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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | UGE18ACT-E3/45 | - | ![]() | 5521 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-220-3 | UGE18 | 标准 | TO-220-3 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 50 V | 18a | 1.2 V @ 20 A | 30 ns | 10 µA @ 50 V | -65°C〜150°C | |||
![]() | BAV70W,115 | 0.1900 | ![]() | 54 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | BAV70 | 标准 | SOT-323 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对普通阴极 | 100 v | 175ma(dc) | 1.25 V @ 150 mA | 4 ns | 500 NA @ 80 V | 150°C (最大) | ||
![]() | SR3030PTHC0G | - | ![]() | 6277 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-247-3 | SR3030 | 肖特基 | TO-247AD(TO-3P) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 30 V | 30a | 550 mv @ 15 A | 1 ma @ 30 V | -55°C〜125°C | |||
![]() | murf30060r | - | ![]() | 6383 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | TO-244AB | 标准 | TO-244 | - | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 600 v | 150a | 1.7 V @ 150 A | 150 ns | 25 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | |||||
![]() | BAV 70W E6433 | - | ![]() | 7190 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | BAV 70 | 标准 | PG-SOT323 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 50,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对普通阴极 | 80 V | 200ma(dc) | 1.25 V @ 150 mA | 4 ns | 150 na @ 70 V | 150°C (最大) | |||
![]() | dan217wmtl | 0.3800 | ![]() | 38 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-89,SOT-490 | Dan217 | 标准 | EMD3F | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对系列连接 | 80 V | 100mA | 1.2 V @ 100 ma | 4 ns | 100 NA @ 70 V | 150°C (最大) | ||
![]() | MSRD620CTT4RG | 1.1700 | ![]() | 1958年 | 0.00000000 | Onmi | SwitchMode™ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | MSRD620 | 标准 | DPAK | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 200 v | 3a | 1.15 V @ 3 A | 75 ns | 1 µA @ 200 V | -55°C 〜175°C | ||
![]() | VS-401CNQ045PBF | 45.9600 | ![]() | 535 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | TO-244AB | 401CNQ045 | 肖特基 | TO-244AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 45 v | 400a | 780 mv @ 400 A | 20 ma @ 45 V | ||||
![]() | VS-VSKC91/04 | 40.5200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | Add-a-pak(3) | VSKC91 | 标准 | Add-a-Pak® | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | VSVSKC9104 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对系列连接 | 400 v | 50a | 10 ma @ 400 V | -40°C〜150°C | |||
![]() | FFPF20UP20DNTU | 1.5100 | ![]() | 712 | 0.00000000 | Onmi | - | 管子 | 上次购买 | 通过洞 | TO-220-3完整包 | FFPF20 | 标准 | TO-220F-3 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 200 v | 10a | 1.15 V @ 10 A | 45 ns | 100 µA @ 200 V | -65°C〜150°C | ||
![]() | MBR1045CT | - | ![]() | 7970 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-220-3 | MBR104 | 肖特基 | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 45 v | 10a | 840 mv @ 10 a | 100 µA @ 45 V | -55°C〜150°C | |||
![]() | MBRS25H45CTH | 0.9057 | ![]() | 4405 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | MBRS25 | 肖特基 | TO-263AB(D2PAK) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1801-MBRS25H45CTHTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,600 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 45 v | 25a | 900 mv @ 25 A | 200 µA @ 45 V | -55°C 〜175°C | |||
![]() | STPS30H60CR | 1.9900 | ![]() | 998 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA | STPS30H60 | 肖特基 | i2pak | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 60 V | 15a | 660 mv @ 15 A | 60 µA @ 60 V | 175°c (最大) | |||
![]() | VS-16CTQ100PBF | - | ![]() | 3431 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-220-3 | 16CTQ100 | 肖特基 | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 100 v | 8a | 720 MV @ 8 A | 550 µA @ 100 V | -55°C 〜175°C | |||
![]() | MDA950-12N1W | - | ![]() | 3325 | 0.00000000 | ixys | - | 托盘 | 积极的 | 底盘安装 | 模块 | MDA950 | 标准 | 模块 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对公共阳极 | 1200 v | 950a | 880 mv @ 500 A | 18 µs | 50 ma @ 1200 V | -40°C〜150°C | ||
