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| 参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 速度 | 电压 - 反向 (Vr)(最大) | 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If | 反向恢复T (trr) | 电流 - 反向电流@Vr | 工作温度 - 结 | 当前 - 平均调整 (Io) | 电容@Vr, F |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MSASC75W80F/TR | - | ![]() | 7988 | 0.00000000 | 微芯片 | * | 卷带式 (TR) | 的积极 | - | REACH 不出行 | 150-MSASC75W80F/TR | 100 | ||||||||||||||||||
![]() | VS-18TQ045STRRHM3 | 1.3679 | ![]() | 3647 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | 汽车,AEC-Q101 | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB | 18TQ045 | 肖特基 | TO-263AB (D²PAK) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 112-VS-18TQ045STRRHM3TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 45V | 600 毫伏 @ 18 安 | 2.5毫安@45伏 | -55℃~175℃ | 18A | 1400pF @ 5V、1MHz | ||
![]() | MBR7150HC0G | - | ![]() | 6980 | 0.00000000 | 台积电 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-2 | MBR7150 | 肖特基 | TO-220AC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 150伏 | 950 毫伏 @ 7.5 安 | 100 µA @ 150 V | -55℃~150℃ | 7.5A | - | |||
![]() | VS-95PFR140 | 6.6151 | ![]() | 9467 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 95PFR140 | 标准,反脊柱 | DO-203AB (DO-5) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | VS95PFR140 | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1400伏 | 1.4V@267A | -55℃~180℃ | 95A | - | |||
![]() | EC10DA40 | - | ![]() | 7304 | 0.00000000 | 京瓷AVX | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 表面贴装 | DO-214AC、SMA | 标准 | DO-214AC (SMA) | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,500人 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 400V | 1.05V@1A | 400V时为100μA | -40℃~150℃ | 1A | - | ||||||
![]() | S3GB R5G | - | ![]() | 1971年 | 0.00000000 | 台积电 | - | 卷带式 (TR) | SIC停产 | 表面贴装 | DO-214AA、SMB | S3G | 标准 | DO-214AA (SMB) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 400V | 1.15V@3A | 1.5微秒 | 400V时为10μA | -55℃~150℃ | 3A | 40pF @ 4V,1MHz | ||
![]() | S07J-GS08 | 0.4400 | ![]() | 81 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-219AB | S07 | 标准 | DO-219AB(单模) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 600伏 | 1.1V@1A | 1.8微秒 | 600V时为10μA | -55℃~150℃ | 700毫安 | 4pF@4V,1MHz | ||
![]() | 1N647UR-1 | 3.9600 | ![]() | 1906年 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 大部分 | 的积极 | 表面贴装 | DO-213AA(玻璃) | 1N647 | 标准 | DO-213AA | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 400V | 1V@400mA | 50nA@400V | -65℃~175℃ | 400毫安 | - | |||
![]() | PMEG2010EPASX | 0.0900 | ![]() | 27号 | 0.00000000 | 恩智浦半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 大部分 | 的积极 | 表面贴装 | 3-UDFN 裸露焊盘 | 肖特基 | DFN2020D-3 | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 2156-PMEG2010EPASX-954 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,699 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 20V | 375毫伏@1安 | 50纳秒 | 20V时为335μA | 150℃(最高) | 1A | 175pF@1V、1MHz | |||
![]() | SL42-E3/57T | 0.9100 | ![]() | 第440章 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-214AB、SMC | SL42 | 肖特基 | DO-214AB(SMC) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 20V | 420 毫伏 @ 4 安 | 20V时为500μA | -55℃~125℃ | 4A | - | |||
![]() | STTH806DTI | 4.1600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 意法半导体 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-2绝缘,TO-220AC | STTH806 | 标准 | TO-220AC绝缘子 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 600伏 | 3.6V@8A | 30纳秒 | 600V时为10μA | 175℃(最高) | 8A | - | ||
![]() | GP08GE-E3/54 | 0.1840 | ![]() | 6776 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | 超级调整器® | 卷带式 (TR) | 的积极 | 通孔 | DO-204AL、DO-41、矫正 | GP08 | 标准 | DO-204AL (DO-41) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,500人 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 400V | 1.3V@800mA | 2微秒 | 5μA@400V | -65℃~175℃ | 800毫安 | - | ||
| NUR460/L02,112 | - | ![]() | 9169 | 0.00000000 | 恩智浦 | - | 管子 | 过时的 | 通孔 | DO-201AD,缝合 | NUR460 | 标准 | DO-201AD | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 600伏 | 1.28V@4A | 65纳秒 | 50μA@600V | 150℃(最高) | 4A | - | |||
![]() | UPS115UE3/TR13 | 0.6450 | ![]() | 3398 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-216AA | 停止电源115 | 肖特基 | 威迈特 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 12,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 15V | 220毫伏@1安 | 10毫安@15伏 | -55℃~150℃ | 1A | - | |||
![]() | 1N5806 | 1.2500 | ![]() | 3112 | 0.00000000 | 固态公司 | - | 盒子 | 的积极 | 通孔 | DO-204AP,缝合 | 标准 | DO-204AP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 不适用 | 2383-1N5806 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 150伏 | 875 毫伏 @ 1 安 | 25纳秒 | 1μA@150V | -65℃~175℃ | 2.5A | - | |||
