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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | VX60120CHM3/p | 1.2656 | ![]() | 6817 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3 | 肖特基 | TO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 112-VX60120CHM3/p | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 120 v | 30a | 940 mv @ 30 a | 600 µA @ 120 V | -40°C〜150°C | ||||
![]() | MBRF300150R | - | ![]() | 8655 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | TO-244AB | MBRF3001 | 肖特基 | TO-244AB | - | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 150 v | 150a | 880 mv @ 150 A | 1 ma @ 150 V | -55°C〜150°C | |||||
![]() | MMBD4448HTS-7-F | 0.3500 | ![]() | 597 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOT-523 | MMBD4448 | 标准 | SOT-523 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对系列连接 | 80 V | 250mA | 1.25 V @ 150 mA | 4 ns | 100 NA @ 70 V | -65°C〜150°C | ||
![]() | FMX-22S | - | ![]() | 8363 | 0.00000000 | 桑肯 | - | 大部分 | 过时的 | 通过洞 | TO-220-3完整包 | 标准 | TO-220F-3 | - | Rohs符合条件 | (1 (无限) | FMX-22S DK | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 200 v | 10a | 980 mv @ 5 a | 30 ns | 100 µA @ 200 V | -40°C〜150°C | |||
![]() | VS-30CTQ100PBF | - | ![]() | 9431 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 在sic中停产 | 通过洞 | TO-220-3 | 30CTQ100 | 肖特基 | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 100 v | 15a | 860 mv @ 15 A | 550 µA @ 100 V | -55°C 〜175°C | |||
![]() | MURH860CT | - | ![]() | 6775 | 0.00000000 | Onmi | Megahertz™ | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-220-3 | Murh86 | 标准 | TO-220 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 600 v | 4a | 2.8 V @ 4 A | 35 ns | 10 µA @ 600 V | -65°C〜175°C | ||
![]() | MBR25100CT | - | ![]() | 5785 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 在sic中停产 | 通过洞 | TO-220-3 | MBR25100 | 肖特基 | TO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 100 v | 25a | 920 MV @ 25 A | 100 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | |||
BAS70W-06-7 | - | ![]() | 8215 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | BAS70 | 肖特基 | SOT-323 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对公共阳极 | 70 v | 70mA(dc) | 1 V @ 15 ma | 5 ns | 100 na @ 50 V | 150°C (最大) | |||
![]() | MBR40200pth-bp | 1.3560 | ![]() | 3092 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | TO-247-3 | MBR40200 | 肖特基 | TO-247-3 | 下载 | 353-MBr40200pth-bp | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 200 v | 40a | 900 mv @ 20 a | 50 µA @ 200 V | -55°C 〜175°C | |||||
![]() | DSS2X160-01A | - | ![]() | 7692 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 在sic中停产 | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | DSS2 | 肖特基 | SOT-227B | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 100 v | 160a | 980 mv @ 160 A | 4 mA @ 100 V | |||||
![]() | GIB2404-E3/81 | 0.9817 | ![]() | 9519 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | GIB2404 | 标准 | TO-263AB(D²Pak) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 200 v | 16a | 975 mv @ 8 a | 35 ns | 5 µA @ 200 V | -65°C〜150°C | ||
![]() | VS-MBRB2045CTPBF | - | ![]() | 9593 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 在sic中停产 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | MBRB20 | 肖特基 | TO-263AB(D²Pak) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 45 v | 10a | 570 mv @ 10 A | 100 µA @ 45 V | -65°C〜150°C | |||
![]() | STPS40L40CW | - | ![]() | 3923 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-247-3 | STPS40 | 肖特基 | TO-247-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 40 V | 20a | 530 mv @ 20 a | 800 µA @ 40 V | 150°C (最大) | |||
![]() | VBT1045CBP-E3/8W | 1.2400 | ![]() | 3492 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | TMBS® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | VBT1045 | 肖特基 | TO-263AB(D²Pak) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 45 v | 5a | 580 mv @ 5 a | 500 µA @ 45 V | 200°C (最大) | |||
![]() | 1SS181,LF | 0.2000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 1SS181 | 标准 | S-Mini | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对公共阳极 | 80 V | 100mA | 1.2 V @ 100 ma | 4 ns | 500 NA @ 80 V | 125°c (最大) | |||
