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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MBRL3045FCT | 0.4910 | ![]() | 100 | 0.00000000 | Yangjie技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | 肖特基 | ITO-220AB | - | Rohs符合条件 | 到达不受影响 | 4617-MBRL3045FCTTR | Ear99 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 45 v | 30a | 550 mv @ 15 A | 100 µA @ 45 V | -55°C〜150°C | |||||
![]() | SRF2030 C0G | - | ![]() | 4162 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | SRF2030 | 肖特基 | ITO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 30 V | 20a | 550 mv @ 10 a | 500 µA @ 30 V | -55°C〜125°C | |||
![]() | BAS70-06W-QX | 0.0588 | ![]() | 5193 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | BAS70 | 肖特基 | SOT-323 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1727-BAS70-06W-QXTR | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对公共阳极 | 70 v | 70mA | 1 V @ 15 mA | 10 µA @ 70 V | 150°C | |||
![]() | RF2001T3DNZC9 | 1.5800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3完整包 | RF2001 | 标准 | TO-220FN | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-RF2001T3DNZC9 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 300 v | 20a | 1.3 V @ 10 A | 25 ns | 10 µA @ 300 V | 150°C | |
![]() | HSM126S-JTR-E | 1.0000 | ![]() | 2262 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | |||||||||||||||
![]() | MMBD3004CA RFG | 0.3700 | ![]() | 6845 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MMBD3004 | 标准 | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 350 v | 225mA | 1.25 V @ 200 ma | 50 ns | 100 NA @ 350 V | -65°C〜150°C | ||
![]() | VS-30CTQ080PBF | - | ![]() | 8813 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 在sic中停产 | 通过洞 | TO-220-3 | 30CTQ080 | 肖特基 | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 80 V | 15a | 860 mv @ 15 A | 550 µA @ 80 V | -55°C 〜175°C | |||
![]() | BAV70 | 0.0645 | ![]() | 249 | 0.00000000 | MDD | SOT-23 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BAV70 | 标准 | SOT-23 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 3372-BAV70TR | Ear99 | 8542.39.0001 | 12,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对系列连接 | 70 v | 250mA | 1 V @ 50 mA | 6 ns | 2.5 µA @ 70 V | -55°C〜125°C | |
![]() | MBRT40035R | 118.4160 | ![]() | 4022 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 三个塔 | MBRT40035 | 肖特基,反极性 | 三个塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 1242-1100 | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 35 v | 200a | 750 MV @ 200 A | 1 ma @ 20 V | -55°C〜150°C | |||
![]() | SDUR3030WT | 0.9384 | ![]() | 2282 | 0.00000000 | SMC二极管解决方案 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-247-3 | SDUR3030 | 标准 | TO-247AD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | SDUR3030WTSMC | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 300 v | 15a | 1.25 V @ 10 A | 45 ns | 5 µA @ 300 V | -55°C〜150°C | |
![]() | BAV70DW_R1_00001 | 0.3800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | BAV70 | 标准 | SOT-363 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 3757-BAV70DW_R1_00001CT | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 2对普通阴极 | 75 v | 150mA | 1.25 V @ 150 mA | 4 ns | 2.5 µA @ 75 V | -55°C〜150°C | |
![]() | VS-MBR2080CTPBF | - | ![]() | 9264 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 在sic中停产 | 通过洞 | TO-220-3 | MBR20 | 肖特基 | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 80 V | 10a | 800 mv @ 10 a | 100 µA @ 80 V | -65°C〜150°C | |||
![]() | LQA30T150C | 1.3400 | ![]() | 1282 | 0.00000000 | 电源集成 | QSPEED™ | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3 | LQA30 | 标准 | TO-220AB | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 150 v | 15a | 1.2 V @ 15 A | 16.3 ns | 500 µA @ 150 V | -55°C〜150°C | ||
![]() | MBD4448HCDW REG | - | ![]() | 6413 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | 标准 | SOT-363 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1801-MBD444448HCDWREGTR | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 2对普通阴极 | 57 v | 250mA | 1.25 V @ 150 mA | 4 ns | 100 NA @ 70 V | -55°C〜150°C | ||
