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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电流 -io(io)(每个二极管) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处
UGE18ACT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division UGE18ACT-E3/45 -
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ECAD 5521 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 UGE18 标准 TO-220-3 - rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 50 V 18a 1.2 V @ 20 A 30 ns 10 µA @ 50 V -65°C〜150°C
BAV70W,115 Nexperia USA Inc. BAV70W,115 0.1900
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ECAD 54 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SC-70,SOT-323 BAV70 标准 SOT-323 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 1对普通阴极 100 v 175ma(dc) 1.25 V @ 150 mA 4 ns 500 NA @ 80 V 150°C (最大)
SR3030PTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SR3030PTHC0G -
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ECAD 6277 0.00000000 台湾半导体公司 汽车,AEC-Q101 管子 积极的 通过洞 TO-247-3 SR3030 肖特基 TO-247AD(TO-3P) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 30 V 30a 550 mv @ 15 A 1 ma @ 30 V -55°C〜125°C
MURF30060R GeneSiC Semiconductor murf30060r -
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ECAD 6383 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 标准 TO-244 - (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对公共阳极 600 v 150a 1.7 V @ 150 A 150 ns 25 µA @ 600 V -55°C〜150°C
BAV 70W E6433 Infineon Technologies BAV 70W E6433 -
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ECAD 7190 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 SC-70,SOT-323 BAV 70 标准 PG-SOT323 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 50,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 1对普通阴极 80 V 200ma(dc) 1.25 V @ 150 mA 4 ns 150 na @ 70 V 150°C (最大)
DAN217WMTL Rohm Semiconductor dan217wmtl 0.3800
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ECAD 38 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SC-89,SOT-490 Dan217 标准 EMD3F 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 1对系列连接 80 V 100mA 1.2 V @ 100 ma 4 ns 100 NA @ 70 V 150°C (最大)
MSRD620CTT4RG onsemi MSRD620CTT4RG 1.1700
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ECAD 1958年 0.00000000 Onmi SwitchMode™ 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 MSRD620 标准 DPAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对公共阳极 200 v 3a 1.15 V @ 3 A 75 ns 1 µA @ 200 V -55°C 〜175°C
VS-401CNQ045PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-401CNQ045PBF 45.9600
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ECAD 535 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 积极的 底盘安装 TO-244AB 401CNQ045 肖特基 TO-244AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 10 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 45 v 400a 780 mv @ 400 A 20 ma @ 45 V
VS-VSKC91/04 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VSKC91/04 40.5200
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ECAD 1 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 积极的 底盘安装 Add-a-pak(3) VSKC91 标准 Add-a-Pak® 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VSVSKC9104 Ear99 8541.10.0080 10 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1对系列连接 400 v 50a 10 ma @ 400 V -40°C〜150°C
FFPF20UP20DNTU onsemi FFPF20UP20DNTU 1.5100
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ECAD 712 0.00000000 Onmi - 管子 上次购买 通过洞 TO-220-3完整包 FFPF20 标准 TO-220F-3 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 200 v 10a 1.15 V @ 10 A 45 ns 100 µA @ 200 V -65°C〜150°C
MBR1045CT Diodes Incorporated MBR1045CT -
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ECAD 7970 0.00000000 二极管合并 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 MBR104 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 45 v 10a 840 mv @ 10 a 100 µA @ 45 V -55°C〜150°C
MBRS25H45CTH Taiwan Semiconductor Corporation MBRS25H45CTH 0.9057
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ECAD 4405 0.00000000 台湾半导体公司 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB MBRS25 肖特基 TO-263AB(D2PAK) 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 1801-MBRS25H45CTHTR Ear99 8541.10.0080 1,600 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 45 v 25a 900 mv @ 25 A 200 µA @ 45 V -55°C 〜175°C
STPS30H60CR STMicroelectronics STPS30H60CR 1.9900
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ECAD 998 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 过时的 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA STPS30H60 肖特基 i2pak 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 60 V 15a 660 mv @ 15 A 60 µA @ 60 V 175°c (最大)
VS-16CTQ100PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-16CTQ100PBF -
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ECAD 3431 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 16CTQ100 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 100 v 8a 720 MV @ 8 A 550 µA @ 100 V -55°C 〜175°C
MDA950-12N1W IXYS MDA950-12N1W -
