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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | R9G21209ASOO | - | ![]() | 9831 | 0.00000000 | Powerex Inc. | * | 大部分 | 过时的 | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3 | ||||||||||||||||
![]() | 1N3163R | - | ![]() | 7807 | 0.00000000 | Powerex Inc. | - | 大部分 | 积极的 | 1N3163 | - | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | |||||||||||||||
![]() | VS-8EWH06FN-M3 | 1.0600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | Fredpt® | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | 8EWH06 | 标准 | D-pak(TO-252AA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 75 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 2.4 V @ 8 A | 25 ns | 50 µA @ 600 V | -65°C〜175°C | 8a | - | ||
![]() | VS-5EWX06FN-M3 | 0.8800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | Fredpt® | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | 5EWX06 | 标准 | D-pak(TO-252AA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 75 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 2.9 V @ 5 A | 21 ns | 20 µA @ 600 V | -65°C〜175°C | 5a | - | ||
![]() | FMX-111106 | 1.8300 | ![]() | 61 | 0.00000000 | 桑肯 | - | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-220-2完整包 | 标准 | TO-220F-2L | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | FMX-11106S DK | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.5 V @ 5 A | 30 ns | 50 µA @ 600 V | -40°C〜150°C | 10a | - | |||
![]() | VS-30WQ03FNPBF | - | ![]() | 1220 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 过时的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | 30WQ03 | 肖特基 | D-pak(TO-252AA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 75 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 30 V | 450 mv @ 3 a | 2 ma @ 30 V | -40°C〜150°C | 3.5a | 290pf @ 5V,1MHz | |||
![]() | VS-30WQ06FNPBF | - | ![]() | 7544 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 过时的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | 30WQ06 | 肖特基 | D-pak(TO-252AA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 75 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 60 V | 610 MV @ 3 A | 2 ma @ 60 V | -40°C〜150°C | 3.5a | 145pf @ 5V,1MHz | |||
![]() | VS-245NQ015PBF | 27.3715 | ![]() | 7801 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | D-67半粉 | 245NQ015 | 肖特基 | D-67半粉 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 15 v | 520 MV @ 240 A | 80 ma @ 15 V | 240a | 15800pf @ 5V,1MHz | ||||
![]() | VS-VSKE270-16 | - | ![]() | 1615年 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 3-magn-a-pak™ | VSKE270 | 标准 | Magn-A-Pak® | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1600 v | 270a | - | ||||||
![]() | SBR10U45SD1-T | 0.8900 | ![]() | 76 | 0.00000000 | 二极管合并 | SBR® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | DO-201 AD,轴向 | SBR10 | 超级障碍 | Do-201 AD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1200 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 45 v | 470 mv @ 10 A | 300 µA @ 45 V | -65°C〜150°C | 10a | - | |||
JANTXV1N6624 | 19.7550 | ![]() | 3434 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/585 | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | a,轴向 | 1N6624 | 标准 | a,轴向 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 990 v | 1.55 V @ 1 A | 50 ns | 500 NA @ 990 V | -65°C〜150°C | 1a | - | |||
JANTXV1N6626US | - | ![]() | 6905 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/590 | 大部分 | 在sic中停产 | 表面安装 | SQ-MELF,E | 标准 | D-5B | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 220 v | 1.35 V @ 2 A | 30 ns | 2 µA @ 220 V | -65°C〜150°C | 1.75a | 40pf @ 10V,1MHz | ||||
![]() | DB2631100L | - | ![]() | 9680 | 0.00000000 | 松下电子组件 | - | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | 表面安装 | SOD-882 | DB26311 | 标准 | SOD-882 | - | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 30 V | 560 mv @ 200 ma | 2.2 ns | 5 µA @ 30 V | 125°c (最大) | 200mA | 6pf @ 10V,1MHz | |||
1N6073 | - | ![]() | 1660年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 在sic中停产 | 通过洞 | a,轴向 | 标准 | a,轴向 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 50 V | 2.04 V @ 9.4 A | 30 ns | 1 µA @ 50 V | -65°C〜155°C | 850mA | - | ||||