![]() | MBR500200CT | - | ![]() | 2566 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 双子塔 | 肖特基 | 双子塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 200 v | 250a | 920 MV @ 250 A | 3 ma @ 200 V | -55°C〜150°C | |||||
![]() | MBR30200WT | 1.9100 | ![]() | 134 | 0.00000000 | SMC二极管解决方案 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-247-3 | MBR30200 | 肖特基 | TO-247AD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 200 v | - | 900 mv @ 15 A | 1 mA @ 200 V | -55°C〜150°C | |||
![]() | RBQ10BM45ATL | 0.5250 | ![]() | 9510 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | RBQ10 | 肖特基 | TO-252 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 45 v | 10a | 650 mv @ 5 a | 150 µA @ 45 V | 150°C (最大) | |||
![]() | MBRF3030CT | 0.9000 | ![]() | 934 | 0.00000000 | SMC二极管解决方案 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | MBRF3030 | 肖特基 | ITO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 30 V | - | 840 mv @ 15 A | 1 ma @ 30 V | -55°C〜150°C | |||
![]() | MBRF3060CT | 2.3300 | ![]() | 841 | 0.00000000 | Littelfuse Inc. | MBR | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | MBRF3060 | 肖特基 | ITO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 60 V | 15a | 700 MV @ 15 A | 1 mA @ 60 V | -55°C〜150°C | |||
![]() | UH4PCCHM3/86A | - | ![]() | 2578 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | ESMP® | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | 表面安装 | TO-277,3-PowerDfn | UH4 | 标准 | TO-277A(SMPC) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 150 v | 2a | 1.05 V @ 2 A | 25 ns | 5 µA @ 150 V | -55°C 〜175°C | ||
![]() | SDURB3020CT | 0.6132 | ![]() | 7878 | 0.00000000 | SMC二极管解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | Sdurb3020 | 标准 | D2PAK | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 200 v | 15a | 1.05 V @ 15 A | 35 ns | 10 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | ||
301CNQ040 | - | ![]() | 4769 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | TO-244AB | 301CNQ | 肖特基 | TO-244AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | *301CNQ040 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 40 V | 300A | 900 MV @ 300 A | 10 mA @ 40 V | -55°C 〜175°C | |||
![]() | VS-32CTQ030-1HM3 | 1.2553 | ![]() | 7545 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA | 32CTQ030 | 肖特基 | TO-262-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 30 V | 15a | 490 mv @ 15 A | 1.75 ma @ 30 V | -55°C〜150°C | |||
![]() | Murta30060r | 159.9075 | ![]() | 3583 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 三个塔 | Murta30060 | 标准 | 三个塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 24 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对公共阳极 | 600 v | 150a | 1.7 V @ 150 A | 25 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | ||||
![]() | MBR20H90CTG-E3/45 | - | ![]() | 3969 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-220-3 | MBR20 | 肖特基 | TO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 90 v | 10a | 850 mv @ 10 A | 3.5 µA @ 100 V | -65°C〜175°C | |||
![]() | 1PS226,115 | - | ![]() | 1712 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 1PS22 | 标准 | SMT3; mpak | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 15,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对系列连接 | 80 V | 215ma(dc) | 1.2 V @ 100 ma | 4 ns | 500 NA @ 80 V | 150°C (最大) | ||
![]() | BAW101-7 | 0.4000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-253-4,TO-253AA | BAW101 | 标准 | SOT-143 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 2独立 | 300 v | 250ma(dc) | 1.1 V @ 100 mA | 50 ns | 150 NA @ 250 V | -65°C〜150°C | ||
![]() | BAS28WE6327BTSA1 | - | ![]() | 4369 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | SC-82A,SOT-343 | BAS28 | 标准 | PG-SOT343-3D | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 2独立 | 80 V | 200ma(dc) | 1.25 V @ 150 mA | 4 ns | 100 na @ 75 V | 150°C (最大) | |||
![]() | HSB226STL-E | 0.2200 | ![]() | 32 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | |||||||||||||||
![]() | VS-32CTQ030PBF | - | ![]() | 7159 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 在sic中停产 | 通过洞 | TO-220-3 | 32CTQ030 | 肖特基 | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 30 V | 15a | 490 mv @ 15 A | 1.75 ma @ 30 V | -55°C〜150°C |
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