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es1glhrug | - | ![]() | 2371 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-219ab | es1g | 标准 | SMA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 400 v | 1.3 V @ 1 A | 35 ns | 5 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 1a | 8pf @ 4V,1MHz | |||
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![]() | S40A4 | 70.0350 | ![]() | 2981 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 标准 | do-5 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 400 v | 1.1 V @ 40 A | 3 µs | - | 40a | - | |||||
![]() | VS-25FR80M | 11.4300 | ![]() | 6898 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203AA,do-4,螺柱 | 25FR80 | 标准,反极性 | DO-203AA(DO-4) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 800 v | 1.3 V @ 78 A | -65°C〜175°C | 25a | - | ||||
![]() | MBR8200F_T0_00001 | 0.9900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2完整包,隔离选项卡 | MBR8200 | 肖特基 | ITO-220AC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 3757-MBR8200F_T0_00001 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 900 mv @ 8 a | 50 µA @ 200 V | -65°C〜175°C | 8a | - | ||
RS1JLHMQG | - | ![]() | 8103 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-219ab | RS1J | 标准 | SMA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.3 V @ 800 mA | 250 ns | 5 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 800mA | 10pf @ 4V,1MHz | |||
![]() | 1N1199AR | 75.5700 | ![]() | 7996 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-203AA,do-4,螺柱 | 1N1199 | 标准,反极性 | DO-4(do-203AA) | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | 1N1199ARMS | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 50 V | 1.2 V @ 30 A | 10 µA @ 50 V | -65°C 〜200°C | 12a | - | |||
![]() | SBA0840CS_R1_00001 | 0.3600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-90,SOD-323F | SBA0840 | 肖特基 | SOD-323 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 3757-SBA0840CS_R1_00001DKR | Ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 40 V | 700 MV @ 800 mA | 50 µA @ 40 V | -55°C〜150°C | 800mA | - | ||
![]() | BAS40-HF | 0.0460 | ![]() | 7539 | 0.00000000 | comchip技术 | BAS40-XX-HF | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BAS40 | 肖特基 | SOT-23-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 641-BAS40-HFTR | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 40 V | 1 V @ 40 mA | 5 ns | 200 na @ 30 V | 125°C | 200mA | 5pf @ 0v,1MHz | ||
![]() | VS-E5TH2112S2LHM3 | 3.0200 | ![]() | 850 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101,Fredpt®G5 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | 标准 | TO-263AB(D²Pak) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1200 v | 2.66 V @ 20 A | 125 ns | 50 µA @ 1200 V | -55°C 〜175°C | 20a | - | ||||
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![]() | US1BFL-TP | 0.0509 | ![]() | 3331 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | do-221ac,sma平面线索 | US1B | 标准 | DO-221AC(SMA-FL) | 下载 | 353-us1bfl-tp | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 1 V @ 1 A | 50 ns | 10 µA @ 100 V | -65°C〜150°C | 1a | 20pf @ 4V,1MHz | ||||
![]() | 1N5818-1/tr | - | ![]() | 1524年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 肖特基 | do-41 | - | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 145 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 30 V | 600 mV @ 1 A | 100 µA @ 30 V | - | 1a | - | ||||||
![]() | V30km100-m3/i | 0.4843 | ![]() | 2042 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | 8-POWERTDFN | 肖特基 | Flatpak((5x6) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 112-V30km100-m3/itr | Ear99 | 8541.10.0080 | 6,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 810 MV @ 30 A | 300 µA @ 100 V | -40°C〜165°C | 4.4a | 2450pf @ 4V,1MHz |
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