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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 输入类型 | 力量 -最大 | 输入 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | 测试条件 | trr) | IGBT类型 | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 电流 -icm) | (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic | 切换能量 | 门充电 | TD (开/关) @ 25°C | 当前 -收集器截止(最大) | NTC热敏电阻 | (CIES) @ vce |
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![]() | IKA08N65H5XKSA1 | - | ![]() | 2861 | 0.00000000 | 国际整流器 | Trenchstop™5 | 大部分 | 积极的 | -40°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | 标准 | 31.2 w | PG-TO220-3-111 | - | Rohs不合规 | 供应商不确定 | 2156-IKA08N65H5XKSA1-600047 | 1 | 400V,4A,48ohm,15V | 40 ns | 沟渠场停止 | 650 v | 10.8 a | 24 a | 2.1V @ 15V,8a | (70µJ)(在),30µj(30µJ) | 22 NC | 11NS/115NS | ||||||||||
![]() | NGTD13T65F2SWK | - | ![]() | 5246 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | 死 | NGTD13 | 标准 | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | - | 沟渠场停止 | 650 v | 120 a | 2.2V @ 15V,30a | - | - | |||||||||||
![]() | Mixa101W1200EH | - | ![]() | 5602 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 底盘安装 | E3 | Mixa101 | 500 w | 标准 | E3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 5 | 三相逆变器 | pt | 1200 v | 155 a | 2.1V @ 15V,100a | 300 µA | 不 | ||||||||||
![]() | AOTF15B60D | 1.3833 | ![]() | 8635 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | Alpha IGBT™ | 管子 | 不适合新设计 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | AOTF15 | 标准 | 50 W | TO-220F | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 400V,15a,20欧姆,15V | 196 ns | - | 600 v | 30 a | 60 a | 1.8V @ 15V,15a | (420µJ)(在),110µJ(110µJ)上 | 25.4 NC | 21NS/73NS | |||||||
![]() | LGD8209TI | - | ![]() | 6710 | 0.00000000 | Littelfuse Inc. | * | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 18-LGD8209TITR | 0000.00.0000 | 2,500 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | IXDR30N120 | - | ![]() | 6790 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | ixdr30 | 标准 | 200 w | ISOPLUS247™ | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 600V,30a,47ohm,15V | npt | 1200 v | 50 a | 60 a | 2.9V @ 15V,30a | 4.6mj(在)上,3.4MJ off) | 120 NC | - | ||||||||
![]() | SIGC18T60NCX7SA1 | - | ![]() | 5950 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 死 | SIGC18 | 标准 | 死 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 过时的 | 1 | 300V,20a,13ohm,15V | npt | 600 v | 20 a | 60 a | 2.5V @ 15V,20A | - | 21NS/110NS | |||||||||||
![]() | STGE200N60K | - | ![]() | 1964年 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 管子 | 过时的 | - | 底盘安装 | 同位素 | STGE200 | - | isotop® | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | - | - | 600 v | 150 a | - | 不 | ||||||||||||
![]() | APTGF25DSK120T3G | - | ![]() | 4415 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | - | 底盘安装 | SP3 | 208 w | 标准 | SP3 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 双重斩波器 | npt | 1200 v | 40 a | 3.7V @ 15V,25a | 250 µA | 是的 | 1.65 NF @ 25 V | ||||||||||||
![]() | F435MR07W1D7S8B11ABPSA1 | 62.7292 | ![]() | 3369 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 积极的 | F435MR | - | rohs3符合条件 | 24 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | RGT8TM65DGC9 | 2.1000 | ![]() | 897 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | RGT8TM65 | 标准 | 16 W | TO-220NFM | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 400V,4A,50OHM,15V | 40 ns | 沟渠场停止 | 650 v | 5 a | 12 a | 2.1V @ 15V,4A | - | 13.5 NC | 17ns/69ns | |||||||
TIG030TS-TL-E | 0.2700 | ![]() | 57 | 0.00000000 | Onmi | - | 大部分 | 过时的 | 表面安装 | 8-TSSOP (0.173英寸,4.40mm宽度) | 提格030 | 标准 | 8-tssop | 下载 | 不适用 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | - | - | 400 v | 150 a | 5.4V @ 4V,150a | - | - | |||||||||||||||
![]() | BSM25GB120DN2 | 34.7300 | ![]() | 23 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 积极的 | 150°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | 200 w | 标准 | 模块 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 9 | 半桥 | - | 1200 v | 38 a | 3V @ 15V,25a | 800 µA | 不 | 1.65 NF @ 25 V | ||||||||||
![]() | VS-20MT120UFP | - | ![]() | 4450 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 16-MTP模块 | 20MT120 | 240 w | 标准 | MTP | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | VS20MT120UFP | Ear99 | 8541.29.0095 | 105 | 完整的桥梁逆变器 | npt | 1200 v | 40 a | 4.66V @ 15V,40a | 250 µA | 不 | 3.79 NF @ 30 V | ||||||||
