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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | R2130 | 33.4500 | ![]() | 6791 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 大部分 | 积极的 | - | 到达不受影响 | 150-R2130 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | R7010203XXUA | - | ![]() | 2213 | 0.00000000 | Powerex Inc. | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | DO-200AA,A-PUK | R7010203 | 标准,反极性 | DO-200AA,R62 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 200 v | 2.15 V @ 1500 A | 9 µs | 50 mA @ 200 V | -65°C 〜200°C | 300A | - | |||
![]() | SR010 | 0.0812 | ![]() | 3544 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | SR010 | 肖特基 | DO-204AL(DO-41) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 5,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 850 mv @ 500 mA | 100 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 500mA | 65pf @ 4V,1MHz | |||
![]() | DL4007-13 | - | ![]() | 5912 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | DL4007 | 标准 | 梅尔 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1000 v | 1.1 V @ 1 A | 5 µA @ 1000 V | -55°C〜150°C | 1a | 15pf @ 4V,1MHz | |||
![]() | 1N4007 | - | ![]() | 9371 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1N4007 | 标准 | do-41 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1000 v | 1.1 V @ 1 A | 2 µs | 5 µA @ 1000 V | -55°C〜150°C | 1a | - | ||
![]() | BZT52B47SQ | 0.0280 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjie技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 到达不受影响 | 4617-BZT52B47SQTR | Ear99 | 3,000 | ||||||||||||||||
![]() | STPS3L40S | 0.8500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | STPS3 | 肖特基 | SMC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 40 V | 500 mv @ 3 a | 100 µA @ 40 V | 150°C (最大) | 3a | - | |||
![]() | ES07D-GS08 | 0.4200 | ![]() | 24 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-219ab | ES07 | 标准 | DO-219AB(SMF) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 980 mv @ 1 a | 25 ns | 10 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | 500mA | 4pf @ 4V,50MHz | ||
![]() | SCHS7500 | - | ![]() | 1875年 | 0.00000000 | Semtech Corporation | - | 大部分 | 在sic中停产 | 通过洞 | 轴向 | 标准 | - | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 7500 v | 9.2 V @ 3 A | 2.5 µs | 1 µA @ 7500 V | -55°C〜150°C | 2a | - | ||||
![]() | FFSD0665A | 2.9000 | ![]() | 8124 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | FFSD0665 | SIC (碳化硅) | D-pak(TO-252) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.75 V @ 6 A | 0 ns | 200 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 11a | 361pf @ 1V,100kHz | ||
![]() | 1N1348BR | 38.3850 | ![]() | 5052 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-203AA,do-4,螺柱 | 标准 | DO-4(do-203AA) | 下载 | 到达不受影响 | 150-1N1348BR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 600 v | 1.3 V @ 30 A | 10 µA @ 600 V | -65°C 〜200°C | 16a | - | |||||
![]() | HSM1100G/TR13 | 1.7100 | ![]() | 3924 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | DO-215AA,SMB海鸥翼 | HSM1100 | 肖特基 | DO-215AA | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 840 mv @ 1 a | 100 µA @ 100 V | -55°C 〜175°C | 1a | - | |||
![]() | HS3D R6 | - | ![]() | 4151 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | 标准 | DO-214AB(SMC) | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1801-HS3DR6TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 1 V @ 3 A | 50 ns | 10 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | 3a | 80pf @ 4V,1MHz | ||
1月1N914 | 0.7200 | ![]() | 1285 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/116 | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N914 | 标准 | DO-35(do-204AH) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 75 v | 1.2 V @ 50 mA | 20 ns | 500 NA @ 75 V | -65°C〜150°C | 200mA | 2.8pf @ 1.5V,1MHz | |||
![]() | S1A-13 | - | ![]() | 9446 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | 表面安装 | do-214ac,SMA | S1A | 标准 | SMA | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 50 V | 1.1 V @ 1 A | 3 µs | 5 µA @ 50 V | -65°C〜150°C | 1a | 10pf @ 4V,1MHz | ||
![]() | 1N2129 | 74.5200 | ![]() | 6062 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 标准 | DO-5(do-203ab) | 下载 | 到达不受影响 | 150-1N2129 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 100 v | 1.25 V @ 200 A | 25 µA @ 100 V | -65°C 〜200°C | 70a | - | |||||
