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内存 -4191）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 包装 /案例 基本产品编号 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 内存类型 内存大小 转移率（MB/S，MT/S，MHz）
MT18LSDT6472Y-133G1 Micron Technology Inc. MT18LSDT6472Y-133G1 -
RFQ
 ECAD 3377 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 168-RDIMM - rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8542.32.0024 100 Sdram 512MB 133
AQD-SD3L8GN16-MG Advantech Corp AQD-SD3L8GN16-mg -
RFQ
 ECAD 3672 0.00000000 Advantech Corp - 大部分 在sic中停产 204-Sodimm 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 3A991B2A 8471.70.9000 1 DDR3L SDRAM 8GB 1600
SGV08G72B1BE2MT-DCRT Swissbit SGV08G72B1BE2MT-DCRT -
RFQ
 ECAD 1433 0.00000000 瑞士 - 托盘 在sic中停产 240-XRDIMM - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 3A991B1A 8523.51.0000 100 DDR3 SDRAM 8GB 1600
SGN02G72F1BF1SA-DCRT Swissbit SGN02G72F1BF1SA-DCRT -
RFQ
 ECAD 4884 0.00000000 瑞士 - 托盘 过时的 204-SO-UDIMM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 过时的 0000.00.0000 100 DDR3 SDRAM 2GB 1600
AW24M7228BLF8MW ATP Electronics, Inc. AW24M7228BLF8MW 124.5640
RFQ
 ECAD 5835 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 240-udimm AW24M7228 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 DDR3 SDRAM 8GB 1066
MT18VDVF12872DY-335F1 Micron Technology Inc. MT18VDVF12872DY-335F1 -
RFQ
 ECAD 7357 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 184-rdimm 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR SDRAM 1GB 333
MT8VDDT6464HY-265D1 Micron Technology Inc. MT8VDDT6464HY-265D1 -
RFQ
 ECAD 1991 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 过时的 200-sodimm - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR SDRAM 512MB 266
MTA36ASF8G72PZ-2G9B2 Micron Technology Inc. MTA36ASF8G72PZ-2G9B2 -
RFQ
 ECAD 7510 0.00000000 微米技术公司 DDR4 SDRAM 大部分 过时的 288-RDIMM MTA36 下载 rohs3符合条件 557-MTA36ASF8G72PZ-2G9B2 Ear99 8473.30.1140 100 DDR4 SDRAM 64GB 2933
D11.18161S.001 Adafruit Industries LLC D11.18161S.001 -
RFQ
 ECAD 3594 0.00000000 Adafruit Industries LLC - 大部分 过时的 - 1582-D11.18161S.001 1
WD2RE04GX836-667I-PFI Wintec Industries WD2RE04GX836-667I-PFI -
RFQ
 ECAD 6589 0.00000000 Wintec Industries - 托盘 过时的 240-RDIMM 下载 （1 （无限） 385-1107 5A002A1 8473.30.1140 25 DDR2 SDRAM 4GB 667
MTA8ATF1G64HZ-2G3E1 Micron Technology Inc. MTA8ATF1G64Hz-2G3E1 -
RFQ
 ECAD 3918 0.00000000 微米技术公司 DDR4 SDRAM 托盘 过时的 260-Sodimm - rohs3符合条件 557-MTA8ATF1G64HZ-2G3E1 Ear99 8473.30.1140 100 DDR4 SDRAM 8GB 2400
AW24P64F8BLH9M ATP Electronics, Inc. AW24P64F8BLHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHH的所以 111.9672
RFQ
 ECAD 6110 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 240-udimm AW24P64 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 8GB
MT8HTF6464AY-40EB8 Micron Technology Inc. MT8HTF6464AY-40EB8 -
RFQ
 ECAD 5488 0.00000000 微米技术公司 - 过时的 240-udimm - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 512MB 400
AT32L64A6SHC4M ATP Electronics, Inc. AT32L64A6SHC4M 41.2900
RFQ
 ECAD 6505 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 200-sodimm AT32L64 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 DDR SDRAM 256MB
MT9VDDT3272HG-265G2 Micron Technology Inc. MT9VDDT3272HG-265G2 -
RFQ
 ECAD 9456 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 过时的 200-sodimm 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR SDRAM 256MB 266
