SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f
EK 09W Sanken EK 09W -
RFQ
ECAD 5254 0.00000000 桑肯 - (TB) 过时的 通过洞 轴向 EK 09 肖特基 - 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 4,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 90 v 810 MV @ 700 mA 1 ma @ 90 V -40°C〜150°C 700mA -
FERD15S50DJF-TR STMicroelectronics FERD15S50DJF-TR 0.9200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectronics - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 8-Powervdfn Ferd15 (ferd (现场效应整流器二极管) PowerFlat™(5x6) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 50 V 480 mv @ 10 A 650 µA @ 50 V 150°C (最大) 15a -
CD0805-B140 Bourns Inc. CD0805-B140 -
RFQ
ECAD 4578 0.00000000 Bourns Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - - CD0805 - - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000
CD2010-B140 Bourns Inc. CD2010-B140 0.1200
RFQ
ECAD 9119 0.00000000 Bourns Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 芯片,凹面端 CD2010 肖特基 2010 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 2,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 40 V 550 mv @ 1 a 100 µA @ 40 V -40°C〜125°C 1a -
S5GHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division s5ghe3_a/i 0.5400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 DO-214AB,SMC S5G 标准 DO-214AB(SMC) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,500 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 400 v 1.15 V @ 5 A 2.5 µs 10 µA @ 400 V -55°C〜150°C 5a 40pf @ 4V,1MHz
SJPJ-L3VR Sanken sjpj-l3vr -
RFQ
ECAD 3729 0.00000000 桑肯 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 2-SMD,J-LEAD SJPJ-L3 肖特基 SJP 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) SJPJ-L3VR DK Ear99 8541.10.0080 1,800 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 30 V 450 mv @ 3 a 300 µA @ 30 V -40°C〜150°C 3a -
ES3CHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division ES3CHE3_A/H 0.3138
RFQ
ECAD 5945 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 DO-214AB,SMC ES3C 标准 DO-214AB(SMC) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 850 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 150 v 900 mv @ 3 a 30 ns 10 µA @ 150 V -55°C〜150°C 3a 45pf @ 4V,1MHz
ES3DHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division es3dhe3_a/h 0.7100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 DO-214AB,SMC ES3D 标准 DO-214AB(SMC) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 850 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 900 mv @ 3 a 30 ns 10 µA @ 200 V -55°C〜150°C 3a 45pf @ 4V,1MHz
RS3BHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division RS3BHE3_A/i 0.2549
RFQ
ECAD 8451 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 DO-214AB,SMC RS3B 标准 DO-214AB(SMC) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 1.3 V @ 2.5 A 150 ns 10 µA @ 100 V -55°C〜150°C 3a 44pf @ 4V,1MHz
SS34HE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS34HE3_A/i -
RFQ
ECAD 5826 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 表面安装 DO-214AB,SMC SS34 肖特基 DO-214AB(SMC) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 40 V 500 mv @ 3 a 500 µA @ 40 V -55°C〜125°C 3a -
CMR1-06 TR13 PBFREE Central Semiconductor Corp CMR1-06 TR13 PBFRE 0.4300
RFQ
ECAD 8 0.00000000 中央半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 DO-214AA,SMB CMR1-06 标准 SMB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.1 V @ 1 A 10 µA @ 600 V -65°C〜175°C 1a 8pf @ 4V,1MHz
CMSH3-40 TR13 PBFREE Central Semiconductor Corp CMSH3-40 TR13 PBFRE 0.5100
RFQ
ECAD 21 0.00000000 中央半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 DO-214AB,SMC CMSH3 肖特基 SMC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 40 V 500 mv @ 3 a 500 µA @ 40 V -65°C〜150°C 3a -
CMMR1S-02 TR PBFREE Central Semiconductor Corp CMMR1S-02 TR PBFRE 0.6200
RFQ
ECAD 5 0.00000000 中央半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SOD-123F CMMR1 标准 SOD-123F 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 950 MV @ 1 A 35 ns 10 µA @ 200 V -65°C〜150°C 1a 4pf @ 4V,1MHz
1N4004GPEHE3/91 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4004GPEHE3/91 -
RFQ
ECAD 4552 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N4004 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,500 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 400 v 1.1 V @ 1 A 2 µs 5 µA @ 400 V -65°C〜175°C 1a 8pf @ 4V,1MHz
1N4004GPEHE3/93 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4004GPEHE3/93 -
RFQ
ECAD 3551 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N4004 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,500 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 400 v 1.1 V @ 1 A 2 µs 5 µA @ 400 V -65°C〜175°C 1a 8pf @ 4V,1MHz
1N4007GPE-M3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4007GPE-M3/54 -