1N5811US/TR | 7.5800 | ![]() | 7550 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SQ-MELF,b | 1N5811 | 标准 | B,平方米 | 下载 | Rohs不合规 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 126 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 150 v | 875 mv @ 4 A | 30 ns | 5 µA @ 150 V | -65°C〜175°C | 3a | 60pf @ 10V,1MHz | |||
![]() | VS-85HFLR40S05 | 14.2353 | ![]() | 6278 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 85HFLR40 | 标准,反极性 | DO-203AB(DO-5) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 400 v | 1.75 V @ 266.9 A | 500 ns | 100 µA @ 400 V | -40°C〜125°C | 85a | - | ||
![]() | SK56A-LTP | 0.3600 | ![]() | 171 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-214ac,SMA | SK56 | 肖特基 | DO-214AC(SMA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 60 V | 750 MV @ 5 A | 1 mA @ 60 V | -55°C〜150°C | 5a | 200pf @ 4V,1MHz | |||
NUR460/L02,112 | - | ![]() | 9169 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 管子 | 过时的 | 通过洞 | DO-201 AD,轴向 | NUR460 | 标准 | Do-201 AD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.28 V @ 4 A | 65 ns | 50 µA @ 600 V | 150°C (最大) | 4a | - | |||
![]() | NHPJ15S600G | - | ![]() | 6935 | 0.00000000 | Onmi | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2完整包 | NHPJ15 | 标准 | TO-220-2完整包 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 3.2 V @ 15 A | 50 ns | 60 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 15a | - | ||
![]() | FR12BR05 | 6.8085 | ![]() | 7327 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203AA,do-4,螺柱 | 标准,反极性 | do-4 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | FR12BR05GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 800 mv @ 12 a | 500 ns | 25 µA @ 100 V | -65°C〜150°C | 12a | - | |||
![]() | AS3PJ-M3/87A | 0.2871 | ![]() | 8910 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | ESMP® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-277,3-PowerDfn | AS3 | 雪崩 | TO-277A(SMPC) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 6,500 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 600 v | 920 MV @ 1.5 A | 1.2 µs | 10 µA @ 600 V | -55°C 〜175°C | 2.1a | 37pf @ 4V,1MHz | ||
![]() | S8A | 0.2799 | ![]() | 7968 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | 标准 | SMC(do-214ab) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 供应商不确定 | 2796-S8ATR | 8541.10.0000 | 3,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 50 V | 980 mv @ 8 a | 1.5 µs | 10 µA @ 50 V | -50°C〜150°C | 8a | - | |||
![]() | SRA16100 C0G | - | ![]() | 2774 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 在sic中停产 | 通过洞 | TO-220-2 | SRA16100 | 肖特基 | TO-220AC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 920 MV @ 16 A | 100 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 16a | - | |||
![]() | 2A07-TP | - | ![]() | 8886 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 通过洞 | do-204ac,do-15,轴向 | 2A07 | 标准 | do-15 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 4,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1000 v | 1 V @ 2 A | 5 µA @ 1000 V | -55°C〜150°C | 2a | 20pf @ 4V,1MHz | ||||
![]() | HS183100 | - | ![]() | 3076 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 半粉 | 肖特基 | 半粉 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 910 MV @ 180 A | 5 ma @ 100 V | 180a | 4800pf @ 5V,1MHz | ||||||
![]() | S1A-13-G | - | ![]() | 1484 | 0.00000000 | 二极管合并 | * | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | S1A-13-GDI | Ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | |||||||||||||||
VS-1N1200A | 4.8800 | ![]() | 8220 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203AA,do-4,螺柱 | 1N1200 | 标准 | DO-203AA(DO-4) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 100 v | 1.35 V @ 12 A | 2.5 ma @ 100 V | -65°C 〜200°C | 12a | - | ||||
![]() | SD940-T | - | ![]() | 7068 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 通过洞 | DO-201 AD,轴向 | 肖特基 | Do-201 AD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1200 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 40 V | 480 mv @ 9 a | 800 µA @ 40 V | -65°C〜150°C | 9a | 900pf @ 4V,1MHz |
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