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二极管阵列（（16722）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处
SRS1650HMNG	-	RFQ	5034	台湾半导体公司	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SRS1650	肖特基	TO-263AB（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	800	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	50 V	16a	700 mv @ 8 a		500 µA @ 50 V	-55°C〜150°C
NTE523	24.4300	RFQ	5	NTE Electronics，Inc	-	包	积极的	表面安装	模块		标准	模块	下载	Rohs不合规			2368-NTE523	Ear99	8541.10.0080	1	-	5系连接		-				-
BAW101-7	0.4000	RFQ	2	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	表面安装	TO-253-4，TO-253AA	BAW101	标准	SOT-143	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	2独立	300 v	250ma（dc）	1.1 V @ 100 mA	50 ns	150 NA @ 250 V	-65°C〜150°C
RB085T-90NZC9	1.3300	RFQ	88	Rohm半导体	-	管子	积极的	通过洞	TO-220-3完整包	RB085	肖特基	TO-220FN	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	90 v	10a	830 mv @ 5 a		150 µA @ 90 V	150°C （最大）
MUR20020CTR	101.6625	RFQ	6212	基因半导体	-	大部分	积极的	底盘安装	双子塔	MUR20020	标准	双子塔	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		MUR20020CTRGN	Ear99	8541.10.0080	40	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对公共阳极	200 v	100a	1.3 V @ 100 A	75 ns	25 µA @ 50 V	-55°C〜150°C
DD171N08KHPSA1	-	RFQ	2463	Infineon技术	DD171N	大部分	过时的	底盘安装	模块	DD171N08	标准	模块	下载		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	8	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	1对系列连接	800 v	171a	1.26 V @ 500 A		20 ma @ 800 V	150°C
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MUR40060CT	132.0780	RFQ	8806	基因半导体	-	大部分	积极的	底盘安装	双子塔	MUR40060	标准	双子塔	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		MUR40060CTGN	Ear99	8541.10.0080	40	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	600 v	200a	1.3 V @ 125 A	180 ns	25 µA @ 50 V	-55°C〜150°C
HFA120MD40C	-	RFQ	2659	Vishay通用半导体 -二极管部门	hexfred®	大部分	过时的	底盘安装	TO-244AB隔离选项卡	HFA120	标准	TO-244AB （孤立）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	*HFA120MD40C	Ear99	8541.10.0080	30	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	400 v	111A（DC）	1.2 V @ 60 A	140 ns	6 µA @ 400 V
NTE629	2.8600	RFQ	428	NTE Electronics，Inc	-	包	积极的	通过洞	TO-220-3		标准	TO-220	下载	Rohs不合规			2368-NTE629	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	2独立	200 v	8a	1.3 V @ 8 A	150 ns	10 µA @ 200 V	-65°C〜175°C
RB706F-40T106	0.4100	RFQ	14	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	表面安装	SC-70，SOT-323	RB706F-40	肖特基	UMD3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度	1对系列连接	40 V	30mA	370 mv @ 1 mA		1 µA @ 10 V	125°c （最大）
MMBD4448HSDW-TP	0.3900	RFQ	4	微商业公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	MMBD4448	标准	SOT-363	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	2对系列连接	80 V	250mA	1.25 V @ 150 mA	4 ns	100 NA @ 70 V	150°C （最大）
BAS70-04-G3-18	0.0629	RFQ	1356	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAS70	肖特基	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	10,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度	1对系列连接	70 v	200ma（dc）	1 V @ 15 mA	5 ns	100 na @ 50 V	125°c （最大）
BAW56-HE3-08	0.2300	RFQ	27	Vishay通用半导体 -二极管部门	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAW56	标准	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对公共阳极	70 v	250mA	1.25 V @ 150 mA	6 ns	2.5 ma @ 70 V	150°C （最大）
BAT54-04E6327	-	RFQ	2834	Infineon技术	-	大部分	积极的	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAT54	肖特基	PG-SOT23-3-3	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度	1对系列连接	30 V	200ma（dc）	800 mv @ 100 ma	5 ns	2 µA @ 25 V	150°C
MBRF10L100CTHC0G	-	RFQ	3641	台湾半导体公司	汽车，AEC-Q101	管子	积极的	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	MBRF10	肖特基	ITO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	100 v	10a	850 mv @ 10 A		20 ma @ 100 V	-55°C〜150°C
