SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电流 -io(io)(每个二极管) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处
MBRL3045FCT Yangjie Technology MBRL3045FCT 0.4910
RFQ
ECAD 100 0.00000000 Yangjie技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 肖特基 ITO-220AB - Rohs符合条件 到达不受影响 4617-MBRL3045FCTTR Ear99 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 45 v 30a 550 mv @ 15 A 100 µA @ 45 V -55°C〜150°C
SRF2030 C0G Taiwan Semiconductor Corporation SRF2030 C0G -
RFQ
ECAD 4162 0.00000000 台湾半导体公司 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 SRF2030 肖特基 ITO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 30 V 20a 550 mv @ 10 a 500 µA @ 30 V -55°C〜125°C
BAS70-06W-QX Nexperia USA Inc. BAS70-06W-QX 0.0588
RFQ
ECAD 5193 0.00000000 Nexperia USA Inc. 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SC-70,SOT-323 BAS70 肖特基 SOT-323 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 1727-BAS70-06W-QXTR Ear99 8541.10.0070 3,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 1对公共阳极 70 v 70mA 1 V @ 15 mA 10 µA @ 70 V 150°C
RF2001T3DNZC9 Rohm Semiconductor RF2001T3DNZC9 1.5800
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-3完整包 RF2001 标准 TO-220FN 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 846-RF2001T3DNZC9 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 300 v 20a 1.3 V @ 10 A 25 ns 10 µA @ 300 V 150°C
HSM126S-JTR-E Renesas Electronics America Inc HSM126S-JTR-E 1.0000
RFQ
ECAD 2262 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 大部分 积极的 - 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.10.0070 3,000
MMBD3004CA RFG Taiwan Semiconductor Corporation MMBD3004CA RFG 0.3700
RFQ
ECAD 6845 0.00000000 台湾半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MMBD3004 标准 SOT-23 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对公共阳极 350 v 225mA 1.25 V @ 200 ma 50 ns 100 NA @ 350 V -65°C〜150°C
VS-30CTQ080PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-30CTQ080PBF -
RFQ
ECAD 8813 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 在sic中停产 通过洞 TO-220-3 30CTQ080 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 80 V 15a 860 mv @ 15 A 550 µA @ 80 V -55°C 〜175°C
BAV70 MDD BAV70 0.0645
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ECAD 249 0.00000000 MDD SOT-23 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BAV70 标准 SOT-23 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 3372-BAV70TR Ear99 8542.39.0001 12,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 1对系列连接 70 v 250mA 1 V @ 50 mA 6 ns 2.5 µA @ 70 V -55°C〜125°C
MBRT40035R GeneSiC Semiconductor MBRT40035R 118.4160
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ECAD 4022 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MBRT40035 肖特基,反极性 三个塔 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) 1242-1100 Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对公共阳极 35 v 200a 750 MV @ 200 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
SDUR3030WT SMC Diode Solutions SDUR3030WT 0.9384
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ECAD 2282 0.00000000 SMC二极管解决方案 - 管子 积极的 通过洞 TO-247-3 SDUR3030 标准 TO-247AD 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 SDUR3030WTSMC Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 300 v 15a 1.25 V @ 10 A 45 ns 5 µA @ 300 V -55°C〜150°C
BAV70DW_R1_00001 Panjit International Inc. BAV70DW_R1_00001 0.3800
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Panjit International Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 BAV70 标准 SOT-363 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 3757-BAV70DW_R1_00001CT Ear99 8541.10.0070 3,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 2对普通阴极 75 v 150mA 1.25 V @ 150 mA 4 ns 2.5 µA @ 75 V -55°C〜150°C
VS-MBR2080CTPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-MBR2080CTPBF -
RFQ
ECAD 9264 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 在sic中停产 通过洞 TO-220-3 MBR20 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 80 V 10a 800 mv @ 10 a 100 µA @ 80 V -65°C〜150°C
LQA30T150C Power Integrations LQA30T150C 1.3400
RFQ
ECAD 1282 0.00000000 电源集成 QSPEED™ 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 LQA30 标准 TO-220AB 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 150 v 15a 1.2 V @ 15 A 16.3 ns 500 µA @ 150 V -55°C〜150°C
MBD4448HCDW REG Taiwan Semiconductor Corporation MBD4448HCDW REG -
RFQ
ECAD 6413 0.00000000 台湾半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 标准 SOT-363 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 1801-MBD444448HCDWREGTR Ear99 8541.10.0070 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 2对普通阴极 57 v 250mA 1.25 V @ 150 mA 4 ns 100 NA @ 70 V -55°C〜150°C
