SIC
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二极管阵列（（16722）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处
MBR10200CTH Taiwan Semiconductor Corporation MBR10200CTH -
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 ECAD 6043 0.00000000 台湾半导体公司 汽车，AEC-Q101 管子 在sic中停产 通过洞 TO-220-3 MBR1020 肖特基 TO-220AB 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 200 v 10a 980 mv @ 10 a 100 µA @ 200 V -55°C〜150°C
MBR1045CT Taiwan Semiconductor Corporation MBR1045CT -
RFQ
 ECAD 3729 0.00000000 台湾半导体公司 - 管子 在sic中停产 通过洞 TO-220-3 MBR104 肖特基 TO-220AB 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 45 v 10a 800 mv @ 10 a 100 µA @ 45 V -55°C〜150°C
MBR1090CT C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR1090CT C0G -
RFQ
 ECAD 2629 0.00000000 台湾半导体公司 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 MBR1090 肖特基 TO-220AB 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 90 v 10a 950 MV @ 10 A 100 µA @ 90 V -55°C〜150°C
MBR1545CT Taiwan Semiconductor Corporation MBR1545CT -
RFQ
 ECAD 8809 0.00000000 台湾半导体公司 - 管子 在sic中停产 通过洞 TO-220-3 MBR1545 肖特基 TO-220AB 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 45 v 15a 840 mv @ 15 A 500 µA @ 45 V -55°C〜150°C
MBR1550CT C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR1550CT C0G -
RFQ
 ECAD 6437 0.00000000 台湾半导体公司 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 MBR1550 肖特基 TO-220AB 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 50 V 15a 750 MV @ 7.5 A 300 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MBR20100PT Taiwan Semiconductor Corporation MBR20100PT -
RFQ
 ECAD 8312 0.00000000 台湾半导体公司 - 管子 在sic中停产 通过洞 TO-247-3 MBR20100 肖特基 TO-247AD（TO-3P） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 100 v 20a 950 mv @ 20 a 100 µA @ 100 V -55°C〜150°C
MBR20150CTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR20150CTHC0G -
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 ECAD 5420 0.00000000 台湾半导体公司 汽车，AEC-Q101 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 MBR20150 肖特基 TO-220AB 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 150 v 20a 1.23 V @ 20 A 100 µA @ 150 V -55°C〜150°C
MBR20150PT Taiwan Semiconductor Corporation MBR20150PT -
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 ECAD 6176 0.00000000 台湾半导体公司 - 管子 在sic中停产 通过洞 TO-247-3 MBR20150 肖特基 TO-247AD（TO-3P） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 150 v 20a 1.02 V @ 20 A 100 µA @ 150 V -55°C〜150°C
MBR2045CTH Taiwan Semiconductor Corporation MBR2045cth -
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 ECAD 6690 0.00000000 台湾半导体公司 汽车，AEC-Q101 管子 在sic中停产 通过洞 TO-220-3 MBR2045 肖特基 TO-220AB 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 45 v 20a 840 mv @ 20 a 100 µA @ 45 V -55°C〜150°C
MBR2045PT C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR2045PT C0G -
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 ECAD 1773年 0.00000000 台湾半导体公司 - 管子 积极的 通过洞 TO-247-3 MBR2045 肖特基 TO-247AD（TO-3P） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 45 v 20a 840 mv @ 20 a 100 µA @ 45 V -55°C〜150°C
MBR2045PTH Taiwan Semiconductor Corporation MBR2045pth -
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 ECAD 4001 0.00000000 台湾半导体公司 汽车，AEC-Q101 管子 在sic中停产 通过洞 TO-247-3 MBR2045 肖特基 TO-247AD（TO-3P） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 45 v 20a 840 mv @ 20 a 100 µA @ 45 V -55°C〜150°C
MBR2060PTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR2060PTHC0G -
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 ECAD 3944 0.00000000 台湾半导体公司 汽车，AEC-Q101 管子 积极的 通过洞 TO-247-3 MBR2060 肖特基 TO-247AD（TO-3P） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 60 V 20a 950 mv @ 20 a 100 µA @ 60 V -55°C〜150°C
MBR2550CT C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR2550CT C0G -
RFQ
 ECAD 2589 0.00000000 台湾半导体公司 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 MBR2550 肖特基 TO-220AB 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 50 V 25a 750 MV @ 25 A 200 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MBR2560CTH Taiwan Semiconductor Corporation MBR2560CTH -
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 ECAD 2177 0.00000000 台湾半导体公司 汽车，AEC-Q101 管子 在sic中停产 通过洞 TO-220-3 MBR2560 肖特基 TO-220AB 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 60 V 25a 750 MV @ 25 A 200 µA @ 60 V -55°C〜150°C
MBR2590CT C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR2590CT C0G -