MBRF10100CTC0	-	RFQ	2876	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	MBRF10100	肖特基	ITO-220AB	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	100 v	10a	950 MV @ 10 A		100 µA @ 100 V	-55°C〜150°C
G5S12020B	-	RFQ	1876年	全球电力技术有限公司	-	大部分	积极的	通过洞	TO-247-3		SIC （碳化硅）	TO-247AB	-			供应商不确定	4436-G5S12020B			1	没有恢复t> 500mA（IO）	1对普通阴极	1200 v	33A（DC）	1.7 V @ 10 A	0 ns	50 µA @ 1200 V	-55°C 〜175°C
MBRF3045CTH	1.0110	RFQ	9529	台湾半导体公司	汽车，AEC-Q101	管子	积极的	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	MBRF3045	肖特基	ITO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	45 v	30a	820 mv @ 30 a		200 µA @ 45 V	-55°C〜150°C
MBR860DC_R2_00001	0.3456	RFQ	6604	Panjit International Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	MBR860	肖特基	TO-263	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	75,200	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	60 V	8a	750 MV @ 4 A		50 µA @ 60 V	-65°C〜175°C
MBR3090CT C0G	-	RFQ	1425	台湾半导体公司	-	管子	积极的	通过洞	TO-220-3	MBR3090	肖特基	TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	90 v	30a	940 mv @ 30 a		200 µA @ 90 V	-55°C〜150°C
STPS61170CWLY	2.7808	RFQ	6837	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101，Ecopack®2	管子	积极的	通过洞	TO-247-3	STPS61170	肖特基	TO-247长铅	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-STPS61170CWLY	Ear99	8541.10.0080	30	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	170 v	30a	840 mv @ 30 a		60 µA @ 170 V	175°c （最大）
VS-MBRB2090CTGTRRP	-	RFQ	5649	Vishay通用半导体 -二极管部门	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	MBRB20	肖特基	TO-263AB（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		VSMBRB2090CTGTRRP	Ear99	8541.10.0080	800	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	90 v	10a	800 mv @ 10 a		100 µA @ 90 V	-65°C〜150°C
MBRD1060CT	0.6100	RFQ	5	SMC二极管解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	MBRD1060	肖特基	DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	2,500	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	60 V	-	700 mv @ 5 a		1 mA @ 60 V	-55°C〜150°C
MBR10200FCT-BP	1.1000	RFQ	4	微商业公司	-	管子	积极的	通过洞	TO-220-3隔离选项卡	MBR10200	肖特基	ITO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	5,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	200 v	10a	920 MV @ 5 A		500 µA @ 200 V	-50°C〜150°C
VS-16CTQ060S-M3	0.9040	RFQ	8696	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	管子	积极的	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	16CTQ060	肖特基	TO-263AB（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	60 V	8a	720 MV @ 8 A		550 µA @ 60 V	-55°C 〜175°C
V40100PG-E3/45	-	RFQ	4109	Vishay通用半导体 -二极管部门	TMBS®	管子	过时的	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	V40100	肖特基	TO-247AD（TO-3P）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	750	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	100 v	20a	810 mv @ 20 a		500 µA @ 100 V	-40°C〜150°C
mbrp3010ntu	1.6100	RFQ	42	Onmi	-	管子	过时的	通过洞	TO-220-3	MBRP3010	肖特基	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	100 v	30a	1.05 V @ 30 A		1 mA @ 100 V	-65°C〜150°C
MBRT50040	-	RFQ	2727	基因半导体	-	大部分	过时的	底盘安装	三个塔		肖特基	三个塔	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		MBRT50040GN	Ear99	8541.10.0080	25	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	40 V	250a	750 MV @ 250 A		1 ma @ 20 V	-55°C〜150°C
MBRT12045	75.1110	RFQ	8752	基因半导体	-	大部分	积极的	底盘安装	三个塔		肖特基	三个塔	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		MBRT12045GN	Ear99	8541.10.0080	40	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	45 v	60a	750 mv @ 60 a		1 ma @ 20 V	-55°C〜150°C

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管阵列（（16722）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²