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内存 -4191）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 包装 /案例 基本产品编号 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 内存类型 内存大小 转移率（MB/S，MT/S，MHz）
MTEDCBE008SAJ-1N2 Micron Technology Inc. MTEDCBE008SAJ-1N2 -
RFQ
 ECAD 2125 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 模块 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 100 Flash -nand（slc） 8GB -
MT9VDDF6472G-40BF1 Micron Technology Inc. MT9VDDF6472G-40BF1 -
RFQ
 ECAD 9672 0.00000000 微米技术公司 - 过时的 184-rdimm 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR SDRAM 512MB 400
D32.27261S.001 Apacer Memory America D32.27261S.001 101.9300
RFQ
 ECAD 4141 0.00000000 Apacer Memory America DDR4 SDRAM UDIMM 大部分 积极的 288-udimm - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 1582-D32.27261S.001 1 DDR4 SDRAM 16 GB 3200
D22.27261S.001 Apacer Memory America D22.27261S.001 84.3100
RFQ
 ECAD 7104 0.00000000 Apacer Memory America DDR4 SDRAM UDIMM 大部分 积极的 260-Sodimm - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 1582-D22.27261S.001 1 DDR4 SDRAM 16 GB 3200
MT4LSDT1664AY-133G1 Micron Technology Inc. MT4LSDT1664AY-133G1 -
RFQ
 ECAD 7112 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 168-udimm MT4LSDT - rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 100 Sdram 128MB 133
AL56M72A8BKK0M ATP Electronics, Inc. AL56M72A8BKK0M 62.0445
RFQ
 ECAD 3293 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 AL56M72 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 2GB
MTA18ASF4G72HZ-3G2B1 Micron Technology Inc. MTA18ASF4G72Hz-3G2B1 -
RFQ
 ECAD 2866 0.00000000 微米技术公司 DDR4 SDRAM 大部分 过时的 260-Sodimm 下载 Rohs符合条件 3（168）） 557-MTA18ASF4G72HZ-3G2B1 Ear99 8473.30.1140 100 DDR4 SDRAM 32GB 3200
MT9HTF6472PZ-667H1 Micron Technology Inc. MT9HTF6472PZ-667H1 -
RFQ
 ECAD 2628 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 过时的 240-RDIMM - rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0028 100 DDR2 SDRAM 512MB 667
SP008GIVLU160NH0 Silicon Power SP008GIVLU160NH0 108.5000
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 硅力量 - 盒子 积极的 模块 - rohs3符合条件 不适用 根据要求获得可用的信息 8473.30.1140 1 DDR3 UDIMM-VLP 8GB 1600
MT18VDVF12872DY-40BD4 Micron Technology Inc. MT18VDVF12872DY-40BD4 -
RFQ
 ECAD 1197 0.00000000 微米技术公司 - 过时的 184-rdimm 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR SDRAM 1GB 400
D11.15161S.001 Adafruit Industries LLC D11.15161S.001 -
RFQ
 ECAD 1860年 0.00000000 Adafruit Industries LLC - 大部分 过时的 - 1582-D11.15161S.001 1
MT18JSF1G72PDZ-1G9P1 Micron Technology Inc. MT18JSF1G72PDZ-1G9P1 -
RFQ
 ECAD 8920 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 240-RDIMM - rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR3 SDRAM 8GB 1866年
VL37R2L63B-D4SB Virtium LLC VL37R2L63B-D4SB 168.7504
RFQ
 ECAD 6114 0.00000000 Virtium LLC DDR5 SO-DIMM 大部分 积极的 288-udimm - rohs3符合条件 1550-VL37R2L63B-D4SB 50 DDR5 SDRAM 16 GB 4800
MT4HTF3264AY-667D3 Micron Technology Inc. MT4HTF3264AY-667D3 -
RFQ
 ECAD 6742 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 240-udimm MT4HTF 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 256MB 667
AD4B2666316G19-BSSC ADATA AD4B2666316G19-BSSC 120.4200
RFQ
