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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | VSKJ320-04 | - | ![]() | 9479 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 3-magn-a-pak™ | VSKJ320 | 标准 | Magn-A-Pak® | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对公共阳极 | 400 v | 320a | 50 ma @ 400 V | |||||
![]() | GHXS100B065S-D3 | 47.0100 | ![]() | 6856 | 0.00000000 | semiq | - | 管子 | 积极的 | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | GHXS100 | SIC (碳化硅) | SOT-227 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | 1560-GHXS100B065S-D3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 2独立 | 650 v | 193a(DC) | 1.65 V @ 100 A | 0 ns | 250 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | |
![]() | SBE808-TL-W | - | ![]() | 7974 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | 6-SMD(5条线),平坦的铅 | SBE808 | 肖特基 | 5-MCPH | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 2独立 | 15 v | 1a | 540 mv @ 1 a | 10 ns | 3 µA @ 6 V | -55°C〜150°C | ||
![]() | BAV70E6767 | 0.0200 | ![]() | 96 | 0.00000000 | Infineon技术 | 汽车,AEC-Q101 | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BAV70 | 标准 | 下载 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对普通阴极 | 80 V | 200ma(dc) | 1.25 V @ 150 mA | 4 ns | 150 na @ 70 V | 150°C | ||||||
![]() | 1PS59SB16,115 | - | ![]() | 3213 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 1PS59 | 肖特基 | SMT3; mpak | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对公共阳极 | 30 V | 200ma(dc) | 800 mv @ 100 ma | 5 ns | 2 µA @ 25 V | 125°c (最大) | ||
![]() | IRKC166/16 | - | ![]() | 8672 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | int-a-pak(3) | IRKC166 | 标准 | 模块 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | *IRKC166/16 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对普通阴极 | 1600 v | 165a | 20 ma @ 1600 V | ||||
![]() | STPS660CB-Tr | - | ![]() | 1844年 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | STPS66 | 肖特基 | DPAK | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 60 V | 3a | 650 mv @ 3 a | 30 µA @ 60 V | 125°c (最大) | |||
![]() | MDMA50P1200TG | 23.7219 | ![]() | 3622 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 积极的 | 底盘安装 | TO-240AA | MDMA50 | 标准 | TO-240AA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 36 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对系列连接 | 1200 v | 50a | 1.18 V @ 50 A | 100 µA @ 1200 V | -40°C〜150°C | |||
![]() | TRS12N65FB,S1F(s | - | ![]() | 3099 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-247-3 | TRS12N65 | SIC (碳化硅) | TO-247 | - | Rohs符合条件 | (1 (无限) | trs12n65fbs1f(s | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1对普通阴极 | 650 v | 6A(DC) | 1.7 V @ 6 A | 0 ns | 90 µA @ 650 V | 175°c (最大) | ||
![]() | V6KL45DU-M3/i | 0.5400 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | 8-POWERTDFN | V6KL45 | 肖特基 | Flatpak 5x6 (双) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 6,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 2独立 | 45 v | 6a | 540 mv @ 3 a | 450 µA @ 45 V | -40°C〜150°C | |||
DSSK40-008B | - | ![]() | 9381 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 在sic中停产 | 通过洞 | TO-247-3 | DSSK40 | 肖特基 | TO-247AD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 80 V | 20a | 580 mv @ 20 a | 20 ma @ 80 V | -55°C〜150°C | ||||
![]() | VS-MBRD660CTPBF | - | ![]() | 2772 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 过时的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | MBRD6 | 肖特基 | D-pak(TO-252AA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 75 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 60 V | 3a | 650 mv @ 3 a | 100 µA @ 60 V | -40°C〜150°C | |||
![]() | MBRF500200 | - | ![]() | 8829 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | TO-244AB | 肖特基 | TO-244AB | - | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 200 v | 250a | 920 MV @ 250 A | 1 mA @ 200 V | -55°C〜150°C | ||||||
![]() | DLA5P800UC-TRL | 1.4859 | ![]() | 2878 | 0.00000000 | ixys | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | DLA5 | 标准 | TO-252AA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对系列连接 | 800 v | 5a | 1.18 V @ 5 A | 5 µA @ 800 V | -55°C 〜175°C | |||
![]() | CMSSH-3C TR PBFRE | 0.6300 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | CMSSH-3 | 肖特基 | SOT-323 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对普通阴极 | 30 V | 100mA(dc) | 1 V @ 100 ma | 5 ns | 500 na @ 25 V | -65°C〜150°C | ||