RFQ
ECAD 6433 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N4007 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 5,500 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1000 v 1.1 V @ 1 A 5 µA @ 1000 V -50°C〜150°C 1a 15pf @ 4V,1MHz
1N4448WS-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4448WS-HE3-18 0.0360
RFQ
ECAD 2678 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SC-76,SOD-323 1N4448 标准 SOD-323 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 10,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 75 v 720 mv @ 5 ma 4 ns 5 µA @ 75 V -55°C〜150°C 150mA -
EGP10GE-M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGP10GE-M3/73 -
RFQ
ECAD 1396 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 EGP10 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 400 v 1.25 V @ 1 A 50 ns 5 µA @ 400 V -65°C〜150°C 1a 15pf @ 4V,1MHz
GP10D-4003E-M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP10D-4003E-M3/73 -
RFQ
ECAD 7289 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 GP10 标准 DO-204AL(DO-41) - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 200 v 1.1 V @ 1 A 3 µs 5 µA @ 200 V -65°C〜175°C 1a 8pf @ 4V,1MHz
GP10J-4005E-M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP10J-4005E-M3/73 -
RFQ
ECAD 7148 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 GP10 标准 DO-204AL(DO-41) - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 600 v 1.1 V @ 1 A 3 µs 5 µA @ 600 V -65°C〜175°C 1a 8pf @ 4V,1MHz
GP10AHM3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP10AHM3/73 -
RFQ
ECAD 7923 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 GP10 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 50 V 1.1 V @ 1 A 3 µs 5 µA @ 50 V -65°C〜175°C 1a 8pf @ 4V,1MHz
GP10W-E3/53 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP10W-E3/53 -
RFQ
ECAD 1636年 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 GP10 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1500 v 1.1 V @ 1 A 3 µs 5 µA @ 1500 V -65°C〜150°C 1a 5pf @ 4V,1MHz
GP10YHM3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP10YHM3/73 -
RFQ
ECAD 6585 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 GP10 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1600 v 1.1 V @ 1 A 3 µs 5 µA @ 1600 V -65°C〜150°C 1a 5pf @ 4V,1MHz
MPG06GHE3_A/53 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MPG06GHE3_A/53 0.1487
RFQ
ECAD 5033 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 (TB) 积极的 通过洞 MPG06,轴向 MPG06 标准 MPG06 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 400 v 1.1 V @ 1 A 600 ns 5 µA @ 400 V -55°C〜150°C 1a 10pf @ 4V,1MHz
MPG06J-E3/100 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MPG06J-E3/100 0.1487
RFQ
ECAD 6357 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 积极的 通过洞 MPG06,轴向 MPG06 标准 MPG06 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 600 v 1.1 V @ 1 A 600 ns 5 µA @ 600 V -55°C〜150°C 1a 10pf @ 4V,1MHz
BYM36D-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYM36D-TAP 0.5247
RFQ
ECAD 6177 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 积极的 通过洞 SOD-64,轴向 BYM36 雪崩 SOD-64 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 12,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 800 v 1.78 V @ 3 A 150 ns 5 µA @ 800 V -55°C 〜175°C 2.9a -
BYT52M-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYT52M-TAP 0.7400
RFQ
ECAD 1022 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (CT) 积极的 通过洞 SOD-57,轴向 BYT52 雪崩 SOD-57 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 5,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1000 v 1.3 V @ 1 A 200 ns 5 µA @ 1000 V -55°C 〜175°C 1.4a -
BYT53D-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYT53D-TAP 0.2970
RFQ
ECAD 6069 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 积极的 通过洞 SOD-57,轴向 BYT53 雪崩 SOD-57 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 25,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 1.1 V @ 1 A 50 ns 5 µA @ 200 V -55°C 〜175°C 1.9a -
BYW178-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYW178-TAP 0.5940
RFQ
ECAD 3250 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 积极的 通过洞 SOD-64,轴向 BYW178 雪崩 SOD-64 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 12,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 800 v 1.9 V @ 3 A 60 ns 1 µA @ 800 V -55°C 〜175°C 3a -
BYW83TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division byw83tap 0.5247
RFQ
ECAD 6020 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 积极的 通过洞 SOD-64,轴向 Byw83 雪崩 SOD-64 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 12,500 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 400 v 1 V @ 3 A 7.5 µs 1 µA @ 400 V -55°C 〜175°C 3a 60pf @ 4V,1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库