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二极管阵列（（16722）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处
DSSK28-006BS-tub	-	RFQ	8600	ixys	-	管子	在sic中停产	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	DSSK28	肖特基	TO-263AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	60 V	15a	560 mv @ 15 A		10 mA @ 60 V	-55°C〜150°C
Murf30005	-	RFQ	5572	基因半导体	-	大部分	过时的	底盘安装	TO-244AB		标准	TO-244	-		（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	25	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	1对普通阴极	50 V	150a	1 V @ 150 A		25 µA @ 50 V	-55°C〜150°C
SR2020 C0G	-	RFQ	5593	台湾半导体公司	-	管子	积极的	通过洞	TO-220-3	SR2020	肖特基	TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	20 v	20a	550 mv @ 10 a		500 µA @ 20 V	-55°C〜125°C
SBR20A100CTE	1.1620	RFQ	1482	二极管合并	SBR®	管子	积极的	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	SBR20	超级障碍	TO-262	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	SBR20A100CTEDI	Ear99	8541.10.0080	50	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	1对普通阴极	100 v	10a	750 MV @ 10 A		100 µA @ 100 V	-65°C〜175°C
DNA90YC2200NA	37.1560	RFQ	6061	ixys	DNA90YC2200NA	管子	积极的	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	DNA90YC2200	标准	SOT-227B	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-DNA90YC2200NA	Ear99	8541.10.0080	10	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	2对普通阴极	2200 v	90a	1.7 V @ 90 A		100 µA @ 2200 V	-40°C〜150°C
MA3J741D0L	-	RFQ	3827	松下电子组件	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	表面安装	SC-85	MA3J741	肖特基	smini3-f1	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.10.0070	3,000	小信号= <<200ma（io），任何速度	1对公共阳极	30 V	30mA（DC）	1 V @ 30 mA	1 ns	1 µA @ 30 V	125°c （最大）
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GP1606HC0G	-	RFQ	2499	台湾半导体公司	汽车，AEC-Q101	管子	积极的	通过洞	TO-220-3	GP1606	标准	TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	1对普通阴极	800 v	16a	1.1 V @ 8 A		10 µA @ 800 V	-55°C〜150°C
Murb1620Ctrg	-	RFQ	9275	Onmi	SwitchMode™	管子	过时的	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	Murb1620	标准	d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对公共阳极	200 v	8a	1.2 V @ 8 A	85 ns	5 µA @ 200 V	-65°C〜175°C
ACDST6-4448TI-G	-	RFQ	3235	comchip技术	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的	表面安装	SOT-23-6	ACDST6	标准	SOT-23-6	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000	小信号= <<200ma（io），任何速度	3独立	75 v	100mA	1 V @ 100 ma	4 ns	25 na @ 20 V	-55°C〜150°C
IDW80C65D2XKSA1	3.7400	RFQ	55	Infineon技术	快速2	管子	积极的	通过洞	TO-247-3	IDW80C65	标准	pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	30	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	650 v	40a	2.2 V @ 40 A	36 NS	40 µA @ 650 V	-40°C〜175°C
TSD30H150CW	1.4064	RFQ	3664	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	TSD30		TO-263AB（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	800
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VS-MBR2045CT-1-M3	0.7724	RFQ	1345	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	管子	积极的	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	MBR2045	肖特基	TO-262AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	45 v	10a	840 mv @ 10 a		100 µA @ 45 V	-65°C〜150°C
BAT54A，215	0.1900	RFQ	377	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAT54	肖特基	TO-236AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000	小信号= <<200ma（io），任何速度	1对公共阳极	30 V	200ma（dc）	800 mv @ 100 ma	5 ns	2 µA @ 25 V	150°C （最大）
1SS423（te85l，f）	0.4400	RFQ	6	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	表面安装	SC-75，SOT-416	1SS423	肖特基	SSM	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.10.0070	3,000	小信号= <<200ma（io），任何速度	1对系列连接	40 V	100mA	620 MV @ 100 mA		5 µA @ 40 V	125°c （最大）
MURB1020CT-1	-	RFQ	4698	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	管子	过时的	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	Murb1020	标准	TO-262-3	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*MURB1020CT-1	Ear99	8541.10.0080	1,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	200 v	5a	990 mv @ 5 a	35 ns	10 µA @ 200 V	-
1SS306TE85LF	0.4400	RFQ	2	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	表面安装	SC-61AA	1SS306	标准	SC-61B	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.10.0070	3,000	小信号= <<200ma（io），任何速度	2独立	200 v	100mA	1.2 V @ 100 ma	60 ns	1 µA @ 200 V	125°c （最大）
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BAV99/DG/B3,235	-	RFQ	8804	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101，BAV99	胶带和卷轴（（tr）	过时的	表面安装		BAV99	标准		下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	934066187235	Ear99	8541.10.0070	10,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对系列连接	100 v	215ma（dc）	1.25 V @ 150 mA	4 ns	500 NA @ 80 V	150°C （最大）
V31M103C-M3/p	1.4900	RFQ	8571	Vishay通用半导体 -二极管部门	TMBS®	大部分	积极的	通过洞	TO-220-3	V31M103	肖特基	TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	112-V31M103C-M3/p			1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	100 v	15a	780 mv @ 15 A		400 µA @ 100 V	-40°C〜175°C
RBR10T60ANZC9	1.2600	RFQ	980	Rohm半导体	-	（CT）	积极的	通过洞	TO-220-3完整包	RBR10	肖特基	TO-220FN	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	60 V	5a	650 mv @ 5 a		200 µA @ 60 V	150°C
61CNQ040	15.3491	RFQ	1618年	SMC二极管解决方案	-	大部分	积极的	通过洞	PRM3	61CNQ	肖特基	PRM3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	61CNQ040SMC	Ear99	8541.10.0080	48	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	40 V	30a	680 mv @ 30 a		5 ma @ 40 V	-55°C 〜175°C
MBR1545CT	-	RFQ	8809	台湾半导体公司	-	管子	在sic中停产	通过洞	TO-220-3	MBR1545	肖特基	TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	45 v	15a	840 mv @ 15 A		500 µA @ 45 V	-55°C〜150°C
VS-20CTQ035SPBF	-	RFQ	2030	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	管子	在sic中停产	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	20CTQ035	肖特基	TO-263AB（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	35 v	20a	760 mv @ 20 a		2 ma @ 35 V	-55°C 〜175°C
SR3050PT	-	RFQ	3342	台湾半导体公司	-	管子	积极的	通过洞	TO-247-3	SR3050	肖特基	TO-247AD（TO-3P）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	1801-SR3050PT	Ear99	8541.10.0080	900	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	50 V	30A（DC）	700 MV @ 15 A		1 ma @ 50 V	-55°C〜150°C
stth2002cr	1.3700	RFQ	9743	Stmicroelectronics	-	管子	积极的	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	Stth2002	标准	i2pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	200 v	15a	1.1 V @ 10 A	27 NS	10 µA @ 200 V	175°c （最大）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管阵列（（16722）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²