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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | NTSJ30U80CTG | - | ![]() | 6261 | 0.00000000 | Onmi | - | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-220-3完整包 | NTSJ30 | 肖特基 | TO-220-2完整包 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | NTSJ30U80CTGOS | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 80 V | 15a | 800 mv @ 15 A | 200 µA @ 80 V | -40°C〜150°C | ||
![]() | V20PW12CHM3/i | 0.5693 | ![]() | 2161 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101,ESMP®,TMBS® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | V20PW12 | 肖特基 | Slimdpak | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 4,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 120 v | 10a | 920 MV @ 10 A | 700 µA @ 120 V | -40°C〜150°C | |||
![]() | DKA60KB160 | 38.5400 | ![]() | 9598 | 0.00000000 | Sanrex Corporation | - | 托盘 | 积极的 | 底盘安装 | 模块 | 标准 | - | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 4076-DKA60KB160 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对普通阴极 | 1600 v | 60a | 1.35 V @ 180 A | 20 ma @ 1600 V | -40°C〜150°C | ||||
![]() | MBR30150CTH-BP | 0.6731 | ![]() | 5683 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3 | MBR30150 | 肖特基 | TO-220AB | 下载 | 353-MBR30150CTH-BP | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 150 v | 30a | 850 MV @ 15 A | 10 µA @ 150 V | -55°C 〜175°C | |||||
![]() | VS-MBRB2080CTGTRRP | - | ![]() | 8958 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | MBRB20 | 肖特基 | TO-263AB(D²Pak) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | VSMBRB2080CTGTRRP | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 80 V | 10a | 800 mv @ 10 a | 100 µA @ 80 V | -65°C〜150°C | |||
![]() | stth8003cy | 10.7800 | ![]() | 508 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | Q汽车 | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-247-3 | Stth8003 | 标准 | Max247™ | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 300 v | 40a | 1.25 V @ 40 A | 60 ns | 80 µA @ 300 V | 175°c (最大) | ||
![]() | SCPAS15FF | - | ![]() | 1184 | 0.00000000 | Semtech Corporation | - | 大部分 | 在sic中停产 | 通过洞 | 模块 | SCPAS15 | 标准 | - | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | - | 150 v | 42.5a | 970 mv @ 30 a | 30 ns | 60 µA @ 150 V | -55°C〜150°C | |||
![]() | 1SS360,LJ(ct | 0.2300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-75,SOT-416 | 1SS360 | 标准 | SSM | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对公共阳极 | 80 V | 100mA | 1.2 V @ 100 ma | 4 ns | 500 NA @ 80 V | 125°c (最大) | |||
80CNQ045ASM | - | ![]() | 2974 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 过时的 | 通过洞 | D-61-8-SM | 80cnq | 肖特基 | D-61-8-SM | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 400 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 45 v | 40a | 520 mv @ 40 a | 5 ma @ 45 V | -55°C〜150°C | ||||
![]() | TSF20H200C | 1.1388 | ![]() | 2565 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | TSF20 | 肖特基 | ITO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 200 v | 10a | 930 MV @ 10 A | 100 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | |||
![]() | BAS40SDW_R1_00001 | 0.3200 | ![]() | 321 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | BAS40 | 肖特基 | SOT-363 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 2对系列连接 | 40 V | 200ma(dc) | 1 V @ 40 mA | 5 ns | 1 µA @ 25 V | -55°C〜125°C | ||
![]() | VS-MBRD650CT-M3 | 0.3353 | ![]() | 2717 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 积极的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | MBRD650 | 肖特基 | D-pak(TO-252AA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | VSMBRD650CTM3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 75 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 50 V | 3a | 700 mv @ 3 a | 100 µA @ 50 V | -40°C〜150°C | ||
![]() | MBR10200FCT | 0.6700 | ![]() | 9232 | 0.00000000 | Yangzhou Yangjie电子技术有限公司 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | MBR10200 | 肖特基 | ITO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 200 v | 10a | 900 mv @ 5 a | 100 µA @ 200 V | -55°C 〜175°C | ||||
![]() | BAV99 | 0.0625 | ![]() | 261 | 0.00000000 | MDD | SOT-23 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BAV99 | 标准 | SOT-23 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 3372-BAV99TR | Ear99 | 8542.39.0001 | 12,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对系列连接 | 70 v | 215ma | 1.25 V @ 150 mA | 6 ns | 2.5 µA @ 70 V | -55°C〜150°C | |
![]() | SDT20A120CTFP | 0.6414 | ![]() | 3750 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | SDT20 | 肖特基 | ITO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 120 v | 10a | 790 mv @ 10 a | 100 µA @ 120 V | -55°C〜150°C | |||
