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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | PMEG6010CPA,115 | 0.4200 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | 3-Powerudfn | PMEG6010 | 肖特基 | 3-Huson(2x2) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 60 V | 1a | 540 mv @ 1 a | 40 ns | 100 µA @ 60 V | 150°C (最大) | ||
![]() | BYQ72EW-200Q | 1.1103 | ![]() | 7080 | 0.00000000 | Ween半导体 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-247-3 | BYQ72 | 标准 | TO-247-3 | 下载 | (1 (无限) | 934068567127 | Ear99 | 8541.10.0080 | 600 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 200 v | 15a | 900 mv @ 15 A | 25 ns | 20 µA @ 200 V | 150°C (最大) | |||
![]() | stth1002cg | - | ![]() | 2325 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 管子 | 过时的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | stth10 | 标准 | D2PAK | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 200 v | 8a | 1.1 V @ 5 A | 25 ns | 5 µA @ 200 V | 175°c (最大) | ||
![]() | 81CNQ040SMS2 | 17.3565 | ![]() | 2599 | 0.00000000 | SMC二极管解决方案 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | PRM2-SM | 81CNQ | 肖特基 | PRM2-SM | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 48 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 40 V | 80a | 740 mv @ 80 a | 5 ma @ 40 V | -55°C 〜175°C | |||
![]() | VF20150C-E3/4W | 1.9500 | ![]() | 895 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | TMBS® | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | VF20150 | 肖特基 | ITO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 150 v | 10a | 1.2 V @ 10 A | 150 µA @ 150 V | -55°C〜150°C | |||
![]() | MBR1035CT | - | ![]() | 9155 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3 | MBR1035 | 肖特基 | TO-220AB | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1801-MBR1035CT | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 35 v | 10A(DC) | 800 mv @ 10 a | 100 µA @ 35 V | -55°C〜150°C | ||
![]() | Murt20020 | 104.4930 | ![]() | 4592 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 三个塔 | 标准 | 三个塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Murt20020GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 200 v | 100a | 1.3 V @ 100 A | 75 ns | 25 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | |||
![]() | BAT54S-D87Z | - | ![]() | 8108 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BAT54 | 肖特基 | SOT-23-3 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对系列连接 | 30 V | 200mA | 800 mv @ 100 ma | 5 ns | 2 µA @ 25 V | -55°C〜150°C | |||
![]() | VS-6CWQ06FNTRLPBF | - | ![]() | 2537 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | 6CWQ06 | 肖特基 | D-pak(TO-252AA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 60 V | 3.5a | 610 MV @ 3 A | 2 ma @ 60 V | -40°C〜150°C | |||
![]() | MBRT600200R | 140.2020 | ![]() | 7606 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 三个塔 | MBRT600200 | 肖特基 | 三个塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 200 v | 300A | 920 MV @ 300 A | 1 mA @ 200 V | -55°C〜150°C | ||||
![]() | DH2X61-18A | 37.7600 | ![]() | 8980 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 积极的 | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | DH2X61 | 标准 | SOT-227B | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | DH2X6118A | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 2独立 | 1800 v | 60a | 2.01 V @ 60 A | 230 ns | 200 µA @ 1800 V | -40°C〜150°C | |
![]() | MBR2535CTG | 1.7000 | ![]() | 40 | 0.00000000 | Onmi | SwitchMode™ | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3 | MBR2535 | 肖特基 | TO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 35 v | 30a | 820 mv @ 30 a | 200 µA @ 35 V | -65°C〜175°C | |||
![]() | MBRB30200CTH-TP | 0.9667 | ![]() | 1738年 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | MBRB30200 | 肖特基 | D2PAK | 下载 | 353-MBRB30200CTH-TP | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 200 v | 30a | 900 mv @ 15 A | 10 µA @ 200 V | -55°C 〜175°C | |||||
![]() | RF1601NS2DTL | 1.7400 | ![]() | 987 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | RF1601 | 标准 | LPD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 200 v | 16a | 930 MV @ 8 A | 30 ns | 10 µA @ 200 V | 150°C (最大) | ||
![]() | VS-61CTQ035PBF | - | ![]() | 3792 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 在sic中停产 | 通过洞 | TO-220-3 | 61CTQ035 | 肖特基 | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | VS61CTQ035PBF | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 35 v | 30a | 610 MV @ 30 A | 1 mA @ 35 V | -65°C〜175°C | ||