![]() | RR2L4STE25 | 0.2587 | ![]() | 7086 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 卷带式 (TR) | 不适合新设计 | 表面贴装 | DO-214AC、SMA | RR2L4 | 标准 | PMDS | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,500人 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 400V | 1.1V@2A | 400V时为10μA | 150℃(最高) | 2A | - | |||
![]() | CR3-060GPP TR | - | ![]() | 5457 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 通孔 | DO-201AD,缝合 | 标准 | DO-201AD | 下载 | 1(无限制) | CR3-060GPPTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,200 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 600伏 | 1.2V@3A | 5μA@600V | -65℃~150℃ | 3A | 30pF @ 4V、1MHz | |||||
![]() | T40HFL10S02 | - | ![]() | 2822 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | - | 大部分 | 过时的 | 安装结构 | D-55 T模块 | T40 | 标准 | D-55 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | *T40HFL10S02 | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 100V | 200纳秒 | 100μA@100V | 40A | - | |||
![]() | UTR3310 | 12.8400 | ![]() | 4760 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 大部分 | 的积极 | 通孔 | B、 结节 | 标准 | B、 结节 | - | REACH 不出行 | 150-UTR3310 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 100V | 1.1V@3A | 250纳秒 | 100V时为5μA | -65℃~175℃ | 3A | 400pF @ 0V、1MHz | ||||
![]() | 1N5415 | 6.5250 | ![]() | 6253 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 大部分 | 的积极 | 通孔 | B、 结节 | 1N5415 | 标准 | B、 结节 | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 50V | 1.5V@9A | 150纳秒 | 50V时为1μA | -65℃~175℃ | 3A | - | ||
![]() | JANTX1N6942UTK3CS | - | ![]() | 5467 | 0.00000000 | 微芯片 | 军事,MIL-PRF-19500/726 | 大部分 | 的积极 | 表面贴装 | ThinKey™3 | 肖特基 | ThinKey™3 | - | REACH 不出行 | 150-JANTX1N6942UTK3CS | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 45V | 460毫伏@50安 | 5毫安@45伏 | -65℃~150℃ | 150A | 7000pF @ 5V、1MHz | |||||
![]() | SD103AW-13-F | 0.3800 | ![]() | 60 | 0.00000000 | 分散公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | SOD-123 | SD103 | 肖特基 | SOD-123 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 40V | 600 毫伏 @ 200 毫安 | 10纳秒 | 30V时为5μA | -65℃~125℃ | 350毫安 | 28pF @ 0V、1MHz | ||
![]() | DSK24 | 0.1455 | ![]() | 1 | 0.00000000 | MDD | SOD-123FL | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | SOD-123F | 肖特基 | SOD-123FL | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 6,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 40V | 550毫伏@2安 | 40V时为500μA | -55℃~125℃ | 2A | 220pF @ 4V,1MHz | ||||
![]() | 毛里求斯160/54 | - | ![]() | 7198 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 通孔 | DO-204AC、DO-15、极性 | 毛里求斯160 | 标准 | DO-204AC (DO-15) | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 4,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 600伏 | 1.25V@1A | 75纳秒 | 5μA@600V | -65℃~175℃ | 1A | - | ||
![]() | RB060L-40TE25 | 0.1769 | ![]() | 2742 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 卷带式 (TR) | 不适合新设计 | 表面贴装 | DO-214AC、SMA | RB060 | 肖特基 | PMDS | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,500人 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 40V | 500毫伏@2安 | 1毫安@40伏 | 125℃(最高) | 2A | - | |||
![]() | 1N5808/TR | 11.1000 | ![]() | 2414 | 0.00000000 | 微芯片 | * | 卷带式 (TR) | 的积极 | - | 符合ROHS3标准 | REACH 不出行 | 150-1N5808/TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | |||||||||||||||
![]() | FR40JR02 | 13.8360 | ![]() | 4966 | 0.00000000 | 基恩碳化硅半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 结构,螺柱安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 标准,反脊柱 | 溶解O | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | FR40JR02GN | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 600伏 | 1V@40A | 250纳秒 | 100V时为25μA | -40℃~125℃ | 40A | - | |||
![]() | SGL41-40HE3/96 | - | ![]() | 7196 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-213AB,梅尔夫 | SGL41 | 肖特基 | GL41 (DO-213AB) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | SGL41-40HE3_A/H | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,500人 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 40V | 500毫伏@1安 | 40V时为500μA | -55℃~125℃ | 1A | 110pF @ 4V,1MHz | ||
![]() | FR301GP-TP | 0.1150 | ![]() | 4432 | 0.00000000 | 微商公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 通孔 | DO-201AD,缝合 | FR301 | 标准 | DO-201AD | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,200 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 50V | 1.3V@3A | 150纳秒 | 5μA@50V | -55℃~150℃ | 3A | 50pF @ 4V,1MHz | ||
![]() | 1N5811 澳大利亚/土耳其 | 11.1000 | ![]() | 4309 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | SQ-MELF,B | 标准,反脊柱 | B、SQ-MELF | - | REACH 不出行 | 150-1N5811 澳大利亚/TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 150伏 | 第875章 毫伏@4安 | 30纳秒 | 150V时为5μA | -65℃~175℃ | 3A | 60pF@10V、1MHz |

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