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| 参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 速度 | 电压 - 反向 (Vr)(最大) | 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If | 反向恢复T (trr) | 电流 - 反向电流@Vr | 工作温度 - 结 | 当前 - 平均调整 (Io) | 电容@Vr, F |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | GP10D-M3/54 | - | ![]() | 9564 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 通孔 | DO-204AL、DO-41、矫正 | GP10 | 标准 | DO-204AL (DO-41) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,500人 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 200V | 1.1V@1A | 3微秒 | 5μA@200V | -65℃~175℃ | 1A | 8pF@4V,1MHz | ||
![]() | 1N1190 | 74.5200 | ![]() | 1097 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 大部分 | 的积极 | 柱螺安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 1N1190 | 标准 | DO-203AB (DO-5) | 下载 | 不符合RoHS标准 | REACH 不出行 | 1N1190MS | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 600伏 | 1.4V@110A | 600V时为10μA | -65℃~175℃ | 35A | - | |||
![]() | RS3JHR7G | - | ![]() | 7264 | 0.00000000 | 台积电 | 汽车,AEC-Q101 | 卷带式 (TR) | SIC停产 | 表面贴装 | DO-214AB、SMC | RS3J | 标准 | DO-214AB(SMC) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 600伏 | 1.3V@3A | 500纳秒 | 600V时为10μA | -55℃~150℃ | 3A | - | ||
![]() | S1KHE3/5AT | - | ![]() | 2922 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 表面贴装 | DO-214AC、SMA | S1K | 标准 | DO-214AC (SMA) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 800V | 1.1V@1A | 1.8微秒 | 800V时为5μA | -55℃~150℃ | 1A | 12pF@4V,1MHz | ||
![]() | S1A-13 | - | ![]() | 9446 | 0.00000000 | 分散公司 | - | 卷带式 (TR) | SIC停产 | 表面贴装 | DO-214AC、SMA | S1A | 标准 | SMA | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 50V | 1.1V@1A | 3微秒 | 5μA@50V | -65℃~150℃ | 1A | 10pF@4V,1MHz | ||
![]() | S504100TS | 158.8200 | ![]() | 8630 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 大部分 | 的积极 | 柱螺安装 | DO-205AB、DO-9、螺柱 | 标准 | DO-205AB (DO-9) | - | REACH 不出行 | 150-S504100TS | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1000伏 | 1.25V@1000A | 1000V时为75μA | -65℃~200℃ | 300A | - | |||||
![]() | NRVB0530T1G | 0.4100 | ![]() | 4222 | 0.00000000 | onsemi | 汽车,AEC-Q101 | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | SOD-123 | NRVB0530 | 肖特基 | SOD-123 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 30V | 430 毫伏 @ 500 毫安 | 30V时为130μA | -65℃~125℃ | 500毫安 | - | |||
![]() | SFE1D | 0.0933 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 德欧泰克半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-213AB,梅尔夫 | 标准 | 梅尔夫DO-213AB | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 2796-SFE1DTR | 8541.10.0000 | 5,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 200V | 1V@1A | 50纳秒 | 5μA@200V | -50℃~150℃ | 1A | - | ||||
| ME03EA06-TE12L | 0.4800 | ![]() | 第567章 | 0.00000000 | 京瓷AVX | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | SOD-128 | ME03 | 肖特基 | SOD-128 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 60V | 570毫伏 @ 3安 | 60V时为200μA | -55℃~150℃ | 3A | - | |||||
![]() | S1BB-13-G | - | ![]() | 9397 | 0.00000000 | 分散公司 | * | 卷带式 (TR) | 过时的 | - | 1(无限制) | REACH 不出行 | S1BB-13-GDI | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | |||||||||||||||
![]() | DSK10B-AT1 | - | ![]() | 2130 | 0.00000000 | onsemi | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 通孔 | 结合 | DSK10 | 标准 | - | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 100V | 1.1V@1A | 10μA@100V | 150℃(最高) | 1A | - | ||||
| MPG06G-E3/73 | 0.4200 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | - | 切带 (CT) | 的积极 | 通孔 | MPG06,团结 | 手脉06 | 标准 | 手脉06 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 400V | 1.1V@1A | 600纳秒 | 5μA@400V | -55℃~150℃ | 1A | 10pF@4V,1MHz | |||
![]() | 2A02G A0G | - | ![]() | 7630 | 0.00000000 | 台积电 | - | 胶带和盒子 (TB) | 的积极 | 通孔 | DO-204AC、DO-15、极性 | 2A02 | 标准 | DO-204AC (DO-15) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,500人 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 100V | 1.1V@2A | 100V时为5μA | -55℃~150℃ | 2A | 15pF @ 4V,1MHz | |||
![]() | BYT54D-TAP | 0.2673 | ![]() | 6526 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | - | 胶带和盒子 (TB) | 的积极 | 通孔 | SOD-57,肥胖 | BYT54 | 雪崩 | SOD-57 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 25,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 200V | 1.5V@1A | 100纳秒 | 5μA@200V | -55℃~175℃ | 1.25A | - | ||
![]() | SB330-B | - | ![]() | 1165 | 0.00000000 | 分散公司 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 通孔 | DO-201AD,缝合 | 肖特基 | DO-201AD | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH旅行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,200 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 30V | 500毫伏@3安 | 30V时为500μA | -65℃~125℃ | 3A | - | ||||