![]() | CDBT-54C-HF | 0.0621 | ![]() | 1884年 | 0.00000000 | comchip技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | CDBT-54 | 肖特基 | SOT-23-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 641-CDBT-54C-HFTR | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对普通阴极 | 30 V | 200mA | 1 V @ 100 ma | 5 ns | 2 µA @ 25 V | 125°C | ||
![]() | PD100KN8 | 92.6000 | ![]() | 32 | 0.00000000 | Kyocera avx | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 模块 | PD100 | 标准 | 模块 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 478-PD100KN8 | Ear99 | 8541.10.0080 | 32 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对系列连接 | 800 v | 100a | 1.41 V @ 320 A | 7 ma @ 800 V | -40°C〜150°C | |||
![]() | GC2X20MPS12-247 | 16.5525 | ![]() | 9210 | 0.00000000 | 基因半导体 | SIC SC Hottky MPS™ | 管子 | 不适合新设计 | 通过洞 | TO-247-3 | GC2X20 | SIC (碳化硅) | TO-247-3 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1242-1337 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1对普通阴极 | 1200 v | 90A(DC) | 1.8 V @ 20 A | 0 ns | 18 µA @ 1200 V | -55°C 〜175°C | |
![]() | APT2X60DQ60J | 21.9000 | ![]() | 2817 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 积极的 | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | APT2X60 | 标准 | isotop® | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 2独立 | 600 v | 60a | 2.3 V @ 60 A | 160 ns | 25 µA @ 600 V | |||
![]() | NSR0115CQP6T5G | 0.4700 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOT-963 | NSR0115 | 肖特基 | SOT-963 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 8,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 2对普通阴极 | 15 v | 100mA(dc) | 180 mV @ 10 µA | 5 ns | 15 µA @ 10 V | -55°C〜150°C | ||
![]() | VS-VSKCS330/030 | - | ![]() | 5904 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | Add-a-pak(3) | VSKCS330 | 肖特基 | Add-a-Pak® | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | VSVSKCS330030 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | - | 1对普通阴极 | 30 V | 165a | - | |||||
![]() | SB1040CT_T0_00001 | 0.6600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3 | SB1040 | 肖特基 | TO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | 3757-SB1040CT_T0_00001 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 40 V | 10a | 550 mv @ 5 a | 200 µA @ 40 V | -50°C〜125°C | ||
![]() | RBQ10NS100ATL | 1.9000 | ![]() | 970 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | RBQ10 | 肖特基 | LPD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 100 v | 10a | 770 mv @ 5 a | 80 µA @ 100 V | 150°C | |||
STPSC20H065CTY | 7.3700 | ![]() | 296 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3 | STPSC20 | SIC (碳化硅) | TO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 650 v | 10a | 1.75 V @ 10 A | 100 µA @ 650 V | -40°C〜175°C | ||||
![]() | VS-81CNQ035ASLPBF | - | ![]() | 2649 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 过时的 | 表面安装 | D-61-8-SL | 81CNQ035 | 肖特基 | D-61-8-SL | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | VS81CNQ035ASLPBF | Ear99 | 8541.10.0080 | 400 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 35 v | 40a | 600 mv @ 40 a | 5 ma @ 35 V | -55°C 〜175°C | ||
![]() | NTST40100CTG | 2.5600 | ![]() | 160 | 0.00000000 | Onmi | - | 管子 | 上次购买 | 通过洞 | TO-220-3 | NTST40100 | 肖特基 | TO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 100 v | 20a | 800 mv @ 20 a | 12 µA @ 70 V | -40°C〜150°C | |||
![]() | MBRD660CTT4H | - | ![]() | 6611 | 0.00000000 | Onmi | SwitchMode™ | 大部分 | 过时的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | MBRD660 | 肖特基 | DPAK | - | rohs3符合条件 | 供应商不确定 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 60 V | 3a | 700 mv @ 3 a | 100 µA @ 60 V | -65°C〜175°C | |||
![]() | MUR40005CTR | - | ![]() | 3094 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 双子塔 | 标准 | 双子塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | MUR40005CTRGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 50 V | 200a | 1.3 V @ 125 A | 90 ns | 25 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | |||
![]() | SBS822-TL-W | - | ![]() | 8810 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | 6-SMD(5条线),平坦的铅 | SBS822 | 肖特基 | 5-MCPH | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 2独立 | 20 v | 1a | 460 mv @ 1 a | 10 ns | 110 µA @ 10 V | -55°C〜125°C | ||
![]() | SS8P3C-M3/86A | 0.6700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | ESMP® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-277,3-PowerDfn | SS8P3 | 肖特基 | TO-277A(SMPC) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 30 V | 4a | 580 mv @ 4 a | 300 µA @ 30 V | -55°C〜150°C |
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