AJ28K64J8BJF7M ATP Electronics, Inc. AJ28K64J8BJF7M 40.4985
RFQ
 ECAD 9036 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 模块 AJ28K64 - rohs3符合条件 到达不受影响 3A991B2A 8471.70.9000 50 DDR2 SDRAM 1GB 800
MT16LSDT6464AY-133D2 Micron Technology Inc. MT16LSDT6464AY-133D2 -
RFQ
 ECAD 4454 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 168-udimm 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 Sdram 512MB 133
MT9KSF51272PZ-1G6E2 Micron Technology Inc. MT9KSF51272PZ-1G6E2 -
RFQ
 ECAD 8810 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 240-RDIMM - rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8473.30.1140 100 DDR3L SDRAM 4GB 1600
MT18KSF1G72AKIZ-1G4E1 Micron Technology Inc. MT18KSF1G72AKIZ-1G4E1 -
RFQ
 ECAD 3779 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 244-Miniudimm - rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8542.32.0036 100 DDR3L SDRAM 8GB 1333
MT8HTF12864AY-40EA1 Micron Technology Inc. MT8HTF12864AY-40EA1 455.5514
RFQ
 ECAD 9948 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 在sic中停产 240-udimm 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 1GB 400
MT8VDDT3264AY-335G6 Micron Technology Inc. MT8VDDT3264AY-335G6 -
RFQ
 ECAD 2023 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 184-udimm 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR SDRAM 256MB 333
MTEDCAR004SAJ-1N2IT Micron Technology Inc. MedCar004SAJ-1N2IT -
RFQ
 ECAD 2513 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 模块 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 150 Flash -nand（slc） 4GB -
AQ56M72X8BKH9M ATP Electronics, Inc. AQ56M72X8BKH9M 58.0545
RFQ
 ECAD 8374 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 AQ56M72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 2GB
SFUI4096J1AE2TO-I-QT-2A1-STD Swissbit SFUI4096J1AE2TO-i-QT-2A1-STD 93.5900
RFQ
 ECAD 5218 0.00000000 瑞士 U-500 大部分 不适合新设计 模块 SFUI4096 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 3A991B1A 8523.51.0000 1 Flash -nand（slc） 4GB -
SFUI8192J1AB1TO-I-GS-2AP-STD Swissbit sfui8192j1ab1to-i-gs-2ap-std -
RFQ
 ECAD 6806 0.00000000 瑞士 Everbit™U-46 托盘 过时的 模块 下载 rohs3符合条件 不适用 605856 3A991B1A 8523.51.0000 1 Flash -nand（slc） 8GB -
A4D32QB8BVWEMW ATP Electronics, Inc. A4D32QB8BVWEMW 302.7700
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 ATP电子，Inc。 * 托盘 积极的 下载 （1 （无限） 到达不受影响 1282-A4D32QB8BVWEMW Ear99 8473.30.1140 50
AD4X240022G17-BSSE ADATA AD4X240022G17-BSSE 23.4100
RFQ
 ECAD 8997 0.00000000 阿达塔 DDR4 DIMM 大部分 积极的 288-udimm - rohs3符合条件 （1 （无限） 4670-AD4X240022G17-BSSE 1 DDR4 SDRAM 2GB 2400
MT16KTF1G64HZ-1G9E1 Micron Technology Inc. MT16KTF1G64Hz-1G9E1 -
RFQ
 ECAD 6120 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 204-Sodimm 下载 rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8473.30.1140 100 DDR3L SDRAM 8GB 1866年
78.B2GCF.4020B Apacer Memory America 78.B2GCF.4020B -
RFQ
 ECAD 9391 0.00000000 Apacer Memory America - 大部分 过时的 204-Sodimm 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 1582-78.B2GCF.4020B Ear99 8473.30.1140 1 DDR3 SDRAM 4GB 1333
AW12P7218BLMAMW ATP Electronics, Inc. AW12P7218BLMAMW 75.2320
RFQ
 ECAD 8792 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 240-udimm AW12P7218 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 DDR3 SDRAM 4GB 1866年
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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