![]() | NRVBD650CTG | - | ![]() | 1522 | 0.00000000 | Onmi | 汽车,AEC-Q101,SwitchMode™ | 管子 | 过时的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | NRVBD650 | 肖特基 | DPAK | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 488-NRVBD650CTG | Ear99 | 8541.10.0080 | 75 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 50 V | 3a | 700 mv @ 3 a | 100 µA @ 50 V | -65°C〜175°C | ||
![]() | VS-20CWT10TRRHE3 | - | ![]() | 1562 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 过时的 | 20cwt10 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||
![]() | FFPF15U20DPTU | - | ![]() | 2187 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-220-3完整包 | 标准 | TO-220F-3 | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 200 v | 15a | 1.2 V @ 15 A | 40 ns | 15 µA @ 200 V | -65°C〜150°C | |||||
![]() | JANTXV1N5711UBD/TR | 120.7350 | ![]() | 7207 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/444 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | 3-SMD,没有铅 | 肖特基 | UB | - | 150-JANTXV1N5711UBD/TR | 100 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对系列连接 | 50 V | 1 V @ 15 mA | 200 na @ 50 V | -65°C〜150°C | |||||||||
![]() | 12CTQ035 | - | ![]() | 5307 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-220-3 | 12ctq | 肖特基 | TO-220-3 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 35 v | 6a | 600 mv @ 6 a | 800 µA @ 35 V | -55°C 〜175°C | |||
![]() | MBRF10100CTU | 0.2574 | ![]() | 4140 | 0.00000000 | SMC二极管解决方案 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3 | MBRF1010 | 肖特基 | ITO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | MBRF10100CTUSMC | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 100 v | 10a | 820 mv @ 5 a | 1 mA @ 100 V | -55°C〜150°C | ||
![]() | BAW56LT1 | - | ![]() | 6679 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BAW56 | 标准 | SOT-23-3(TO-236) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对公共阳极 | 70 v | 200ma(dc) | 1.25 V @ 150 mA | 6 ns | 2.5 µA @ 70 V | -55°C〜150°C | ||
![]() | MDA72-14N1B | - | ![]() | 2473 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 积极的 | 底盘安装 | TO-240AA | MDA72 | 标准 | TO-240AA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 18 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对公共阳极 | 1400 v | 113a | 1.6 V @ 300 A | 15 ma @ 1400 V | -40°C〜150°C | |||
![]() | V30DM150C-M3/i | 1.5400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | ESMP®,TMBS® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2 + TAB) | V30DM150 | 肖特基 | TO-263AC(SMPD) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 150 v | 15a | 1.3 V @ 15 A | 200 µA @ 150 V | -40°C〜175°C | |||
![]() | BYV415K-600PQ | 2.5100 | ![]() | 900 | 0.00000000 | Ween半导体 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-3P-3,SC-65-3 | BYV415 | 标准 | to-3p | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 600 v | 15a | 2.1 V @ 15 A | 45 ns | 10 µA @ 600 V | -65°C〜175°C | |||
![]() | 20CJQ045 | - | ![]() | 9897 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 过时的 | 表面安装 | TO-261-4,TO-261AA | 20cjq | 肖特基 | SOT-223 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 4,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 45 v | 1a | 540 mv @ 1 a | 100 µA @ 45 V | -55°C〜150°C | |||
![]() | MBRBL3045CT-TP | 0.8286 | ![]() | 8474 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | MBRBL3045 | 肖特基 | D2PAK | 下载 | 353-MBRBL3045CT-TP | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 45 v | 30a | 530 mv @ 15 A | 50 µA @ 45 V | -55°C〜150°C | |||||
![]() | MEK350-02DA | 73.7400 | ![]() | 547 | 0.00000000 | ixys | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | Y4-M6 | MEK350 | 标准 | Y4-M6 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 6 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 200 v | 356a | 1.07 V @ 260 A | 200 ns | 3 ma @ 200 V | -40°C〜150°C | ||
![]() | BYV32-50-E3/45 | 0.8197 | ![]() | 5030 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3 | Byv32 | 标准 | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 50 V | 18a | 1.15 V @ 20 A | 25 ns | 10 µA @ 50 V | -65°C〜150°C | ||
![]() | SDT20A60VCTFP | 0.7108 | ![]() | 4403 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | SDT20 | 肖特基 | ITO-220AB | 下载 | 到达不受影响 | 31-SDT20A60VCTFP | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 60 V | 10a | 570 mv @ 10 A | 200 µA @ 60 V | -55°C〜150°C |
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