SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f
S40A4 Microchip Technology S40A4 70.0350
RFQ
ECAD 2981 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 标准 do-5 - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 400 v 1.1 V @ 40 A 3 µs - 40a -
VS-25FR80M Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-25FR80M 11.4300
RFQ
ECAD 6898 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203AA,do-4,螺柱 25FR80 标准,反极性 DO-203AA(DO-4) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 800 v 1.3 V @ 78 A -65°C〜175°C 25a -
MBR8200F_T0_00001 Panjit International Inc. MBR8200F_T0_00001 0.9900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. - 管子 积极的 通过洞 TO-220-2完整包,隔离选项卡 MBR8200 肖特基 ITO-220AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 3757-MBR8200F_T0_00001 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 900 mv @ 8 a 50 µA @ 200 V -65°C〜175°C 8a -
RS1JLHMQG Taiwan Semiconductor Corporation RS1JLHMQG -
RFQ
ECAD 8103 0.00000000 台湾半导体公司 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 do-219ab RS1J 标准 SMA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 10,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.3 V @ 800 mA 250 ns 5 µA @ 600 V -55°C〜150°C 800mA 10pf @ 4V,1MHz
1N1199AR Microchip Technology 1N1199AR 75.5700
RFQ
ECAD 7996 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 螺柱坐骑 do-203AA,do-4,螺柱 1N1199 标准,反极性 DO-4(do-203AA) 下载 Rohs不合规 到达不受影响 1N1199ARMS Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 50 V 1.2 V @ 30 A 10 µA @ 50 V -65°C 〜200°C 12a -
SBA0840CS_R1_00001 Panjit International Inc. SBA0840CS_R1_00001 0.3600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Panjit International Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SC-90,SOD-323F SBA0840 肖特基 SOD-323 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 3757-SBA0840CS_R1_00001DKR Ear99 8541.10.0080 5,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 40 V 700 MV @ 800 mA 50 µA @ 40 V -55°C〜150°C 800mA -
BAS40-HF Comchip Technology BAS40-HF 0.0460
RFQ
ECAD 7539 0.00000000 comchip技术 BAS40-XX-HF 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BAS40 肖特基 SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 641-BAS40-HFTR Ear99 8541.10.0070 3,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 40 V 1 V @ 40 mA 5 ns 200 na @ 30 V 125°C 200mA 5pf @ 0v,1MHz
RURG8080 Harris Corporation RURG8080 3.1000
RFQ
ECAD 703 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 积极的 通过洞 TO-247-2 雪崩 TO-247-2 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 800 v 1.9 V @ 80 A 200 ns 500 µA @ 800 V -65°C〜175°C 80a -
VS-E5TH2112S2LHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-E5TH2112S2LHM3 3.0200
RFQ
ECAD 850 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,Fredpt®G5 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB 标准 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 800 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1200 v 2.66 V @ 20 A 125 ns 50 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C 20a -
SX32_R1_00001 Panjit International Inc. SX32_R1_00001 0.3800
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Panjit International Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 do-214ac,SMA SX32 肖特基 SMA(do-214ac) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 3757-SX32_R1_00001DKR Ear99 8541.10.0080 1,800 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 20 v 500 mv @ 3 a 200 µA @ 20 V -55°C〜125°C 3a -
US1BFL-TP Micro Commercial Co US1BFL-TP 0.0509
RFQ
ECAD 3331 0.00000000 微商业公司 - 大部分 积极的 表面安装 do-221ac,sma平面线索 US1B 标准 DO-221AC(SMA-FL) 下载 353-us1bfl-tp Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 1 V @ 1 A 50 ns 10 µA @ 100 V -65°C〜150°C 1a 20pf @ 4V,1MHz
1N5818-1/TR Microchip Technology 1N5818-1/tr -
RFQ
ECAD 1524年 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 肖特基 do-41 - (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 145 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 30 V 600 mV @ 1 A 100 µA @ 30 V - 1a -
V30KM100-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V30km100-m3/i 0.4843
RFQ
ECAD 2042 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 8-POWERTDFN 肖特基 Flatpak((5x6) 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 112-V30km100-m3/itr Ear99 8541.10.0080 6,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 810 MV @ 30 A 300 µA @ 100 V -40°C〜165°C 4.4a 2450pf @ 4V,1MHz
S1AFG-M3/6A Vishay General Semiconductor - Diodes Division S1AFG-M3/6A 0.0858
RFQ
ECAD 1103 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 do-221ac,sma平面线索 S1A 标准 DO-221AC(Slimsma) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,500 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 400 v 1.1 V @ 1 A 1.47 µs 5 µA @ 400 V -55°C〜150°C 1a 7.9pf @ 4V,1MHz
RS2D-E3/5BT Vishay General Semiconductor - Diodes Division RS2D-E3/5BT 0.4200
RFQ
ECAD 4129 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 DO-214AA,SMB RS2D 标准 DO-214AA(SMB) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3200 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 1.3 V @ 1.5 A 150 ns 5 µA @ 200 V -55°C〜150°C 1.5a 20pf @ 4V,1MHz