![]() | BSM400GA120DN2SE325HOSA1 | - | ![]() | 8952 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | BSM400 | - | 过时的 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRG4PH40KDPBF | - | ![]() | 4682 | 0.00000000 | 国际整流器 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | 标准 | 160 w | TO-247AC | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | 800V,15a,10ohm,15V | 63 ns | - | 1200 v | 30 a | 60 a | 3.4V @ 15V,15a | 1.31mj(在)上,1.12mj off) | 140 NC | 50NS/96NS | ||||||||
![]() | HGTH20N50EID | 3.4000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | IG77E20CS | 1.0000 | ![]() | 9860 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | GA35XCP12-247 | - | ![]() | 7101 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | 标准 | TO-247AB | 下载 | (1 (无限) | 1242-1141 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 800V,35A,22OHM,15V | 36 NS | pt | 1200 v | 35 a | 3V @ 15V,35a | 2.66mj(在)上,4.35mj off) | 50 NC | - | |||||||||||
![]() | RGW40TK65DGVC11 | 6.3500 | ![]() | 3728 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-3PFM,SC-93-3 | RGW40 | 标准 | 61 w | to-3pfm | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-RGW40TK65DGVC11 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V,20a,10ohm,15V | 92 ns | 沟渠场停止 | 650 v | 27 a | 80 a | 1.9V @ 15V,20A | - | 59 NC | 33NS/76NS | ||||||
![]() | FGH20N60SFDTU-F085 | - | ![]() | 1255 | 0.00000000 | Onmi | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | FGH20 | 标准 | 165 w | TO-247-3 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 450 | 400V,20a,10ohm,15V | 40 ns | 现场停止 | 600 v | 40 a | 60 a | 2.8V @ 15V,20A | 430µJ(在)(130µJ)上 | 66 NC | 13NS/90NS | |||||||
![]() | FZ1800R17HP4_B29 | 1.0000 | ![]() | 87 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | 11500 w | 标准 | AG-IHMB190 | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 单个开关 | 沟渠场停止 | 1700 v | 1800 a | 2.25V @ 15V,1.8KA | 5 ma | 不 | 145 NF @ 25 V | |||||||||||||
![]() | CM50TF-12H | - | ![]() | 6612 | 0.00000000 | Powerex Inc. | IGBTMOD™ | 大部分 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | 250 w | 标准 | 模块 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 三相逆变器 | - | 600 v | 50 a | 2.8V @ 15V,50a | 1 MA | 不 | 5 nf @ 10 V | |||||||||||
![]() | FGD3040G2-SN00401V | - | ![]() | 3958 | 0.00000000 | Onmi | - | 大部分 | 过时的 | FGD3040 | - | 到达不受影响 | 488-FGD3040G2-SN00401V | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | IRGSL4B60KD1PBF | 0.9500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 国际整流器 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA | 标准 | 63 W | TO-262 | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 400V,4A,100OHM,15V | 93 ns | npt | 600 v | 11 a | 22 a | 2.5V @ 15V,4A | (73µJ)(在),47µJ(47µJ)中 | 12 nc | 22NS/100NS | |||||||||||
![]() | FZ2400R12HP4NPSA1 | 745.7300 | ![]() | 60 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | 标准 | AG-IHMB130-2-1 | 下载 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 单个开关 | 沟 | 1200 v | 3460 a | 2.05V @ 15V,2.4KA | 5 ma | 不 | 150 nf @ 25 V | ||||||||||||||
![]() | FP15R12W1T7PB11BPSA1 | 53.2700 | ![]() | 24 | 0.00000000 | Infineon技术 | EasyPim™ | 托盘 | 积极的 | -40°C〜175°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | FP15R12 | 20兆 | 三相桥梁整流器 | ag-easy1b | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 三相逆变器 | 沟渠场停止 | 1200 v | 15 a | - | 3 µA | 是的 | 2.82 NF @ 25 V | |||||||||
![]() | RGTV00TS65GC11 | 6.2400 | ![]() | 6096 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 不适合新设计 | -40°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | RGTV00 | 标准 | 276 w | TO-247N | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 450 | 400V,50a,10ohm,15V | 沟渠场停止 | 650 v | 95 a | 200 a | 1.9V @ 15V,50a | (1.17MJ)(在),940µJ降低) | 104 NC | 41NS/142NS | ||||||||
![]() | IXYF40N450 | 119.4976 | ![]() | 1871年 | 0.00000000 | Littelfuse Inc. | XPT™ | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | I4-PAC™-4,隔离 | 标准 | 290 w | ISOPLUS I4-PAC™ | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | 960V,40a,2ohm,15V | - | 4500 v | 60 a | 350 a | 3.9V @ 15V,40a | - | 170 NC | 36NS/110NS | |||||||||
![]() | AOTF15B65M3 | - | ![]() | 9194 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | Alpha IGBT™ | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | AOTF15 | 标准 | 30 W | TO-220F | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 400V,15a,20欧姆,15V | 263 ns | - | 650 v | 30 a | 45 a | 2.5V @ 15V,15a | 280µJ(在),190µJ(OFF) | 25.4 NC | 10NS/68NS |
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