![]() | FFPF10U30DNTU | - | ![]() | 2308 | 0.00000000 | Onmi | - | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-220-3完整包 | FFPF10 | 标准 | TO-220F-3 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 300 v | 10a | 1.2 V @ 10 A | 60 ns | 10 µA @ 300 V | -65°C〜150°C | |||
![]() | MSRT150140A | 38.5632 | ![]() | 8008 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 三个塔 | MSRT150 | 标准 | 三个塔 | - | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对普通阴极 | 1400 v | 150a | 1.2 V @ 150 A | 10 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | ||||
![]() | MBR30H30CTG | 1.9500 | ![]() | 225 | 0.00000000 | Onmi | SwitchMode™ | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3 | MBR30H30 | 肖特基 | TO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 30 V | 15a | 480 mv @ 15 A | 800 µA @ 30 V | -55°C〜150°C | |||
![]() | MBRF1045CT | 0.6500 | ![]() | 990 | 0.00000000 | SMC二极管解决方案 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | MBRF104 | 肖特基 | ITO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 45 v | - | 700 mv @ 5 a | 1 mA @ 45 V | -55°C〜150°C | |||
![]() | BAW56HE3-TP | 0.2700 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 微商业公司 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BAW56 | 标准 | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 353-BAW56HE3-TPTR | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 75 v | 250ma(dc) | 855 mv @ 100 ma | 4 ns | 2.5 µA @ 75 V | -55°C〜150°C | |
![]() | MBR3045CTE3/TU | - | ![]() | 6434 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3 | MBR3045 | 肖特基 | TO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 45 v | 15a | 700 MV @ 15 A | 50 µA @ 45 V | -65°C〜175°C | |||
![]() | MD60C16D1N | 17.8630 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Yangjie技术 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 模块 | 标准 | D1N | - | Rohs符合条件 | 到达不受影响 | 4617-MD60C16D1N | Ear99 | 10 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对系列连接 | 1600 v | 60a | 1.45 V @ 200 A | 5 ma @ 1600 V | -40°C〜150°C | |||||
![]() | NSDEMN11XV6T5 | - | ![]() | 6383 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | SOT-563,SOT-666 | NSDEMN11 | 标准 | SOT-563 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 8,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 2对普通阴极 | 80 V | 100mA(dc) | 1.2 V @ 100 ma | 4 ns | 100 NA @ 70 V | -55°C〜150°C | ||
![]() | IRKJ236/12 | - | ![]() | 2217 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | int-a-pak(3) | IRKJ236 | 标准 | 模块 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对公共阳极 | 1200 v | 230a | 20 ma @ 1200 V | |||||
![]() | 16CTQ100 | 1.2900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | SMC二极管解决方案 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3 | 16ctq | 肖特基 | TO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | 1655-1004 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 100 v | - | 750 MV @ 8 A | 550 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | ||
BAV74,215 | 0.1600 | ![]() | 155 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BAV74 | 标准 | TO-236AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 50 V | 215ma(dc) | 1 V @ 100 ma | 4 ns | 100 na @ 50 V | 150°C (最大) | |||
![]() | FRQS20A045 | 0.7500 | ![]() | 7445 | 0.00000000 | Kyocera avx | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3完整包 | 肖特基 | TO-220完整数 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | - | 45 v | 20a | 570 mv @ 20 a | 600 µA @ 45 V | -40°C〜150°C | ||||||
![]() | MBR12030CTR | 68.8455 | ![]() | 9899 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 双子塔 | MBR12030 | 肖特基 | 双子塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 1242-1052 | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 30 V | 120A(DC) | 650 mv @ 60 a | 3 ma @ 20 V | -55°C〜150°C | |||
![]() | SBRT40M80CTB-13 | 0.9272 | ![]() | 4757 | 0.00000000 | 二极管合并 | sbr | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | SBRT40 | 超级障碍 | TO-263 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对普通阴极 | 80 V | 20a | 720 mv @ 20 a | 65 µA @ 80 V | -55°C〜150°C | |||
![]() | MBR4035PT-E3/45 | 1.4972 | ![]() | 7719 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-3P-3,SC-65-3 | MBR4035 | 肖特基 | TO-247AD(TO-3P) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 35 v | 40a | 800 mv @ 40 a | 1 mA @ 35 V | -65°C〜150°C |
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