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| 参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 速度 | 电压 - 反向 (Vr)(最大) | 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If | 反向恢复T (trr) | 电流 - 反向电流@Vr | 工作温度 - 结 | 当前 - 平均调整 (Io) | 电容@Vr, F |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MER3DBF-AU_R1_007A1 | 0.4300 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 强茂国际有限公司 | 汽车,AEC-Q101 | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-221AA,SMB 纸张 | MER3D | 标准 | SMBF | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 3757-MER3DBF-AU_R1_007A1CT | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,500人 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 200V | 950毫伏@3安 | 35纳秒 | 1μA@200V | -55℃~175℃ | 3A | 31pF @ 4V、1MHz | |
![]() | DFLR1600-7-52 | 0.0668 | ![]() | 3067 | 0.00000000 | 分散公司 | - | 大部分 | 的积极 | 表面贴装 | POWERDI®123 | DFLR1600 | 标准 | PowerDI™123 | 下载 | 31-DFLR1600-7-52 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 600伏 | 1.1V@1A | 600V时为3μA | -65℃~150℃ | 1A | 10pF@4V,1MHz | |||||
![]() | SL02-GS08 | 0.4200 | ![]() | 33 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | eSMP® | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-219AB | SL02 | 肖特基 | DO-219AB(单模) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 20V | 420毫伏@1.1安 | 10纳秒 | 250μA@20V | 125℃(最高) | 1.1A | - | ||
![]() | SM5408-CT | 0.4040 | ![]() | 9399 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 条 | 的积极 | 表面贴装 | DO-213AB,梅尔夫 | SM5408 | 标准 | 梅尔夫DO-213AB | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 可根据要求提供REACH信息 | 2721-SM5408-CT | 8541.10.0000 | 30 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1000伏 | 1.2V@3A | 1.5微秒 | 1V时为5μA | -50℃~175℃ | 3A | - | ||
![]() | VS-60APU04HN3 | - | ![]() | 2624 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | 汽车、AEC-Q101、FRED Pt® | 管子 | 过时的 | 通孔 | TO-247-3 | 60APU04 | 标准 | TO-247AC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 400V | 1.25V@60A | 85纳秒 | 400V时为50μA | -55℃~175℃ | 60A | - | ||
![]() | P3D06008E2 | 3.3300 | ![]() | 2523 | 0.00000000 | PN结半导体 | P3D | 卷带式 (TR) | 的积极 | TO-252-2 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-252-2 | 下载 | 符合ROHS3标准 | REACH旅行 | 4237-P3D06008E2TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 0纳秒 | 650V时为36μA | -55℃~175℃ | 22A | ||||||
![]() | 1N6842U3 | 181.8750 | ![]() | 8749 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 大部分 | 的积极 | 表面贴装 | 3-SMD,无铅 | 肖特基 | U3 | - | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 60V | 900毫伏@15安 | 50μA@60V | -65℃~150℃ | 10A | 400pF@5V,1MHz | ||||||
![]() | NRVTS10100EMFST3G | 0.3904 | ![]() | 2657 | 0.00000000 | onsemi | 汽车,AEC-Q101 | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | 8-PowerTDFN,5接口 | NRVTS10100 | 肖特基 | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 100伏 | 720 毫伏 @ 10 安 | 100V时为50μA | -55℃~175℃ | 10A | - | |||
![]() | 超滤1G | 0.0981 | ![]() | 1203 | 0.00000000 | 台积电 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 通孔 | DO-204AL、DO-41、矫正 | 超滤1G | 标准 | DO-204AL (DO-41) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 400V | 1V@1A | 50纳秒 | 5μA@400V | -55℃~150℃ | 1A | 17pF@4V,1MHz | ||
![]() | QRS1260T30 | - | ![]() | 2792 | 0.00000000 | 动力克斯公司 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | 模块 | 标准 | 模块 | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.10.0080 | 2 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1200伏 | 3.5V@600A | 250纳秒 | 2毫安@1200伏 | 427A | - | ||||
![]() | JAN1N6642UBD | 23.9400 | ![]() | 2745 | 0.00000000 | 微芯片 | 军事,MIL-PRF-19500/578 | 大部分 | 的积极 | 表面贴装 | 3-SMD,无铅 | 1N6642 | 标准 | UB | - | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 75V | 1.2V@100mA | 5纳秒 | 500nA@75V | -65℃~175℃ | 300毫安 | 5pF @ 0V、1MHz | ||
![]() | R7204006XXOO | - | ![]() | 8859 | 0.00000000 | 动力克斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | 的 | DO-200AA、A-PUK | R7204006 | 标准 | DO-200AA、R62 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 4000伏 | 2.15V@1500A | 7微秒 | 50毫安@4000伏 | 600A | - | ||||
![]() | 1N1665 | 158.8200 | ![]() | 5613 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 大部分 | 的积极 | 柱螺安装 | DO-205AB、DO-9、螺柱 | 标准 | DO-205AB (DO-9) | 下载 | REACH 不出行 | 150-1N1665 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 400V | 1.3V@300A | 400V时为75μA | -65℃~190℃ | 275A | - | |||||
![]() | EGP20F-E3/73 | - | ![]() | 7254 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | 超级调整器® | 胶带和盒子 (TB) | 的积极 | 通孔 | DO-204AC、DO-15、极性 | 埃格普20 | 标准 | DO-204AC (DO-15) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 300伏 | 1.25V@2A | 50纳秒 | 300V时为5μA | -65℃~150℃ | 2A | 45pF @ 4V,1MHz | ||
![]() | R5021613FSWA | - | ![]() | 2923 | 0.00000000 | 动力克斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-205AA、DO-8、螺柱 | R5021613 | 标准 | DO-205AA (DO-8) | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1600伏 | 2.5V@470A | 700纳秒 | 45毫安@1600伏 | -40℃~150℃ | 125A | - | |||
