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内存 -4191）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 包装 /案例 基本产品编号 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 内存类型 内存大小 转移率（MB/S，MT/S，MHz）
SQR-SD4N-4G2K1HEC Advantech Corp SQR-SD4N-4G2K1HEC -
RFQ
 ECAD 4606 0.00000000 Advantech Corp * 大部分 积极的 SQR-SD4 - Ear99 8473.30.1140 1
A4B04QG4BLPBSE ATP Electronics, Inc. A4B04QG4BLPBSE 77.1600
RFQ
 ECAD 5649 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 A4B04 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 25 DDR4 SDRAM 4GB 2400
AH56K72L8BJF7M ATP Electronics, Inc. AH56K72L8BJF7M 54.1216
RFQ
 ECAD 3754 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 模块 AH56K72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 200 DDR2 SDRAM 2GB 800
MT18HTF51272AZ-80EC1 Micron Technology Inc. MT18HTF51272AZ-80EC1 177.4691
RFQ
 ECAD 7277 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 在sic中停产 240-udimm 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 100 DDR2 SDRAM 4GB 800
MT9JSF25672AZ-1G1D1 Micron Technology Inc. MT9JSF25672AZ-1G1D1 -
RFQ
 ECAD 5418 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 过时的 240-udimm 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 100 DDR3 SDRAM 2GB 1066
MTA18ASF1G72PZ-2G6F1 Micron Technology Inc. MTA18ASF1G72PZ-2G6F1 -
RFQ
 ECAD 4512 0.00000000 微米技术公司 DDR4 RDIMM 大部分 上次购买 288-RDIMM - 到达不受影响 557-MTA18ASF1G72PZ-2G6F1 1 DDR4 SDRAM 8GB 2666
AD4I320038G22-BSSC ADATA AD4I320038G22-BSSC 61.6100
RFQ
 ECAD 6308 0.00000000 阿达塔 DDR4 SO-DIMM 大部分 积极的 260-Sodimm 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 4670-AD4I320038G22-BSSC 1 DDR4 SDRAM 8GB 3200
MTA18ASF2G72PZ-2G3B1 Micron Technology Inc. MTA18ASF2G72PZ-2G3B1 -
RFQ
 ECAD 7968 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 288-RDIMM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8473.30.1180 1 DDR4 SDRAM 16 GB 2400
D22.27261S.001 Apacer Memory America D22.27261S.001 84.3100
RFQ
 ECAD 7104 0.00000000 Apacer Memory America DDR4 SDRAM UDIMM 大部分 积极的 260-Sodimm - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 1582-D22.27261S.001 1 DDR4 SDRAM 16 GB 3200
D21.08115N.001 Apacer Memory America D21.08115N.001 111.1600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Apacer Memory America - 大部分 积极的 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 1582-D21.08115N.001 3A991B2A 8471.70.9000 1
MT4LSDT1664AY-133G1 Micron Technology Inc. MT4LSDT1664AY-133G1 -
RFQ
 ECAD 7112 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 168-udimm MT4LSDT - rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 100 Sdram 128MB 133
AW48M64F8BNK0M ATP Electronics, Inc. AW48M64F8BNK0M 224.8155
RFQ
 ECAD 2420 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 240-udimm AW48M64 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 200 DDR3 SDRAM 16 GB 1600
78.C1GM4.4010B Apacer Memory America 78.C1GM4.4010B 72.3100
RFQ
 ECAD 4223 0.00000000 Apacer Memory America - 大部分 积极的 288-udimm 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 1582-78.C1GM4.4010B Ear99 8473.30.1140 1 DDR4 SDRAM 8GB 2133
AL56M72A8BKK0M ATP Electronics, Inc. AL56M72A8BKK0M 62.0445
RFQ
 ECAD 3293 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 AL56M72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 2GB
MT8VDDT6464HDY-40BF2 Micron Technology Inc. MT8VDDT6464HDY-40BF2 -
RFQ
 ECAD 8667 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 200-sodimm 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR SDRAM 512MB 400
XCCACEM64-BG388I AMD XCCACEM64-BG388I -
RFQ
 ECAD 1206 0.00000000 AMD - 过时的 388-BBGA - Rohs不合规 3（168）） 到达不受影响 3A991B1A 8543.70.9860 1 闪光 64MB 133
AT32L64A6SHC4M ATP Electronics, Inc. AT32L64A6SHC4M 41.2900
RFQ
 ECAD 6505 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 200-sodimm AT32L64 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 DDR SDRAM 256MB
MT16VDDF12864HY-335F2 Micron Technology Inc. MT16VDDF12864HY-335F2 -
RFQ
 ECAD 8412 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 200-sodimm 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR SDRAM 1GB 167
MT9VDDT3272HG-265G2 Micron Technology Inc. MT9VDDT3272HG-265G2 -
RFQ
 ECAD 9456 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 过时的 200-sodimm 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR SDRAM 256MB 266
AW24M7228BLF8M ATP Electronics, Inc. AW24M7228BLF8M 121.5014
RFQ
 ECAD 2085 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 240-udimm AW24M7228 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 8GB
MT4HTF12864HZ-800C1 Micron Technology Inc. MT4HTF12864Hz-800C1 37.1630
RFQ
 ECAD 6498 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 在sic中停产 200-sodimm MT4HTF 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0032 100 DDR2 SDRAM 1GB 800
VR7PU126458HBAMPT Viking Technology VR7PU126458HBAMPT 143.2500
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 维京技术 - 盒子 积极的 204-Sodimm VR7PU126458 - rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.32.0036 1 DDR3 SDRAM 4GB 1066
AJ28K64J8BJF7M ATP Electronics, Inc. AJ28K64J8BJF7M 40.4985
RFQ
 ECAD 9036 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 托盘 积极的 模块 AJ28K64 - rohs3符合条件 到达不受影响 3A991B2A 8471.70.9000 50 DDR2 SDRAM 1GB 800
MT16VDDF12864HG-40BF2 Micron Technology Inc. MT16VDDF12864HG-40BF2 -
RFQ
 ECAD 2457 0.00000000 微米技术公司 - 过时的 200-sodimm 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR SDRAM 1GB 400
MT8HTF12864HTZ-667H1 Micron Technology Inc. MT8HTF12864HTZ-667H1 -
RFQ
 ECAD 3799 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 过时的 200-sodimm - rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0032 100 DDR2 SDRAM 1GB 667
SLN01G72F1BI1SA-DCWRT Swissbit SLN01G72F1BI1SA-DCWRT -
RFQ
 ECAD 3230 0.00000000 瑞士 - 托盘 过时的 204-SO-UDIMM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 过时的 0000.00.0000 100 DDR3L SDRAM 1GB 1600
MT9LSDT872G-133G3 Micron Technology Inc. MT9LSDT872G-133G3 -
RFQ
 ECAD 9789 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 在sic中停产 168-dimm - Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 Sdram 64MB 133
MT8HTF6464AY-53EA1 Micron Technology Inc. MT8HTF6464AY-53EA1 -
RFQ
 ECAD 5945 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 在sic中停产 240-udimm 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Q2374269 Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 512MB 533
MT8KTF12864AZ-1G4J1 Micron Technology Inc. MT8KTF12864AZ-1G4J1 -
RFQ
 ECAD 8399 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 240-udimm 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0032 100 DDR3L SDRAM 1GB 1333
MT9HTF12872FY-667A4E3 Micron Technology Inc. MT9HTF12872FY-667A4E3 -
RFQ
 ECAD 2942 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 在sic中停产 240-FBDIMM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 1GB 667
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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