1N485 | 4.2150 | ![]() | 8197 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N485 | 标准 | do-7 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 180 v | 1 V @ 100 ma | 25 na @ 180 V | -65°C〜175°C | 100mA | - | ||||
![]() | 1N5281B(DO-35) | - | ![]() | 8739 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N5281 | do-35 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 ma | 100 NA @ 152 V | |||||||||
![]() | 1N5552 | 5.8400 | ![]() | 1047 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | B,轴向 | 1N5552 | 标准 | B,轴向 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 600 v | 1.2 V @ 9 A | 2 µs | 1 µA @ 600 V | -65°C〜175°C | 3a | - | ||
1N5616 | 3.3200 | ![]() | 75 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | a,轴向 | 1N5616 | 标准 | a,轴向 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 400 v | 1.3 V @ 3 A | 2 µs | 500 NA @ 400 V | -65°C 〜200°C | 1a | - | |||
1N5616US | 7.0500 | ![]() | 7024 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | SQ-MELF,a | 1N5616 | 标准 | D-5A | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 400 v | 1.3 V @ 3 A | 2 µs | 500 NA @ 400 V | -65°C 〜200°C | 1a | - | |||
1N5621 | - | ![]() | 4240 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 在sic中停产 | 通过洞 | a,轴向 | 标准 | a,轴向 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 800 v | 1.6 V @ 3 A | 300 ns | 500 NA @ 800 V | -65°C〜175°C | 1a | 20pf @ 12v,1MHz | ||||
1N3070UR-1 | 7.0200 | ![]() | 5053 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N3070 | 标准 | do-7 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 175 v | 1 V @ 100 ma | 50 ns | 100 NA @ 175 V | -65°C〜175°C | 100mA | - | |||
![]() | HS247180R | - | ![]() | 1413 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 半粉 | 肖特基,反极性 | 半粉 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 180 v | 860 MV @ 240 A | 8 ma @ 180 V | 240a | 6000pf @ 5V,1MHz | ||||||
JANTXV1N5622U | 16.6650 | ![]() | 1279 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/427 | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | SQ-MELF,a | 1N5622 | 标准 | D-5A | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1000 v | 1.3 V @ 3 A | 2 µs | 500 NA @ 1000 V | -65°C 〜200°C | 1a | - | |||
![]() | JANTXV1N5809US | 12.3150 | ![]() | 8130 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/477 | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | SQ-MELF,b | 1N5809 | 标准 | B,平方米 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 875 mv @ 4 A | 30 ns | 5 µA @ 100 V | -65°C〜175°C | 3a | 60pf @ 10V,1MHz | ||
![]() | CDLL5711 | 11.0600 | ![]() | 253 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | do-213aa | CDLL5711 | 肖特基 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 50 V | 410 MV @ 1 mA | 200 na @ 50 V | -65°C〜150°C | 33ma | 2pf @ 0v,1MHz | |||
![]() | JANTX1N3646 | 19.0050 | ![]() | 8216 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/279 | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | S,轴向 | 1N3646 | 标准 | S,轴向 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1750 v | 5 V @ 250 MA | 5 µA @ 1750 V | -65°C〜175°C | 250mA | - | |||
JANTX1N5416US | 11.5500 | ![]() | 2680 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/411 | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | SQ-MELF,E | 1N5416 | 标准 | D-5B | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 1.5 V @ 9 A | 150 ns | 1 µA @ 100 V | -65°C〜175°C | 3a | - | |||
![]() | JANTX1N5554 | 8.2000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/420 | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | B,轴向 | 1N5554 | 标准 | B,轴向 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1000 v | 1.3 V @ 9 A | 2 µs | 2 µA @ 1000 V | -65°C〜175°C | 5a | - | ||
![]() | JANTX1N5811US | 8.6700 | ![]() | 12 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/477 | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | SQ-MELF,b | 1N5811 | 标准 | B,平方米 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 150 v | 875 mv @ 4 A | 30 ns | 5 µA @ 150 V | -65°C〜175°C | 3a | 60pf @ 10V,1MHz | ||
JANTX1N6074 | 15.7350 | ![]() | 3209 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/503 | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | a,轴向 | 1N6074 | 标准 | a-pak | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 2.04 V @ 9.4 A | 30 ns | 1 µA @ 100 V | -65°C〜155°C | 850mA | - |
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