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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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![]() | MBRF10L100CTHC0G | - | ![]() | 3641 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | MBRF10 | 肖特基 | ITO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 100 v | 10a | 850 mv @ 10 A | 20 ma @ 100 V | -55°C〜150°C | ||
![]() | MBRF1535CTHC0G | - | ![]() | 4863 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | MBRF1535 | 肖特基 | ITO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 35 v | 15a | 840 mv @ 15 A | 500 µA @ 35 V | -55°C〜150°C | ||
![]() | MBRF20200CTH | - | ![]() | 6889 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 在sic中停产 | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | MBRF20200 | 肖特基 | ITO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 200 v | 20a | 1.05 V @ 20 A | 100 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | ||
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![]() | MBRF2035CTHC0G | - | ![]() | 5523 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | MBRF2035 | 肖特基 | ITO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 35 v | 20a | 840 mv @ 20 a | 100 µA @ 35 V | -55°C〜150°C | ||
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![]() | MBRF25150CT | - | ![]() | 2260 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 在sic中停产 | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | MBRF25150 | 肖特基 | ITO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 150 v | 25a | 1.02 V @ 25 A | 100 µA @ 150 V | -55°C〜150°C | ||
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![]() | MBRF2560CT | - | ![]() | 3419 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 在sic中停产 | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | MBRF2560 | 肖特基 | ITO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 60 V | 25a | 750 MV @ 12.5 A | 2 ma @ 60 V | -55°C〜150°C | ||
![]() | MBRF30200CTHC0G | - | ![]() | 6317 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | MBRF30200 | 肖特基 | ITO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 200 v | 30a | 1.05 V @ 30 A | 200 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | ||
![]() | MBRF3035CT C0G | - | ![]() | 3565 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | MBRF3035 | 肖特基 | ITO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 35 v | 30a | 820 mv @ 30 a | 200 µA @ 35 V | -55°C〜150°C | ||
![]() | MBRF3035CTHC0G | - | ![]() | 3377 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | MBRF3035 | 肖特基 | ITO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 35 v | 30a | 820 mv @ 30 a | 200 µA @ 35 V | -55°C〜150°C | ||
![]() | MBRF3045CTH | 1.0110 | ![]() | 9529 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | MBRF3045 | 肖特基 | ITO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 45 v | 30a | 820 mv @ 30 a | 200 µA @ 45 V | -55°C〜150°C | ||
![]() | MBRF3060CTH | - | ![]() | 3935 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 在sic中停产 | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | MBRF3060 | 肖特基 | ITO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 60 V | 30a | 900 mv @ 30 a | 200 µA @ 60 V | -55°C〜150°C | ||
![]() | MBRF3080CTHC0G | - | ![]() | 9190 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | MBRF3080 | 肖特基 | ITO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 80 V | 30a | 940 mv @ 30 a | 200 µA @ 80 V | -55°C〜150°C | ||
![]() | MBRF3090CT C0G | - | ![]() | 1105 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | MBRF3090 | 肖特基 | ITO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 90 v | 30a | 940 mv @ 30 a | 200 µA @ 90 V | -55°C〜150°C | ||
![]() | MBRF30L120CTHC0G | - | ![]() | 7639 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | MBRF30 | 肖特基 | ITO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 120 v | 30a | 950 MV @ 30 A | 20 ma @ 120 V | -55°C〜150°C | ||
![]() | MBRF30L45CT | - | ![]() | 8337 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 在sic中停产 | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | MBRF30 | 肖特基 | ITO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 45 v | 30a | 740 mv @ 30 a | 400 µA @ 45 V | -55°C〜150°C | ||
![]() | MUR1620CT | - | ![]() | 1143 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 在sic中停产 | 通过洞 | TO-220-3 | Mur1620 | 标准 | TO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 200 v | 16a | 975 mv @ 8 a | 25 ns | 5 µA @ 200 V | -55°C 〜175°C | |
![]() | SFF1001GAHC0G | - | ![]() | 6905 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 在sic中停产 | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | SFF1001 | 标准 | ITO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 50 V | 10A(DC) | 975 mv @ 5 a | 35 ns | 10 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | |
![]() | SFF1002G C0G | - | ![]() | 6188 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 在sic中停产 | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | SFF1002 | 标准 | ITO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 100 v | 10A(DC) | 975 mv @ 5 a | 35 ns | 10 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | |
![]() | SFF1002GHC0G | - | ![]() | 3991 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | SFF1002 | 标准 | ITO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 100 v | 10A(DC) | 975 mv @ 5 a | 35 ns | 10 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | |
![]() | SFF1003GA C0G | - | ![]() | 2955 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | SFF1003 | 标准 | ITO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 150 v | 10A(DC) | 975 mv @ 5 a | 35 ns | 10 µA @ 150 V | -55°C〜150°C | |
![]() | SFF1005GAHC0G | - | ![]() | 1471 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | SFF1005 | 标准 | ITO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 300 v | 10A(DC) | 1.3 V @ 5 A | 35 ns | 10 µA @ 300 V | -55°C〜150°C | |
![]() | SFF1007G C0G | - | ![]() | 3018 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | SFF1007 | 标准 | ITO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 500 v | 10A(DC) | 1.7 V @ 5 A | 35 ns | 10 µA @ 500 V | -55°C〜150°C |
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