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![]() | 1N6701US/TR | 30.1200 | ![]() | 8998 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SQ-MELF,c | 肖特基 | D-5C | 100 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 30 V | 470 mv @ 5 a | 200 µA @ 30 V | -65°C〜125°C | 5a | - | |||
![]() | 1N5711UB/TR | 23.5500 | ![]() | 1878年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | 3-SMD,没有铅 | 肖特基 | UB | 100 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 50 V | 1 V @ 15 mA | 200 na @ 50 V | -65°C〜150°C | 33ma | 2pf @ 0v,1MHz |
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