S1BL RUG Taiwan Semiconductor Corporation S1BL地毯 0.1605
RFQ
ECAD 1865年 0.00000000 台湾半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 do-219ab S1B 标准 SMA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,800 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 100 v 1.1 V @ 1 A 1.8 µs 5 µA @ 100 V -55°C 〜175°C 1a 9pf @ 4V,1MHz
1N4148WS_R1_00001 Panjit International Inc. 1N4148WS_R1_00001 0.1300
RFQ
ECAD 22 0.00000000 Panjit International Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SC-90,SOD-323F 1N4148 标准 SOD-323 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 3757-1N4148WS_R1_00001TR Ear99 8541.10.0070 5,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 75 v 1.25 V @ 150 mA 4 ns 2.5 µA @ 75 V -55°C〜150°C 200mA 1.5pf @ 0v,1MHz
VS-VS24EDR20L Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VS24EDR20L -
RFQ
ECAD 3255 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 上次购买 VS24 - 112-VS-VS24EDR20L 1
GL34M Diotec Semiconductor GL34M 0.0528
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ECAD 3935 0.00000000 diotec半导体 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 do-213aa 标准 do-213aa,迷你甲 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2796-GL34MTR 8541.10.0000 2,500 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1000 v 1.3 V @ 500 mA 1.5 µs 5 µA @ 1000 V -50°C〜175°C 500mA -
FESF8JTHE3_A/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division fesf8jthe3_a/p 0.9405
RFQ
ECAD 3545 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 积极的 通过洞 TO-220-2完整包,隔离选项卡 FESF8 标准 ITO-220AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.5 V @ 8 A 50 ns 10 µA @ 600 V -55°C〜150°C 8a -
ES1JL RFG Taiwan Semiconductor Corporation ES1JL RFG -
RFQ
ECAD 6478 0.00000000 台湾半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 do-219ab ES1J 标准 SMA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.7 V @ 1 A 35 ns 5 µA @ 600 V -55°C〜150°C 1a 8pf @ 1V,1MHz
GP20B-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP20B-E3/54 -
RFQ
ECAD 4568 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 通过洞 do-201aa,do-27,轴向 GP20 标准 GP20 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,400 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 100 v 1.2 V @ 2 A 5 µs 5 µA @ 100 V -65°C〜150°C 2a -
SS14L_R1_00001 Panjit International Inc. SS14L_R1_00001 0.2900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Panjit International Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 do-214ac,SMA SS14 肖特基 SMA(do-214ac) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 3757-SS14L_R1_00001DKR Ear99 8541.10.0080 1,800 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 40 V 420 mv @ 1 A 100 µA @ 40 V -55°C〜125°C 1a -
RS1GHE3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division RS1GHE3/5AT -
RFQ
ECAD 9664 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 do-214ac,SMA RS1 标准 DO-214AC(SMA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 7,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 400 v 1.3 V @ 1 A 150 ns 5 µA @ 400 V -55°C〜150°C 1a 10pf @ 4V,1MHz
S4A R6 Taiwan Semiconductor Corporation S4A R6 -
RFQ
ECAD 1020 0.00000000 台湾半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 表面安装 DO-214AB,SMC 标准 DO-214AB(SMC) - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 1801-S4AR6TR Ear99 8541.10.0080 3,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 50 V 1.15 V @ 4 A 1.5 µs 10 µA @ 50 V -55°C〜150°C 4a 60pf @ 4V,1MHz
RS3BHR7G Taiwan Semiconductor Corporation 3bhr7g卢比 -
RFQ
ECAD 8364 0.00000000 台湾半导体公司 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 表面安装 DO-214AB,SMC RS3B 标准 DO-214AB(SMC) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 850 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 1.3 V @ 3 A 150 ns 10 µA @ 100 V -55°C〜150°C 3a -
MSASC150H60L Microchip Technology MSASC150H60L -
RFQ
ECAD 2300 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 - Rohs不合规 到达不受影响 0000.00.0000 100
RS3KHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division rs3khe3_a/h 0.6600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 DO-214AB,SMC RS3K 标准 DO-214AB(SMC) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 850 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 800 v 1.3 V @ 2.5 A 500 ns 10 µA @ 800 V -55°C〜150°C 3a 34pf @ 4V,1MHz
G5S06504HT Global Power Technology Co. Ltd G5S06504HT -
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ECAD 6825 0.00000000 全球电力技术有限公司 - 大部分 积极的 通过洞 TO-220-2完整包 SIC (碳化硅) TO-220F - 供应商不确定 4436-G5S06504HT 1 没有恢复t> 500mA(IO) 650 v 1.6 V @ 4 A 0 ns 50 µA @ 650 V -55°C 〜175°C 9.7a 181pf @ 0v,1MHz
SBT1030 Diotec Semiconductor SBT1030 0.4829
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ECAD 2205 0.00000000 diotec半导体 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-2 肖特基 TO-220AC 下载 rohs3符合条件 不适用 2796-SBT1030 8541.10.0000 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 30 V 550 mv @ 10 a 300 µA @ 30 V -50°C〜150°C 10a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库