![]() | JANS1N5415/TR | 56.0100 | ![]() | 7347 | 0.00000000 | 微芯片 | 军事,MIL-PRF-19500/411 | 卷带式 (TR) | 的积极 | 通孔 | B、 结节 | 标准 | B、 结节 | 下载 | 符合ROHS3标准 | REACH 不出行 | 150-JANS1N5415/TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 50V | 1.5V@9A | 150纳秒 | 1μA@150V | -65℃~175℃ | 3A | - | |||
![]() | 1N4007-N-2-2-BP | - | ![]() | 2638 | 0.00000000 | 微商公司 | - | 胶带和盒子 (TB) | 过时的 | 通孔 | DO-204AL、DO-41、矫正 | 1N4007 | 标准 | DO-41 | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 1N4007-N-2-2-BPMS | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1000伏 | 1V@1A | 1000V时为5μA | -55℃~150℃ | 1A | 15pF @ 4V,1MHz | |||
![]() | PMEG100T50ELP-QX | 0.5900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 安世半导体美国公司 | 汽车,AEC-Q101 | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | SOD-128 | 肖特基 | SOD-128/CFP5 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 100V | 895毫伏@5安 | 12.5纳秒 | 100V时为1.75μA | 175℃ | 5A | 300pF@1V、1MHz | |||
![]() | ES1PB-M3/85A | 0.1594 | ![]() | 9573 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | eSMP® | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-220AA | ES1 | 标准 | DO-220AA(SMP) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 100V | 920毫伏@1安 | 25纳秒 | 100V时为5μA | -55℃~150℃ | 1A | 10pF@4V,1MHz | ||
![]() | SF33G R0G | - | ![]() | 7609 | 0.00000000 | 台积电 | - | 卷带式 (TR) | SIC停产 | 通孔 | DO-201AD,缝合 | SF33 | 标准 | DO-201AD | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,250人 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 150伏 | 950毫伏@3安 | 35纳秒 | 150V时为5μA | -55℃~150℃ | 3A | 80pF @ 4V,1MHz | ||
![]() | BYV98-50-TR | 0.5544 | ![]() | 5208 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 通孔 | SOD-64,肥胖 | BYV98 | 雪崩 | SOD-64 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 12,500 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 50V | 1.1V@5A | 35纳秒 | 50V时为10μA | -55℃~175℃ | 4A | - | ||
![]() | RF103L2STE25 | 0.4900 | ![]() | 83 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 卷带式 (TR) | 不适合新设计 | 表面贴装 | DO-214AC、SMA | 射频103 | 标准 | PMDS | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,500人 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 200V | 920毫伏@1安 | 20纳秒 | 10μA@200V | 150℃(最高) | 1A | - | ||
![]() | LSIC2SD120D10A | 7.4801 | ![]() | 5963 | 0.00000000 | 力特保险丝公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | -1024-LSIC2SD120D10ATR | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | ||||||||||||||
![]() | 1N1187 | 74.5200 | ![]() | 7589 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 大部分 | 的积极 | 柱螺安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 1N1187 | 标准 | DO-203AB (DO-5) | 下载 | 不符合RoHS标准 | REACH 不出行 | 1N1187MS | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 300伏 | 1.19V@90A | 10μA@300V | -65℃~200℃ | 40A | - | |||
| STPS20SM60ST | - | ![]() | 5093 | 0.00000000 | 意法半导体 | - | 管子 | 过时的 | 通孔 | TO-220-3 | STPS20 | 肖特基 | TO-220 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 60V | 630 毫伏 @ 20 安 | 60V时为85μA | 150℃(最高) | 20A | - | ||||
![]() | ACGRBT203-HF | 0.5200 | ![]() | 68 | 0.00000000 | 芯芯科技 | 汽车,AEC-Q101 | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | 2-SMD,无铅 | ACGRBT203 | 标准 | 2114/DO-214AA | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 600伏 | 1V@2A | 5μA@600V | -65℃~175℃ | 2A | 14pF@4V,1MHz | |||
![]() | R712 | 55.6500 | ![]() | 3860 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 大部分 | 的积极 | 通孔 | TO-204AA、TO-3 | R712 | 标准 | TO-204AA (TO-3) | 下载 | 不符合RoHS标准 | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 200V | 1.4V@15A | 200纳秒 | 1毫安@200伏 | -65℃~150℃ | 15A | - | |||
![]() | VS-80-7584 | - | ![]() | 1248 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | - | 大部分 | 最后一次购买 | 80-7584 | - | 112-VS-80-7584 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | 1N4002GPE-E3/91 | - | ![]() | 7604 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | 超级调整器® | 胶带和盒子 (TB) | 过时的 | 通孔 | DO-204AL、DO-41、矫正 | 1N4002 | 标准 | DO-204AL (DO-41) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,500人 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 100V | 1.1V@1A | 2微秒 | 100V时为5μA | -65℃~175℃ | 1A | 8pF@4V,1MHz | ||
![]() | SD125SB45B.T2 | 0.5334 | ![]() | 3663 | 0.00000000 | SMC分层解决方案 | - | 托盘 | 的积极 | 表面贴装 | 死 | SD125 | 肖特基 | 死 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH旅行 | EAR99 | 8541.10.0040 | 1,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 45V | 640 毫伏 @ 15 安 | 45V时为400μA | -55℃~175℃ | 15A | 800pF@5V、1MHz |

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