SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电流 -io(io)(每个二极管) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处
MUR30020CT GeneSiC Semiconductor MUR30020CT 118.4160
RFQ
ECAD 9157 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MUR30020 标准 双子塔 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) MUR30020CTGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 200 v 150a 1.3 V @ 100 A 90 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
SB3045PT_T0_00001 Panjit International Inc. SB3045PT_T0_00001 1.1600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Panjit International Inc. SB3020PT 管子 积极的 通过洞 TO-247-3 SB3045 肖特基 TO-247AD(TO-3P) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 3757-SB3045PT_T0_00001 Ear99 8541.10.0080 30 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 45 v 30a 550 mv @ 15 A 200 µA @ 45 V -55°C〜150°C
16CTT100 Vishay 16CTT100 1.1300
RFQ
ECAD 300 0.00000000 维沙 - 盒子 积极的 通过洞 TO-220-3 16ctt 肖特基 TO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 3845-16CTT100 Ear99 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 100 v 8a 720 MV @ 8 A 65 µA @ 100 V -55°C 〜175°C
G3S06512B Global Power Technology-GPT G3S06512B 6.6700
RFQ
ECAD 9433 0.00000000 全球电力技术-GPT - (CT) 积极的 通过洞 TO-247-3 SIC (碳化硅) TO-247AB 下载 (1 (无限) 根据要求获得可用的信息 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA(IO) 1对普通阴极 650 v 27A(DC) 1.7 V @ 6 A 0 ns 50 µA @ 650 V -55°C 〜175°C
MBR6045PTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR6045PTHC0G -
RFQ
ECAD 1870年 0.00000000 台湾半导体公司 汽车,AEC-Q101 管子 积极的 通过洞 TO-247-3 MBR6045 肖特基 TO-247AD(TO-3P) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 45 v 60a 820 mv @ 60 a 1 mA @ 45 V -55°C〜150°C
SBR20200CT SMC Diode Solutions SBR20200CT 0.3540
RFQ
ECAD 4645 0.00000000 SMC二极管解决方案 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 SBR20200 肖特基 TO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 SBR20200CTSMC Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 200 v - 950 MV @ 10 A 1 mA @ 200 V -55°C〜150°C
SB160-09R onsemi SB160-09R 0.5200
RFQ
ECAD 6064 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 通过洞 TO-3P-3 肖特基 下午3点 - 2156-SB160-09R 380 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 90 v 850 mv @ 3 a 50 ns 600 µA @ 45 V -55°C〜125°C
MBR20020CT GeneSiC Semiconductor MBR20020CT 90.1380
RFQ
ECAD 8286 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MBR20020 肖特基 双子塔 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) MBR20020CTGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 20 v 200a(DC) 650 MV @ 100 A 5 ma @ 20 V
SBL25L30CT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SBL25L30CT-E3/45 0.9697
RFQ
ECAD 6107 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 SBL25L30 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 30 V 12.5a 490 mv @ 12.5 A 900 µA @ 30 V -55°C〜150°C
BAS70-05-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAS70-05-G3-08 0.4100
RFQ
ECAD 29 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BAS70 肖特基 SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 小信号= <<200ma(io),任何速度 1对普通阴极 70 v 200mA 1 V @ 15 mA 5 ns 100 na @ 50 V 125°c (最大)
DSTB60100C Littelfuse Inc. DSTB60100C 3.3100
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Littelfuse Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB DSTB60100 肖特基 TO-263(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 800 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 100 v 30a 900 mv @ 30 a 1 mA @ 100 V -55°C〜150°C
161CNQ045 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 161CNQ045 -
RFQ
ECAD 6616 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-249AA 161CNQ 肖特基 TO-249AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 *161CNQ045 Ear99 8541.10.0080 10 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 45 v 80a 710 MV @ 80 A 5 ma @ 45 V -55°C 〜175°C
RURD620CCS9A-SB82215P onsemi RURD620CCS9A-SB82215P -
RFQ
ECAD 3962 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 雪崩 TO-252AA - rohs3符合条件 到达不受影响 488-RURD620CCS9A-SB82215PTR Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 200 v 6a 1 V @ 6 A 30 ns 100 µA @ 200 V -65°C〜175°C
VS-MBR3045WTPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-MBR3045WTPBF -
RFQ
ECAD 9437 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-247-3 MBR30 肖特基 TO-247AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 45 v 15a 760 mv @ 30 a 1 mA @ 45 V -65°C〜150°C
12CTQ035 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 12CTQ035 -
RFQ
ECAD 5307 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 12ctq 肖特基 TO-220-3 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 35 v 6a 600 mv @ 6 a 800 µA @ 35 V -55°C 〜175°C
