一个转交条件P通道MOSFET（PMO）与N通道MOSFET（NMOS）的相反，主要由栅极源电压（VGS）和阈值电压（VTH）以及电压极性之间的关系。这是要点：
1。核心上交条件
PMO进行进行的必要条件是：VGS≤vth（vth为负）
vGS= vg-vs（vg=门电压，Vs=源电压）。
自vTh对于PMO通常为负（例如-1V，-2V），门电压必须为明显较低比满足V的源电压GS≤VTh。
例子：
如果vTh= -2V和V。s=+5V，然后：vg-5V≤ -2V⟹Vg≤+3V
v时PMO打开g下降到3V以下。
2。与N通道的比较MOSFET（NMOS）
| 特征 | P通道MOSFET（PMO） | N通道MOSFET（NMOS） |
|---|---|---|
| 转交条件 | VGS≤VTH（VTH负） | VGS≥vth（VTH阳性） |
| 电压极性 | 门电压必须是降低比来源 | 门电压必须是更高比来源 |
| 典型的应用 | 高侧开关（源连接到V+） | 低侧开关（源连接到GND） |
| 身体二极管方向 | 来源→排水（d） | 排干（d）→源 |
3。关键的实际考虑
高方向开关：
PMO通常用于高侧开关电路（源连接到电源，排出负载）。低门电压将其触发，将负载接地。例子：在电池供电的电路中，PMOS控制着负载的电源，简化了逻辑级别的控制。
电压极性和驱动电路：
PMO需要一个下拉驾驶员（例如，NPN晶体管或NMO）以降低源以下的栅极电压。
在CMOS逻辑（例如，逆变器）中，PMO将输出升高，补充了低拉动的NMO。
身体二极管效应：
PMO具有从源到排水的内部二极管。如果漏极电压超过源电压，则二极管会导致，可能会导致意外的电流流动。设计人员必须避免反向电压或增加保护措施。
4。摘要
PMOSconducts⟺Vg<vs+Tht（其中vTh负面）
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