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 ECAD 1902年 0.00000000 台湾半导体公司 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 MBR2590 肖特基 TO-220AB 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 90 v 25a 920 MV @ 25 A 100 µA @ 90 V -55°C〜150°C
MBR2590CTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR2590CTHC0G -
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 ECAD 5976 0.00000000 台湾半导体公司 汽车，AEC-Q101 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 MBR2590 肖特基 TO-220AB 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 90 v 25a 920 MV @ 25 A 100 µA @ 90 V -55°C〜150°C
MBR3035PTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR3035PTHC0G -
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 ECAD 7072 0.00000000 台湾半导体公司 汽车，AEC-Q101 管子 积极的 通过洞 TO-247-3 MBR3035 肖特基 TO-247AD（TO-3P） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 35 v 30a 820 mv @ 30 a 1 mA @ 35 V -55°C〜150°C
MBR3050CTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR3050CTHC0G -
RFQ
 ECAD 7648 0.00000000 台湾半导体公司 汽车，AEC-Q101 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 MBR3050 肖特基 TO-220AB 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 50 V 30a 770 mv @ 15 A 200 µA @ 50 V -55°C〜150°C
MBR3050PT C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR3050PT C0G -
RFQ
 ECAD 8680 0.00000000 台湾半导体公司 - 管子 积极的 通过洞 TO-247-3 MBR3050 肖特基 TO-247AD（TO-3P） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 50 V 30a 1 ma @ 50 V -55°C〜150°C
MBR3060PTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR3060PTHC0G -
RFQ
 ECAD 2984 0.00000000 台湾半导体公司 汽车，AEC-Q101 管子 积极的 通过洞 TO-247-3 MBR3060 肖特基 TO-247AD（TO-3P） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 60 V 30a 1 mA @ 60 V -55°C〜150°C
MBR3090PT C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR3090PT C0G -
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 ECAD 1521年 0.00000000 台湾半导体公司 - 管子 积极的 通过洞 TO-247-3 MBR3090 肖特基 TO-247AD（TO-3P） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 90 v 30a 500 µA @ 90 V -55°C〜150°C
MBR30L45CTH Taiwan Semiconductor Corporation MBR30L45CTH -
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 ECAD 5070 0.00000000 台湾半导体公司 汽车，AEC-Q101 管子 在sic中停产 通过洞 TO-220-3 MBR30 肖特基 TO-220AB 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 45 v 30a 550 mv @ 15 A 400 µA @ 45 V -55°C〜150°C
MBR40100PT Taiwan Semiconductor Corporation MBR40100PT 1.9936
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 ECAD 9395 0.00000000 台湾半导体公司 - 管子 积极的 通过洞 TO-247-3 MBR40100 肖特基 TO-247AD（TO-3P） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 100 v 40a 500 µA @ 100 V -55°C〜150°C
MBR40150PTH Taiwan Semiconductor Corporation MBR40150pth 2.1834
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 ECAD 7836 0.00000000 台湾半导体公司 汽车，AEC-Q101 管子 积极的 通过洞 TO-247-3 MBR40150 肖特基 TO-247AD（TO-3P） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 150 v 40a 1.01 V @ 40 A 100 µA @ 150 V -55°C〜150°C
MBR40200PTH Taiwan Semiconductor Corporation MBR40200PTH 2.1834
RFQ
 ECAD 9559 0.00000000 台湾半导体公司 汽车，AEC-Q101 管子 积极的 通过洞 TO-247-3 MBR40200 肖特基 TO-247AD（TO-3P） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 200 v 40a 1.01 V @ 40 A 100 µA @ 200 V -55°C〜150°C
MBR4050PT C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR4050PT C0G -
RFQ
 ECAD 2486 0.00000000 台湾半导体公司 - 管子 积极的 通过洞 TO-247-3 MBR4050 肖特基 TO-247AD（TO-3P） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 50 V 40a 1 ma @ 50 V -55°C〜150°C
MBR4060PTH Taiwan Semiconductor Corporation MBR4060PTH -
RFQ
 ECAD 9387 0.00000000 台湾半导体公司 汽车，AEC-Q101 管子 在sic中停产 通过洞 TO-247-3 MBR4060 肖特基 TO-247AD（TO-3P） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 60 V 40a 1 mA @ 60 V -55°C〜150°C
MBR60100PTH Taiwan Semiconductor Corporation mbr60100pth 2.8205
RFQ
 ECAD 6918 0.00000000 台湾半导体公司 汽车，AEC-Q101 管子 积极的 通过洞 TO-247-3 MBR60100 肖特基 TO-247AD（TO-3P） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 100 v 60a 980 mv @ 60 a 1 mA @ 100 V -55°C〜150°C
MBR6035PT C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR6035PT C0G -
RFQ
 ECAD 6566 0.00000000 台湾半导体公司 - 管子 在sic中停产 通过洞 TO-247-3 MBR6035 肖特基 TO-247AD（TO-3P） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 35 v 60a 820 mv @ 60 a 1 mA @ 35 V -55°C〜150°C
MBR6045PT Taiwan Semiconductor Corporation MBR6045PT 2.5062
RFQ
 ECAD 9001 0.00000000 台湾半导体公司 - 管子 积极的 通过洞 TO-247-3 MBR6045 肖特基 TO-247AD（TO-3P） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 45 v 60a 820 mv @ 60 a 1 mA @ 45 V -55°C〜150°C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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