![]() | 20CJQ045 | - | ![]() | 9897 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 过时的 | 表面安装 | TO-261-4,TO-261AA | 20cjq | 肖特基 | SOT-223 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 4,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 45 v | 1a | 540 mv @ 1 a | 100 µA @ 45 V | -55°C〜150°C | |||
![]() | FST6335M | - | ![]() | 1926年 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | D61-3M | 肖特基 | D61-3M | - | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 35 v | 30a | 700 mv @ 30 a | 1 mA @ 35 V | -55°C〜150°C | ||||||
![]() | BYQ72EK-200Q | 1.0905 | ![]() | 3189 | 0.00000000 | Ween半导体 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-3P-3,SC-65-3 | BYQ72 | 标准 | to-3p | 下载 | (1 (无限) | 934068786127 | Ear99 | 8541.10.0080 | 450 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 200 v | 15a | 900 mv @ 15 A | 25 ns | 20 µA @ 600 V | 150°C (最大) | |||
![]() | MBRB20H100CTHE3/45 | - | ![]() | 5166 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 在sic中停产 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | MBRB20 | 肖特基 | TO-263AB(D²Pak) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 100 v | 10a | 770 mv @ 10 A | 4.5 µA @ 100 V | -65°C〜175°C | |||
![]() | htz120a44k | - | ![]() | 8854 | 0.00000000 | ixys | htz120a | 盒子 | 积极的 | 底盘安装 | 模块 | htz120 | 标准 | 模块 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对系列连接 | 44000 v | 2a | 36.8 V @ 12 A | 500 µA @ 44800 V | ||||
![]() | VSKC320-12 | - | ![]() | 9971 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 3-magn-a-pak™ | VSKC320 | 标准 | Magn-A-Pak® | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对普通阴极 | 1200 v | 320a | 50 ma @ 1200 V | |||||
![]() | VS-30CTQ035-N3 | - | ![]() | 6101 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-220-3 | 30CTQ035 | 肖特基 | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | VS30CTQ035N3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 35 v | 30a | 760 mv @ 30 a | 2 ma @ 35 V | 175°c (最大) | ||
![]() | SDURB1520CT | 0.9400 | ![]() | 510 | 0.00000000 | SMC二极管解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | Sdurb1520 | 标准 | D2PAK | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 200 v | - | 1.2 V @ 8 A | 35 ns | 5 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | ||
DSSK40-008B | - | ![]() | 9381 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 在sic中停产 | 通过洞 | TO-247-3 | DSSK40 | 肖特基 | TO-247AD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 80 V | 20a | 580 mv @ 20 a | 20 ma @ 80 V | -55°C〜150°C | ||||
![]() | V6KL45DU-M3/i | 0.5400 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | 8-POWERTDFN | V6KL45 | 肖特基 | Flatpak 5x6 (双) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 6,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 2独立 | 45 v | 6a | 540 mv @ 3 a | 450 µA @ 45 V | -40°C〜150°C | |||
![]() | TRS12N65FB,S1F(s | - | ![]() | 3099 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-247-3 | TRS12N65 | SIC (碳化硅) | TO-247 | - | Rohs符合条件 | (1 (无限) | trs12n65fbs1f(s | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1对普通阴极 | 650 v | 6A(DC) | 1.7 V @ 6 A | 0 ns | 90 µA @ 650 V | 175°c (最大) | ||
![]() | BAS16HTWQ-13R | 0.3400 | ![]() | 49 | 0.00000000 | 二极管合并 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | BAS16 | 标准 | SOT-363 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 3独立 | 100 v | 200ma(dc) | 1.25 V @ 150 mA | 4 ns | 500 NA @ 80 V | -65°C〜150°C | ||
![]() | VS-MBRD660CTPBF | - | ![]() | 2772 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 过时的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | MBRD6 | 肖特基 | D-pak(TO-252AA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 75 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 60 V | 3a | 650 mv @ 3 a | 100 µA @ 60 V | -40°C〜150°C | |||
![]() | MBRF500200 | - | ![]() | 8829 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | TO-244AB | 肖特基 | TO-244AB | - | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 200 v | 250a | 920 MV @ 250 A | 1 mA @ 200 V | -55°C〜150°C | ||||||
![]() | MF200A12F5 | 35.7230 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Yangjie技术 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 模块 | 标准 | F5 | - | Rohs符合条件 | 到达不受影响 | 4617-MF200A12F5 | Ear99 | 10 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 1200 v | 200a | 2.3 V @ 200 A | 110 ns | 1 ma @ 1200 V | -40°C〜150°C |
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