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ECAD 3325 0.00000000 ixys - 托盘 积极的 底盘安装 模块 MDA950 标准 模块 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1对公共阳极 1200 v 950a 880 mv @ 500 A 18 µs 50 ma @ 1200 V -40°C〜150°C
20CJQ045 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 20CJQ045 -
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ECAD 9897 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 表面安装 TO-261-4,TO-261AA 20cjq 肖特基 SOT-223 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 4,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 45 v 1a 540 mv @ 1 a 100 µA @ 45 V -55°C〜150°C
FST6335M GeneSiC Semiconductor FST6335M -
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ECAD 1926年 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 D61-3M 肖特基 D61-3M - (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 35 v 30a 700 mv @ 30 a 1 mA @ 35 V -55°C〜150°C
BYQ72EK-200Q WeEn Semiconductors BYQ72EK-200Q 1.0905
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ECAD 3189 0.00000000 Ween半导体 - 管子 积极的 通过洞 TO-3P-3,SC-65-3 BYQ72 标准 to-3p 下载 (1 (无限) 934068786127 Ear99 8541.10.0080 450 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 200 v 15a 900 mv @ 15 A 25 ns 20 µA @ 600 V 150°C (最大)
MBRB20H100CTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB20H100CTHE3/45 -
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ECAD 5166 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 在sic中停产 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB MBRB20 肖特基 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 100 v 10a 770 mv @ 10 A 4.5 µA @ 100 V -65°C〜175°C
HTZ120A44K IXYS htz120a44k -
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ECAD 8854 0.00000000 ixys htz120a 盒子 积极的 底盘安装 模块 htz120 标准 模块 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1对系列连接 44000 v 2a 36.8 V @ 12 A 500 µA @ 44800 V
VSKC320-12 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VSKC320-12 -
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ECAD 9971 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 底盘安装 3-magn-a-pak™ VSKC320 标准 Magn-A-Pak® 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1对普通阴极 1200 v 320a 50 ma @ 1200 V
VS-30CTQ035-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-30CTQ035-N3 -
RFQ
ECAD 6101 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 30CTQ035 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS30CTQ035N3 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 35 v 30a 760 mv @ 30 a 2 ma @ 35 V 175°c (最大)
SDURB1520CT SMC Diode Solutions SDURB1520CT 0.9400
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ECAD 510 0.00000000 SMC二极管解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB Sdurb1520 标准 D2PAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 800 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 200 v - 1.2 V @ 8 A 35 ns 5 µA @ 200 V -55°C〜150°C
DSSK40-008B IXYS DSSK40-008B -
RFQ
ECAD 9381 0.00000000 ixys - 管子 在sic中停产 通过洞 TO-247-3 DSSK40 肖特基 TO-247AD 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 30 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 80 V 20a 580 mv @ 20 a 20 ma @ 80 V -55°C〜150°C
V6KL45DU-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V6KL45DU-M3/i 0.5400
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 8-POWERTDFN V6KL45 肖特基 Flatpak 5x6 (双) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 6,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 2独立 45 v 6a 540 mv @ 3 a 450 µA @ 45 V -40°C〜150°C
TRS12N65FB,S1F(S Toshiba Semiconductor and Storage TRS12N65FB,S1F(s -
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ECAD 3099 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 通过洞 TO-247-3 TRS12N65 SIC (碳化硅) TO-247 - Rohs符合条件 (1 (无限) trs12n65fbs1f(s Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA(IO) 1对普通阴极 650 v 6A(DC) 1.7 V @ 6 A 0 ns 90 µA @ 650 V 175°c (最大)
BAS16HTWQ-13R Diodes Incorporated BAS16HTWQ-13R 0.3400
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ECAD 49 0.00000000 二极管合并 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 BAS16 标准 SOT-363 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 10,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 3独立 100 v 200ma(dc) 1.25 V @ 150 mA 4 ns 500 NA @ 80 V -65°C〜150°C
VS-MBRD660CTPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-MBRD660CTPBF -
RFQ
ECAD 2772 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 MBRD6 肖特基 D-pak(TO-252AA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 75 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 60 V 3a 650 mv @ 3 a 100 µA @ 60 V -40°C〜150°C
MBRF500200 GeneSiC Semiconductor MBRF500200 -
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ECAD 8829 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对公共阳极 200 v 250a 920 MV @ 250 A 1 mA @ 200 V -55°C〜150°C
MF200A12F5 Yangjie Technology MF200A12F5 35.7230
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ECAD 1 0.00000000 Yangjie技术 - 大部分 积极的 底盘安装 模块 标准 F5 - Rohs符合条件 到达不受影响 4617-MF200A12F5 Ear99 10 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对公共阳极 1200 v 200a 2.3 V @ 200 A 110 ns 1 ma @ 1200 V -40°C〜150°C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库