 ECAD 5975 0.00000000 阿达塔 DDR4 ECC SO-DIMM 大部分 积极的 260-Sodimm 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 4670-AD4B2666316G19-BSSC 1 DDR4 SDRAM 16 GB 2666
SQR-UD4N8G2K6SNEFB Advantech Corp SQR-UD4N8G2K6SNEFB 46.1400
RFQ
 ECAD 3154 0.00000000 Advantech Corp SQR-UD4N 大部分 积极的 288-udimm SQR-UD4 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1588-SQR-ID4N8G2K6SNEFB Ear99 8473.30.1140 1 DDR4 SDRAM 8GB 2666
VRFDUC3016GAIRB1 Viking Technology VRFDUC3016GAIRB1 -
RFQ
 ECAD 8893 0.00000000 维京技术 - 盒子 过时的 模块 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1803-1048 3A991B1A 8542.32.0071 1 Flash -nand（slc） 16 GB 264读，224写
76.A353G.C7D0C Adafruit Industries LLC 76.A353G.C7D0C -
RFQ
 ECAD 8100 0.00000000 Adafruit Industries LLC - 大部分 过时的 - 1582-76.A353G.C7D0C 1
MT9HTF3272PY-53EB1 Micron Technology Inc. MT9HTF3272PY-53EB1 80.7591
RFQ
 ECAD 6947 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 在sic中停产 240-RDIMM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 256MB 533
D21.15163S.002 Adafruit Industries LLC D21.15163S.002 -
RFQ
 ECAD 9432 0.00000000 Adafruit Industries LLC - 大部分 过时的 - 1582-D21.15163S.002 1
AD4X2400W4G17-BSSE ADATA AD4X2400W4G17-BSSE 36.7900
RFQ
 ECAD 1246 0.00000000 阿达塔 DDR4 DIMM 大部分 积极的 288-udimm - rohs3符合条件 （1 （无限） 4670-AD4X2400W4G17-BSSE 1 DDR4 SDRAM 4GB 2400
111029-1 iFixit 111029-1 -
RFQ
 ECAD 2627 0.00000000 ifixit - 大部分 积极的 204-dimm IF111 - 不适用 不适用 Ear99 8473.30.1140 1 DDR3 SDRAM 2GB 1066
78.B2GCL.4010C Adafruit Industries LLC 78.B2GCL.4010C -
RFQ
 ECAD 4114 0.00000000 Adafruit Industries LLC - 大部分 过时的 - 1582-78.B2GCL.4010C 1
78.B1GEP.4000C Apacer Memory America 78.B1GEP.4000C 52.1000
RFQ
 ECAD 7899 0.00000000 Apacer Memory America - 大部分 积极的 240-udimm 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 1582-78.B1GEP.4000C Ear99 8473.30.1140 1 DDR3 SDRAM 4GB 1333
MT18KDF1G72PZ-1G6E1 Micron Technology Inc. MT18KDF1G72PZ-1G6E1 -
RFQ
 ECAD 4696 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 240-RDIMM - rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 100 DDR3L SDRAM 8GB 1600
AY12M7268BLK0M ATP Electronics, Inc. AY12M7268BLK0M 56.1625
RFQ
 ECAD 8895 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 204-miniudimm AY12M7268 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 50 4GB
MT18JDF1G72PZ-1G9P1 Micron Technology Inc. MT18JDF1G72PZ-1G9P1 -
RFQ
 ECAD 8431 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 240-RDIMM - rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 100 DDR3 SDRAM 8GB 1866年
SFUI032GK1AB2TO-C-GS-2A1-STD Swissbit SFUI032GK1AB2TO-C-GS-2A1-STD -
RFQ
 ECAD 3607 0.00000000 瑞士 U-45 托盘 过时的 模块 - rohs3符合条件 不适用 1052-SFUI032GK1AB2TO-C-GS-2A1-STD 过时的 1 Flash -nand （MLC） 32GB -
MT18KDF1G72AZ-1G6E1 Micron Technology Inc. MT18KDF1G72AZ-1G6E1 -
RFQ
 ECAD 6402 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 240-udimm - rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 100 DDR3L SDRAM 8GB 1600
AL24M7218BLH9M ATP Electronics, Inc. AL24M7218BLHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHHH的所以 139.3700
RFQ
 ECAD 5122 0.00000000 ATP电子，Inc。 - 大部分 积极的 模块 AL24M7218 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 10 8GB
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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