA @ 1000 V | -65°C〜175°C | 1a | 8pf @ 4V,1MHz | |
![]() | 1N4007GPE-E3/53 | - | ![]() | 2106 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | epletectifier® | (TB) | 积极的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1N4007 | 标准 | DO-204AL(DO-41) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io) | 1000 v | 1.1 V @ 1 A | 2 µs | 5 µA @ 1000 V | -65°C〜175°C | 1a | 8pf @ 4V,1MHz | |
![]() | 1N4007GPEHE3/53 | - | ![]() | 2749 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | epletectifier® | (TB) | 过时的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1N4007 | 标准 | DO-204AL(DO-41) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io) | 1000 v | 1.1 V @ 1 A | 2 µs | 5 µA @ 1000 V | -65°C〜175°C | 1a | 8pf @ 4V,1MHz | |
![]() | 1N4007GPE-M3/73 | - | ![]() | 3589 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | (TB) | 过时的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1N4007 | 标准 | DO-204AL(DO-41) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io) | 1000 v | 1.1 V @ 1 A | 5 µA @ 1000 V | -50°C〜150°C | 1a | 15pf @ 4V,1MHz | ||
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![]() | 1N4933GP-M3/73 | - | ![]() | 6047 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | (TB) | 过时的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1N4933 | 标准 | DO-204AL(DO-41) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 50 V | 1.2 V @ 1 A | 200 ns | 5 µA @ 50 V | -65°C〜175°C | 1a | 15pf @ 4V,1MHz | |
![]() | 1N4934GPEHE3/91 | - | ![]() | 5520 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | epletectifier® | (TB) | 过时的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1N4934 | 标准 | DO-204AL(DO-41) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 1.2 V @ 1 A | 200 ns | 5 µA @ 100 V | -65°C〜175°C | 1a | 15pf @ 4V,1MHz | |
![]() | 1N4934GP-M3/73 | - | ![]() | 7956 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | (TB) | 过时的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1N4934 | 标准 | DO-204AL(DO-41) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 1.2 V @ 1 A | 200 ns | 5 µA @ 100 V | 1a | 15pf @ 4V,1MHz | ||
![]() | 1N4936-E3/53 | - | ![]() | 4820 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | (TB) | 积极的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1N4936 | 标准 | DO-204AL(DO-41) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 400 v | 1.2 V @ 1 A | 200 ns | 5 µA @ 400 V | -65°C〜175°C | 1a | 15pf @ 4V,1MHz | |
![]() | 1N4937E-E3/53 | - | ![]() | 6373 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | (TB) | 积极的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1N4937 | 标准 | DO-204AL(DO-41) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.2 V @ 1 A | 200 ns | 5 µA @ 600 V | 1a | 12pf @ 4V,1MHz | ||
![]() | 1N4944GP-M3/73 | - | ![]() | 9023 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | epletectifier® | (TB) | 过时的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1N4944 | 标准 | DO-204AL(DO-41) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 400 v | 1.3 V @ 1 A | 150 ns | 1 µA @ 400 V | -65°C〜175°C | 1a | 15pf @ 4V,1MHz | |
![]() | 1N4947GPHM3/73 | - | ![]() | 1237 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | epletectifier® | (TB) | 过时的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1N4947 | 标准 | DO-204AL(DO-41) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 800 v | 1.3 V @ 1 A | 250 ns | 1 µA @ 800 V | -65°C〜175°C | 1a | 15pf @ 4V,1MHz | |
![]() | 1N5062TAP | 0.6500 | ![]() | 30 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | (CT) | 积极的 | 通过洞 | SOD-57,轴向 | 1N5062 | 雪崩 | SOD-57 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 800 v | 1.15 V @ 2.5 A | 4 µs | 1 µA @ 800 V | -55°C 〜175°C | 2a | 40pf @ 0v,1MHz | |
31GF6-M3/73 | - | ![]() | 5208 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | (TB) | 积极的 | 通过洞 | DO-201 AD,轴向 | 31GF6 | 标准 | Do-201 AD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.6 V @ 3 A | 30 ns | 20 µA @ 600 V | -40°C〜150°C | 3a | - | ||
![]() | BA159GPE-E3/53 | - | ![]() | 6505 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | (TB) | 积极的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | BA159 | 标准 | DO-204AL(DO-41) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io) | 800 v | 1.3 V @ 1 A | 500 ns | 5 µA @ 800 V | -65°C〜175°C | 1a | 15pf @ 4V,1MHz | |