MBR500200CT GeneSiC Semiconductor MBR500200CT -
RFQ
ECAD 2566 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 双子塔 肖特基 双子塔 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 200 v 250a 920 MV @ 250 A 3 ma @ 200 V -55°C〜150°C
MBR30200WT SMC Diode Solutions MBR30200WT 1.9100
RFQ
ECAD 134 0.00000000 SMC二极管解决方案 - 管子 积极的 通过洞 TO-247-3 MBR30200 肖特基 TO-247AD 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 200 v - 900 mv @ 15 A 1 mA @ 200 V -55°C〜150°C
RBQ10BM45ATL Rohm Semiconductor RBQ10BM45ATL 0.5250
RFQ
ECAD 9510 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 RBQ10 肖特基 TO-252 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 45 v 10a 650 mv @ 5 a 150 µA @ 45 V 150°C (最大)
MBRF3030CT SMC Diode Solutions MBRF3030CT 0.9000
RFQ
ECAD 934 0.00000000 SMC二极管解决方案 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 MBRF3030 肖特基 ITO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 30 V - 840 mv @ 15 A 1 ma @ 30 V -55°C〜150°C
MBRF3060CT Littelfuse Inc. MBRF3060CT 2.3300
RFQ
ECAD 841 0.00000000 Littelfuse Inc. MBR 管子 积极的 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 MBRF3060 肖特基 ITO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 60 V 15a 700 MV @ 15 A 1 mA @ 60 V -55°C〜150°C
UH4PCCHM3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division UH4PCCHM3/86A -
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ECAD 2578 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 ESMP® 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 表面安装 TO-277,3-PowerDfn UH4 标准 TO-277A(SMPC) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 150 v 2a 1.05 V @ 2 A 25 ns 5 µA @ 150 V -55°C 〜175°C
SDURB3020CT SMC Diode Solutions SDURB3020CT 0.6132
RFQ
ECAD 7878 0.00000000 SMC二极管解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB Sdurb3020 标准 D2PAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 800 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 200 v 15a 1.05 V @ 15 A 35 ns 10 µA @ 200 V -55°C〜150°C
301CNQ040 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 301CNQ040 -
RFQ
ECAD 4769 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 301CNQ 肖特基 TO-244AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 *301CNQ040 Ear99 8541.10.0080 30 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 40 V 300A 900 MV @ 300 A 10 mA @ 40 V -55°C 〜175°C
VS-32CTQ030-1HM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-32CTQ030-1HM3 1.2553
RFQ
ECAD 7545 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 积极的 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA 32CTQ030 肖特基 TO-262-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 30 V 15a 490 mv @ 15 A 1.75 ma @ 30 V -55°C〜150°C
MURTA30060R GeneSiC Semiconductor Murta30060r 159.9075
RFQ
ECAD 3583 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 Murta30060 标准 三个塔 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 24 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1对公共阳极 600 v 150a 1.7 V @ 150 A 25 µA @ 600 V -55°C〜150°C
MBR20H90CTG-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR20H90CTG-E3/45 -
RFQ
ECAD 3969 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 MBR20 肖特基 TO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 90 v 10a 850 mv @ 10 A 3.5 µA @ 100 V -65°C〜175°C
1PS226,115 NXP USA Inc. 1PS226,115 -
RFQ
ECAD 1712 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 1PS22 标准 SMT3; mpak 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 15,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对系列连接 80 V 215ma(dc) 1.2 V @ 100 ma 4 ns 500 NA @ 80 V 150°C (最大)
BAW101-7 Diodes Incorporated BAW101-7 0.4000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-253-4,TO-253AA BAW101 标准 SOT-143 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 2独立 300 v 250ma(dc) 1.1 V @ 100 mA 50 ns 150 NA @ 250 V -65°C〜150°C
BAS28WE6327BTSA1 Infineon Technologies BAS28WE6327BTSA1 -
RFQ
ECAD 4369 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 SC-82A,SOT-343 BAS28 标准 PG-SOT343-3D 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 2独立 80 V 200ma(dc) 1.25 V @ 150 mA 4 ns 100 na @ 75 V 150°C (最大)
HSB226STL-E Renesas Electronics America Inc HSB226STL-E 0.2200
RFQ
ECAD 32 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 大部分 积极的 - 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.10.0070 3,000
VS-32CTQ030PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-32CTQ030PBF -
RFQ
ECAD 7159 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 在sic中停产 通过洞 TO-220-3 32CTQ030 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 30 V 15a 490 mv @ 15 A 1.75 ma @ 30 V -55°C〜150°C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库