Nexperia揭幕了新的1200V/20A SIC SCHOTTKY DIODES，以增强有效的工业电力创新

Nexperia最近宣布增加了两个新的1200V，20a硅碳化物（SIC）Schottky Diodes -PSC20120J和PSC20120L- 在其电力电子产品组合中，进一步扩展了其在高性能半导体中的产品景观。这些设备专门针对工业场景中对超低功率整流的越来越严格的需求，可以在高功率AI服务器电源，电信系统电源模块，太阳能逆变器和其他应用中有效地转换能量，从而将新的动量注入了工业电力部门的技术升级。
在性能方面，新的Sic Schottky二极管通过利用其在整个温度范围内稳定的电容开关特性和零恢复损耗优势，实现了优异的功绩（QC×VF）。他们的开关性能几乎不受当前波动或开关频率变化的影响。核心技术重点在于采用合并的销钉肖特基（MPS）结构，使它们具有客户高度认可电流电流耐受性。高峰值向前激增电流（IFSM）索引大大减少了对外部保护电路的需求，简化了系统体系结构，同时帮助工程师实现了紧凑，高可靠性高压应用的效率突破。
在包装设计方面PSC20120J使用REAT-2-PIN D2PAK R2P（TO-263-2）表面安装套件，而PSC20120L的配备247 R2P（TO-247-2）透过孔包装。这两个高温耐药套件都在175°C的极端工作温度下保持设备的可靠性，完全适应了工业环境的严格要求。作为具有成熟半导体技术和可靠供应链的行业基准，Nexperia为设计师提供了从性能到交付的全面信心，并在其在电源设备中的深入积累后面。
这些新产品的推出不仅展示了Nexperia在SIC Power设备中的技术突破，而且还展示了“效率，可靠性和简单性”的设计理念，还为工业电力系统的小型化和绿色转化提供了核心组成部分。预计将重新定义高压电源设备的行业应用标准。