BAV70-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. BAV70-AU_R1_000A1 0.1600
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Panjit International Inc. 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BAV70 标准 SOT-23 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 小信号= <<200ma(io),任何速度 1对普通阴极 75 v 150mA 1.25 V @ 150 mA 4 ns 2.5 µA @ 75 V -55°C〜150°C
VS-20CTQ045-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-20CTQ045-M3 1.7200
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 20CTQ045 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 45 v 20a 760 mv @ 20 a 2 ma @ 45 V -55°C 〜175°C
BAV170Q-13-F Diodes Incorporated BAV170Q-13-F 0.0286
RFQ
ECAD 10 0.00000000 二极管合并 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BAV170 标准 SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 31-BAV170Q-13-FTR Ear99 8541.10.0070 10,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1对普通阴极 85 v 215ma(dc) 1.25 V @ 150 mA 3 µs 5 na @ 75 V -65°C〜150°C
16CTQ150 SMC Diode Solutions 16CTQ150 0.6107
RFQ
ECAD 4781 0.00000000 SMC二极管解决方案 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 16ctq 肖特基 TO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 16CTQ150SMC Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 150 v 8a 800 mv @ 8 a 550 µA @ 150 V -55°C 〜175°C
MBR10150CDS Yangjie Technology MBR10150CD 0.2350
RFQ
ECAD 250 0.00000000 Yangjie技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 MBR10150 肖特基 TO-252 - Rohs符合条件 到达不受影响 4617-MBR10150CDSTR Ear99 2,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 150 v 10a 880 mv @ 5 a 100 µA @ 150 V -55°C 〜175°C
VS-MURB2020CTPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-MURB2020CTPBF -
RFQ
ECAD 1676年 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,Fredpt® 管子 在sic中停产 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB Murb2020 标准 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 200 v 10a 850 mv @ 8 a 35 ns 15 µA @ 200 V -65°C〜175°C
STPS30L60CR STMicroelectronics STPS30L60CR 2.6600
RFQ
ECAD 967 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 过时的 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA STPS30L60 肖特基 i2pak 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 60 V 15a 600 mv @ 15 A 480 µA @ 60 V 150°C (最大)
DPF80C200HB IXYS DPF80C200HB 7.9600
RFQ
ECAD 35 0.00000000 ixys Hiperfred²™ 管子 积极的 通过洞 TO-247-3 DPF80C200 标准 TO-247AD 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 30 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 200 v 40a 1.22 V @ 40 A 35 ns 1 µA @ 200 V -55°C〜150°C
FST6380M GeneSiC Semiconductor FST6380M -
RFQ
ECAD 9771 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 D61-3M 肖特基 D61-3M - (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 80 V 30a 840 mv @ 30 a 1 mA @ 80 V -55°C〜150°C
CDBV6-54T-G Comchip Technology CDBV6-54T-G 0.1238
RFQ
ECAD 8785 0.00000000 comchip技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 CDBV6-54 肖特基 SOT-363 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 小信号= <<200ma(io),任何速度 3独立 30 V 200ma(dc) 1 V @ 100 ma 5 ns 2 µA @ 25 V -65°C〜125°C
MD240K16D2 Yangjie Technology MD240K16D2 42.9488
RFQ
ECAD 800 0.00000000 Yangjie技术 - 大部分 积极的 底盘安装 模块 标准 D2 - Rohs符合条件 到达不受影响 4617-MD240K16D2 Ear99 8 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1对普通阴极 1600 v 240a 1.25 V @ 300 A 9 ma @ 1600 V -40°C〜150°C
MBRB30H60CT-1H onsemi MBRB30H60CT-1H -
RFQ
ECAD 3058 0.00000000 Onmi SwitchMode™ 大部分 过时的 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA MBRB30 肖特基 i2pak((TO-262) - rohs3符合条件 供应商不确定 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 60 V 15a 620 MV @ 15 A 300 µA @ 60 V -55°C 〜175°C
SF2001PTH Taiwan Semiconductor Corporation sf2001pth -
RFQ
ECAD 3380 0.00000000 台湾半导体公司 汽车,AEC-Q101 管子 积极的 通过洞 TO-247-3 SF2001 标准 TO-247AD(TO-3P) - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 1801-SF2001pth Ear99 8541.10.0080 900 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 50 V 20A(DC) 1.1 V @ 20 A 35 ns 10 µA @ 50 V -55°C〜150°C
BAS70-06,215 Nexperia USA Inc. BAS70-06,215 0.2500
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BAS70 肖特基 TO-236AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 小信号= <<200ma(io),任何速度 1对公共阳极 70 v 70mA(dc) 1 V @ 15 mA 10 µA @ 70 V 150°C (最大)
VBT1045C-E3/8W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VBT1045C-E3/8W 0.6001
RFQ
ECAD 4681 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB VBT1045 肖特基 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 800 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 45 v 5a 580 mv @ 5 a 500 µA @ 45 V -40°C〜150°C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库