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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | VF60120C-M3/4W | 2.4000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | TMBS® | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | VF60120 | 肖特基 | ITO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 120 v | 30a | 950 MV @ 30 A | 500 µA @ 120 V | -40°C〜150°C | |||
![]() | SDURF10H60CT | - | ![]() | 5926 | 0.00000000 | SMC二极管解决方案 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | SDURF10H60 | 标准 | ITO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | 1655-SDURF10H60CT | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 600 v | 5a | 1.8 V @ 5 A | 40 ns | 5 µA @ 600 V | -55°C〜125°C | |
![]() | MBRB2060CT | 1.7800 | ![]() | 19 | 0.00000000 | Littelfuse Inc. | MBR | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | 肖特基 | TO-263(D²Pak) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 60 V | 10a | 800 mv @ 10 a | 1 mA @ 60 V | -55°C〜150°C | ||||
![]() | BYQ28ED-200PLJ | 0.2640 | ![]() | 2745 | 0.00000000 | Ween半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | BYQ28 | 标准 | DPAK | 下载 | (1 (无限) | 934072019118 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 200 v | 10a | 1.1 V @ 10 A | 25 ns | 10 µA @ 200 V | 150°C (最大) | |||
![]() | BAW56SE6327BTSA1 | - | ![]() | 8150 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | 6-VSSOP,SC-88,SOT-363 | BAW56 | 标准 | PG-SOT363-PO | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 2对公共阳极 | 80 V | 200ma(dc) | 1.25 V @ 150 mA | 4 ns | 150 na @ 70 V | 150°C (最大) | |||
WNSC2D401200CWQ | - | ![]() | 6580 | 0.00000000 | Ween半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | 通过洞 | TO-247-3 | WNSC2 | SIC (碳化硅) | TO-247-3 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 600 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1对普通阴极 | 1200 v | 40a | 1.8 V @ 20 A | 0 ns | 200 µA @ 1200 V | 175°C | |||||
![]() | SRF1050HC0G | - | ![]() | 2598 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | SRF1050 | 肖特基 | ITO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 50 V | 10a | 700 mv @ 5 a | 500 µA @ 50 V | -55°C〜125°C | |||
![]() | BYT28B-400HE3_A/i | - | ![]() | 8353 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | BYT28 | 标准 | TO-263AB(D²Pak) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 400 v | 5a | 1.3 V @ 5 A | 50 ns | 10 µA @ 400 V | -40°C〜150°C | ||
![]() | MBRF60030R | - | ![]() | 1325 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | TO-244AB | 肖特基 | TO-244AB | - | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 30 V | 300A(DC) | 650 MV @ 300 A | 10 ma @ 20 V | -40°C〜175°C | ||||||
![]() | STPR1620CG-Tr | - | ![]() | 5127 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | STPR1620 | 标准 | D2PAK | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 200 v | 8a | 990 mv @ 8 a | 30 ns | 50 µA @ 200 V | 150°C (最大) | ||
![]() | BAS40-05-HF | 0.0460 | ![]() | 4491 | 0.00000000 | comchip技术 | BAS40-XX-HF | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BAS40 | 肖特基 | SOT-23-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 641-BAS40-05-HFTR | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对普通阴极 | 40 V | 200ma(dc) | 1 V @ 40 mA | 5 ns | 200 na @ 30 V | 125°C | ||
![]() | fmu-12r | 0.9100 | ![]() | 99 | 0.00000000 | 桑肯 | - | 大部分 | 过时的 | 通过洞 | TO-220-3完整包 | 标准 | TO-220F | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | fmu-12r dk | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 200 v | 5a | 1.5 V @ 2.5 A | 400 ns | 50 µA @ 200 V | -40°C〜150°C | |||
![]() | MURB1060CT-TP | 0.5639 | ![]() | 9662 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | Murb1060 | 标准 | D2PAK | 下载 | 353-Murb1060CT-TP | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对普通阴极 | 600 v | 10a | 1.5 V @ 5 A | 10 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | |||||
![]() | MBR1535CT | 1.0000 | ![]() | 3886 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3 | 肖特基 | TO-220-3 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 35 v | 15a | 840 mv @ 15 A | 100 µA @ 35 V | -65°C〜150°C | ||||
![]() | 30CPQ080 | 0.9006 | ![]() | 6189 | 0.00000000 | SMC二极管解决方案 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-247-3 | 30cpq | 肖特基 | TO-247AD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | 30CPQ080SMC | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 80 V | 15a | 1.05 V @ 15 A | 550 µA @ 80 V | -55°C 〜175°C | ||