![]() | PMLL4153,115 | 0.2000 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 安世半导体美国公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-213AC、迷你-MELF、SOD-80 | PMLL4153 | 标准 | LLDS;迷你梅尔夫 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0070 | 2,500人 | 小信号=< 200mA (Io),任意速度 | 50V | 880 毫伏 @ 50 毫安 | 4纳秒 | 50nA@50V | 200℃(最高) | 200毫安 | 2pF@0V、1MHz | ||
![]() | VS-20MQ100HM3/5AT | 0.0950 | ![]() | 3812 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | 汽车,AEC-Q101 | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-214AC、SMA | 20MQ100 | 肖特基 | DO-214AC (SMA) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 100伏 | 910毫伏@2安 | 100μA@100V | -55℃~150℃ | 2A | 38pF@10V,1MHz | |||
![]() | JANTXV1N3595UR-1/TR | 14.5901 | ![]() | 5927 | 0.00000000 | 微芯片 | 军事,MIL-PRF-19500/241 | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-213AA | 标准 | DO-213AA | - | 符合ROHS3标准 | REACH 不出行 | 150-JANTXV1N3595UR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 小信号=< 200mA (Io),任意速度 | 125V | 920毫伏@100毫安 | 3微秒 | 125V时为2nA | -65℃~175℃ | 150毫安 | - | |||
![]() | AZ23C13Q | 0.0460 | ![]() | 300 | 0.00000000 | 扬杰科技 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | AZ23C13 | 下载 | 符合RoHS标准 | REACH 不出行 | 4617-AZ23C13QTR | EAR99 | 3,000 | |||||||||||||||
![]() | ES2BHE3_A/H | 0.5300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | 汽车,AEC-Q101 | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-214AA、SMB | ES2B | 标准 | DO-214AA (SMB) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 750 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 100伏 | 900毫伏@2安 | 20纳秒 | 50V时为10μA | -55℃~150℃ | 2A | 18pF@4V,1MHz | ||
![]() | S1JHM3_A/H | 0.0825 | ![]() | 9469 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | 汽车,AEC-Q101 | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-214AC、SMA | 标准 | DO-214AC (SMA) | 下载 | 符合ROHS3标准 | REACH 不出行 | 112-S1JHM3_A/HTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 600伏 | 1.1V@1A | 1.8微秒 | 600V时为1μA | -55℃~150℃ | 1A | 12pF@4V,1MHz | |||
![]() | JANTX1N6772 | - | ![]() | 6737 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 大部分 | 的积极 | 通孔 | TO-257-3 | 标准 | TO-257 | - | 不符合RoHS标准 | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 400V | 1.6V@8A | 60纳秒 | 10μA@320V | - | 8A | 200pF@5V,1MHz | ||||
![]() | MMBD914-HF | 0.0466 | ![]() | 9808 | 0.00000000 | 芯芯科技 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | MMBD914 | 标准 | SOT-23-3 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号=< 200mA (Io),任意速度 | 75V | 1.25V@150mA | 4纳秒 | 75V时为1μA | -65℃~150℃ | 200毫安 | 2pF@0V、1MHz | |||
| MBR10H45-E3/45 | - | ![]() | 4305 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | - | 管子 | 过时的 | 通孔 | TO-220-2 | 主要引导记录10 | 肖特基 | TO-220AC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 45V | 630 毫伏 @ 10 安 | 45V时为100μA | -65℃~175℃ | 10A | - | ||||
| JANTX1N5554US | 10.5600 | ![]() | 9375 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 大部分 | 的积极 | 表面贴装 | SQ-MELF,B | 标准 | B、SQ-MELF | - | 不符合RoHS标准 | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1.3V@9A | 2微秒 | -65℃~175℃ | 3A | - | |||||||
![]() | D3041N65TXPSA1 | 2.0000 | ![]() | 2325 | 0.00000000 | 英飞凌科技 | - | 托盘 | 的积极 | 安装结构 | DO-200AE | D3041N65 | 标准 | - | 下载 | 符合ROHS3标准 | 不适用 | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 2 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 6500伏 | 1.7V@4000A | 100毫安@6500伏 | -40℃~160℃ | 4090A | - | |||
![]() | M7L | 0.0152 | ![]() | 3073 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-214AC、SMA | 标准 | DO-214AC、SMA | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 2796-M7LTR | 8541.10.0000 | 7,500 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1000伏 | 1.1V@1A | 1.5微秒 | 1000V时为5μA | -50℃~150℃ | 1A | - | ||||
![]() | S3B_R1_00001 | 0.4400 | ![]() | 800 | 0.00000000 | 强茂国际有限公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-214AB、SMC | S3B | 标准 | SMC (DO-214AB) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 100伏 | 1.2V@3A | 1μA@100V | -55℃~150℃ | 3A | 53pF @ 4V、1MHz | |||
![]() | MSS1P6-E3/89A | - | ![]() | 6014 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | eSMP® | 卷带式 (TR) | 过时的 | 表面贴装 | 微型SMP | MSS1P6 | 肖特基 | 微型SMP (DO-219AD) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 4,500 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 60V | 680 毫伏 @ 1 安 | 60V时为150μA | -55℃~150℃ | 1A | 40pF @ 4V,1MHz | |||
![]() | LSR105 L0 | - | ![]() | 4771 | 0.00000000 | 台积电 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 表面贴装 | DO-213AB,梅尔夫 | 肖特基 | 梅尔夫 | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 1801-LSR105L0TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 50V | 700毫伏@1安 | 1毫安@50伏 | -65℃~150℃ | 1A | 80pF @ 4V,1MHz |

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