![]() | CPT40145 | - | ![]() | 2846 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | MD3CC | 肖特基 | MD3CC | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 45 v | 200a | 570 mv @ 200 a | 10 mA @ 45 V | ||||||
![]() | MBRBL40100CT-TP | 1.9000 | ![]() | 800 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | MBRBL40100 | 肖特基 | D2PAK | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 353-MBRBL40100CT-TPTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 100 v | 40a | 710 MV @ 20 A | 80 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | ||
![]() | CPT300100A | - | ![]() | 7836 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | TO-244AB | 肖特基 | TO-244AB | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 100 v | 150a | 980 mv @ 200 a | 4 mA @ 100 V | ||||||
![]() | MBR2090CT | - | ![]() | 3442 | 0.00000000 | Onmi | SwitchMode™ | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-220-3 | MBR2090 | 肖特基 | TO-220 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | MBR2090CTOS | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 90 v | 10a | 850 mv @ 10 A | 100 µA @ 90 V | -65°C〜175°C | ||
![]() | MBRF2060CT | - | ![]() | 9803 | 0.00000000 | Onmi | SwitchMode™ | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-220-3完整包 | MBRF2060 | 肖特基 | TO-220FP | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 60 V | 10a | 850 mv @ 10 A | 150 µA @ 60 V | -65°C〜175°C | |||
![]() | MBRF10150CT | 0.6300 | ![]() | 481 | 0.00000000 | SMC二极管解决方案 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | MBRF1015 | 肖特基 | ITO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | 1655-1097 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 150 v | - | 930 MV @ 5 A | 1 ma @ 150 V | -55°C〜150°C | ||
![]() | MSC2X31SDA070J | 38.0700 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 积极的 | MSC2X31 | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | 150-MSC2X31SDA070J | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | ||||||||||||||
![]() | MBRB3045CTTRR | - | ![]() | 1905年 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | MBRB30 | 肖特基 | TO-263AB(D²Pak) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 45 v | 15a | 600 mv @ 20 a | 1 mA @ 45 V | -65°C〜150°C | |||
![]() | VS-12CWQ10FNTRLHM3 | 1.3599 | ![]() | 9947 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | 12CWQ10 | 肖特基 | D-pak(TO-252AA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | VS12CWQ10FNTRLHM3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 100 v | 6a | 950 mv @ 12 a | 1 mA @ 100 V | 150°C (最大) | ||
STPS16150CT | 2.5700 | ![]() | 51 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3 | STPS16150 | 肖特基 | TO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 150 v | 8a | 920 MV @ 8 A | 3 µA @ 150 V | 175°c (最大) | ||||
![]() | CMKD4448 TR PBFRE | 0.6500 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | CMKD4448 | 标准 | SOT-363 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 3独立 | 75 v | 250ma(dc) | 1 V @ 100 ma | 4 ns | 25 na @ 20 V | -65°C〜175°C | ||
STPS1545CT | 0.9400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3 | STPS1545 | 肖特基 | TO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 45 v | 7.5a | 570 mv @ 7.5 A | 100 µA @ 45 V | 175°c (最大) | ||||
![]() | MBR25100CTH | 1.0323 | ![]() | 6746 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3 | MBR25100 | 肖特基 | TO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1801-MBR25100CTH | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 100 v | 25a | 920 MV @ 25 A | 100 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | |||
![]() | DPG20C200PN | 2.8100 | ![]() | 32 | 0.00000000 | ixys | Hiperfred²™ | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3完整包 | DPG20C200 | 标准 | TO-220ABFP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 200 v | 10a | 1.27 V @ 10 A | 35 ns | 1 µA @ 200 V | -55°C 〜175°C | ||
![]() | SBR20200CTFP | 0.8926 | ![]() | 2707 | 0.00000000 | 二极管合并 | SBR® | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | SBR20200 | 超级障碍 | ITO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | SBR20200CTFPDI | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 200 v | 10a | 980 mv @ 10 ma | 100 µA @ 200 V | -65°C〜175°C |
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