![]() | SBR20100CTFP-JT | - | ![]() | 1584年 | 0.00000000 | 二极管合并 | sbr | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | SBR20100 | 超级障碍 | ITO-220AB | 下载 | (1 (无限) | 31-SBR20100CTFP-JT | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对普通阴极 | 100 v | 10a | 820 mv @ 10 a | 100 µA @ 100 V | -65°C〜175°C | ||||
![]() | V60DM63CHM3/i | 2.8700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101,TMBS® | (CT) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2 + TAB) | V60DM63 | 肖特基 | TO-263AC(SMPD) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 60 V | 30a | 700 mv @ 30 a | 55 µA @ 60 V | -40°C〜175°C | |||||
![]() | CDBT-70A-HF | 0.0600 | ![]() | 3147 | 0.00000000 | comchip技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | CDBT-70 | 肖特基 | SOT-23-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 641-CDBT-70A-HFTR | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对公共阳极 | 70 v | 70mA | 1 V @ 15 mA | 5 ns | 100 na @ 50 V | -40°C〜125°C | ||
![]() | MBR20200CT | 0.9500 | ![]() | 6 | 0.00000000 | SMC二极管解决方案 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3 | MBR20200 | 肖特基 | TO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | 1655-1042 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 200 v | - | 900 mv @ 10 a | 1 mA @ 200 V | -55°C〜150°C | ||
![]() | Murt40060 | - | ![]() | 9179 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 三个塔 | 标准 | 三个塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | murt40060gn | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 600 v | 200a | 1.7 V @ 200 A | 240 ns | 25 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | |||
![]() | MSRTA20080AD | 85.9072 | ![]() | 6580 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 三个塔 | MSRTA200 | 标准 | 三个塔 | - | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 18 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对系列连接 | 800 v | 200a | 1.1 V @ 200 A | 10 µA @ 800 V | -55°C〜150°C | ||||
![]() | UGE18DCT-E3/45 | - | ![]() | 2838 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-220-3 | UGE18 | 标准 | TO-220-3 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 200 v | 18a | 1.2 V @ 20 A | 30 ns | 10 µA @ 200 V | -65°C〜150°C | ||
![]() | FEP16DT-E3/45 | 1.5100 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3 | FEP16 | 标准 | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 200 v | 16a | 950 MV @ 8 A | 35 ns | 10 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | ||
IDW20S120FKSA1 | - | ![]() | 6442 | 0.00000000 | Infineon技术 | COOLSIC™+ | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-247-3 | SIC (碳化硅) | pg-to247-3 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 240 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1对普通阴极 | 1200 v | 10A(DC) | 1.8 V @ 10 A | 240 µA @ 1200 V | -55°C 〜175°C | ||||||
![]() | MBRF20040R | - | ![]() | 1332 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | TO-244AB | 肖特基 | TO-244AB | - | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 40 V | 100a | 700 mv @ 100 a | 1 mA @ 40 V | -55°C〜150°C | ||||||
![]() | VS-VSKD270-08 | - | ![]() | 4327 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 3-magn-a-pak™ | VSKD270 | 标准 | Magn-A-Pak® | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对系列连接 | 800 v | 270a | ||||||
![]() | 689-2d,2n,2p | - | ![]() | 1028 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | ND | 689-2 | 标准 | ND | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对系列连接 | 200 v | 15a | 1.2 V @ 10 A | 500 ns | 10 µA @ 200 V | -65°C〜150°C | |||
![]() | 89CNQ150 | 22.8200 | ![]() | 432 | 0.00000000 | SMC二极管解决方案 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | PRM2 | 89cnq | 肖特基 | PRM2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 48 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 150 v | 40a | 1.14 V @ 40 A | 1.5 ma @ 150 V | -55°C 〜175°C | |||
![]() | VT3080CHM3/4W | - | ![]() | 6314 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-220-3 | VT3080 | 肖特基 | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | VT3080CHM34W | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 80 V | 15a | 820 MV @ 15 A | 700 µA @ 80 V | -55°C〜150°C | ||
![]() | SB10-09P-TD-E | 0.4100 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Onmi | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 |
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