![]() | BAT81S-TAP | 0.3400 | ![]() | 49 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | (CT) | 积极的 | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | BAT81 | 肖特基 | DO-35(do-204AH) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 40 V | 1 V @ 15 mA | 200 NA @ 40 V | 125°c (最大) | 30mA | 1.6pf @ 1V,1MHz | ||
![]() | BAT82S-TAP | 0.0429 | ![]() | 1610 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | (TB) | 积极的 | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | BAT82 | 肖特基 | DO-35(do-204AH) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 50,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 50 V | 1 V @ 15 mA | 200 na @ 50 V | 125°c (最大) | 30mA | 1.6pf @ 1V,1MHz | ||
![]() | BAT83S-TAP | 0.0446 | ![]() | 4465 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | (TB) | 积极的 | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | BAT83 | 肖特基 | DO-35(do-204AH) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 50,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 60 V | 1 V @ 15 mA | 200 na @ 60 V | 125°c (最大) | 30mA | 1.6pf @ 1V,1MHz | ||
![]() | BAT86S-TAP | 0.3900 | ![]() | 48 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | (CT) | 积极的 | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | BAT86 | 肖特基 | DO-35(do-204AH) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 50 V | 900 mv @ 100 ma | 5 µA @ 40 V | 125°c (最大) | 200mA | 8pf @ 1V,1MHz | ||
![]() | BAV18-TAP | 0.0274 | ![]() | 3726 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | (TB) | 积极的 | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | BAV18 | 标准 | DO-35(do-204AH) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 50,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 50 V | 1 V @ 100 ma | 50 ns | 100 na @ 50 V | 175°c (最大) | 250mA | 1.5pf @ 0v,1MHz | |
![]() | BY228TAP | 1.1300 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | (CT) | 积极的 | 通过洞 | SOD-64,轴向 | By228 | 雪崩 | SOD-64 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io) | 1500 v | 1.5 V @ 5 A | 20 µs | 5 µA @ 1500 V | 140°C (最大) | 3a | - | |
![]() | BY269TAP | 0.7600 | ![]() | 2867 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | (CT) | 积极的 | 通过洞 | SOD-57,轴向 | BY269 | 雪崩 | SOD-57 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io) | 1600 v | 1.6 V @ 3 A | 2 µs | 2 µA @ 1400 V | 140°C (最大) | 2a | - | |
![]() | BYM36A-TAP | 0.5049 | ![]() | 4050 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | (TB) | 积极的 | 通过洞 | SOD-64,轴向 | BYM36 | 雪崩 | SOD-64 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 12,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 1.6 V @ 3 A | 100 ns | 5 µA @ 200 V | -55°C 〜175°C | 3a | - | |
![]() | BYM36D-TAP | 0.5247 | ![]() | 6177 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | (TB) | 积极的 | 通过洞 | SOD-64,轴向 | BYM36 | 雪崩 | SOD-64 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 12,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 800 v | 1.78 V @ 3 A | 150 ns | 5 µA @ 800 V | -55°C 〜175°C | 2.9a | - | |
![]() | BYM36E-TAP | 1.1300 | ![]() | 594 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | (CT) | 积极的 | 通过洞 | SOD-64,轴向 | BYM36 | 雪崩 | SOD-64 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1000 v | 1.78 V @ 3 A | 150 ns | 5 µA @ 1000 V | -55°C 〜175°C | 2.9a | - | |
![]() | BYT51K-TAP | 0.2871 | ![]() | 4163 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | (TB) | 积极的 | 通过洞 | SOD-57,轴向 | BYT51 | 雪崩 | SOD-57 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 25,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io) | 800 v | 1.1 V @ 1 A | 4 µs | 1 µA @ 800 V | -55°C 〜175°C | 1.5a | - | |
![]() | BYT52D-TAP | 0.2673 | ![]() | 1621年 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | (TB) | 积极的 | 通过洞 | SOD-57,轴向 | BYT52 | 雪崩 | SOD-57 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 25,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 1.3 V @ 1 A | 200 ns | 5 µA @ 200 V | -55°C 〜175°C | 1.4a | - |
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