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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 力量 -最大 输入 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 测试条件 trr) IGBT类型 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 电流 -icm) (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic 切换能量 门充电 TD (开/关) @ 25°C 当前 -收集器截止(最大) NTC热敏电阻 (CIES) @ vce
HGTG24N60D1 Harris Corporation HGTG24N60D1 8.9300
RFQ
ECAD 25 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 标准 125 w TO-247 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.29.0095 1 - - 600 v 40 a 96 a 2.3V @ 15V,24a - 155 NC -
FS950R08A6P2BBPSA1 Infineon Technologies FS950R08A6P2BBPSA1 917.7000
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Infineon技术 HybridPack™ 托盘 积极的 -40°C〜175°C(TJ) 底盘安装 模块 FS950R08 870 w 标准 Ag-Hybridd-2 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 6 三相逆变器 沟渠场停止 750 v 950 a 1.35V @ 15V,450a 1 MA 是的 80 nf @ 50 V
IRGP4760-EPBF Infineon Technologies IRGP4760-EPBF -
RFQ
ECAD 7167 0.00000000 Infineon技术 - 管子 过时的 -40°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 标准 325 w TO-247AD 下载 (1 (无限) 到达不受影响 SP001535750 Ear99 8541.29.0095 25 400V,48a,10ohm,15V - 650 v 90 a 144 a 2V @ 15V,48a 1.7mj(在)上,1MJ(1MJ) 145 NC 70NS/140NS
IKZA50N65SS5XKSA1 Infineon Technologies IKZA50N65SS5XKSA1 14.9500
RFQ
ECAD 460 0.00000000 Infineon技术 Trenchstop™5 管子 积极的 -40°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-247-4 ikza50 标准 274 w PG-TO247-4-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 400V,50a,9ohm,15V 沟渠场停止 650 v 80 a 200 a 1.7V @ 15V,50a 230µJ(在)上,520µJ(OFF) 110 NC 19NS/140NS
IRG7PK42UD1MPBF Infineon Technologies IRG7PK42UD1MPBF -
RFQ
ECAD 8358 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 过时的 irg7pk 下载 不适用 到达不受影响 SP001542046 过时的 0000.00.0000 1
F3L600R10W3S7B11BPSA1 Infineon Technologies F3L600R10WS7B11BPSA1 146.6700
RFQ
ECAD 7719 0.00000000 Infineon技术 * 托盘 积极的 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 448-F3L600R10WS7B11BPSA1 8
IKWH50N65EH7XKSA1 Infineon Technologies IKWH50N65EH7XKSA1 6.2400
RFQ
ECAD 230 0.00000000 Infineon技术 - 管子 积极的 下载 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 240
FZ1500R33HE3S6BOSA1 Infineon Technologies FZ1500R33HE3S6BOSA1 1.0000
RFQ
ECAD 4323 0.00000000 Infineon技术 IHM-B 托盘 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 模块 FZ1500 2400000 w 标准 AG-IHVB190 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 单个开关 沟渠场停止 3300 v 1500 a 3.1V @ 15V,1.5KA 5 ma 280 NF @ 25 V
BIDD05N60T Bourns Inc. BIDD05N60T 1.5300
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Bourns Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 BIDD05N 标准 82 w TO-252(DPAK) 下载 rohs3符合条件 3(168)) Ear99 8541.29.0095 2,500 400V,5A,10OHM,15V 40 ns 沟渠场停止 600 v 10 a 15 a 2V @ 15V,5A 200µJ(在)上,70µJ(70µJ) 18.5 NC 7NS/18NS
IXGP8N100 IXYS IXGP8N100 -
RFQ
ECAD 1653 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 IXGP8 标准 54 w TO-220-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 800V,8a,120ohm,15V pt 1000 v 16 a 32 a 2.7V @ 15V,8a 2.3MJ(() 26.5 NC 15NS/600NS
LGB8245TI Littelfuse Inc. LGB8245TI -
RFQ
ECAD 3313 0.00000000 Littelfuse Inc. * 胶带和卷轴((tr) 积极的 - Rohs符合条件 (1 (无限) 18-LGB8245TITR 0000.00.0000 800
FGA25S125P Fairchild Semiconductor FGA25S125P -
RFQ
ECAD 6471 0.00000000 Fairchild半导体 - 管子 过时的 通过洞 TO-3P-3,SC-65-3 FGA25S125 标准 250 w to-3pn 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.29.0095 30 - 沟渠场停止 1250 v 50 a 75 a 2.35V @ 15V,25a - 204 NC -
IXBT12N300HV IXYS IXBT12N300HV 37.6500
RFQ
ECAD 4241 0.00000000 ixys Bimosfet™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-268-3,D³pak(2 + tab),TO-268AA IXBT12 标准 160 w TO-268HV(IXBT) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 1250V,12a,10ohm,15V 1.4 µs - 3000 v 30 a 100 a 3.2V @ 15V,12A - 62 NC 64NS/180NS
FF1000R17IE4S4BOSA2 Infineon Technologies FF1000R17IE4S4BOSA2 -
RFQ
ECAD 4439 0.00000000 Infineon技术 PrimePack™3 托盘 过时的 -40°C〜150°C 底盘安装 模块 FF1000 6250 w 标准 AG-PRIME3-1 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 2独立 - 1700 v 1390 a 2.45V @ 15V,1000a 5 ma 是的 81 pf @ 25 V
FGD1240G2 onsemi FGD1240G2 2.0300
RFQ
ECAD 9540 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 积极的 FGD1240 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 0000.00.0000 2,500
BSM20GD60DLC Infineon Technologies BSM20GD60DLC 32.5000
RFQ
ECAD 75 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 积极的 150°C(TJ) 底盘安装 模块 125 w 标准 - 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 全桥 - 600 v 32 a 2.45V @ 15V,20A 500 µA 1.1 NF @ 25 V
AUIRG35B60PD-E Infineon Technologies AUIRG35B60PD-E 1.0000
RFQ
ECAD 4608 0.00000000 Infineon技术 * 大部分 积极的 Auirg35 - 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 1
FGL40N120ANTU Fairchild Semiconductor FGL40N120ANTU 8.9200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-264-3,TO-264AA 标准 500 w HPM F2 下载 Ear99 8542.39.0001 1 600V,40a,5ohm,15V npt 1200 v 64 a 160 a 3.2V @ 15V,40a 2.3MJ(在)上,1.1MJ off) 220 NC 15NS/110NS
FGP10N60UNDF onsemi FGP10N60UNDF 1.9200
RFQ
ECAD 181 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 FGP10N60 标准 139 w TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 400V,10a,10ohm,15V 37.7 ns npt 600 v 20 a 30 a 2.45V @ 15V,10a (150µJ)(在50µJ)上(50µJ) 37 NC 8NS/52.2NS
VIO125-12P1 IXYS VIO125-12P1 -
RFQ
ECAD 2914 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 Eco-PAC2 vio 568 w 标准 Eco-PAC2 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 单身的 npt 1200 v 138 a 3.4V @ 15V,125a 5 ma 5.5 nf @ 25 V
IXYX120N120B3 IXYS IXYX120N120B3 31.2583
RFQ
ECAD 5302 0.00000000 ixys XPT™,GenX3™ 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-247-3变体 IXYX120 标准 1500 w 加上247™-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 960V,100A,1OHM,15V 54 ns - 1200 v 320 a 800 a 2.2V @ 15V,100a 9.7mj(在)上,21.5MJ off) 400 NC 30NS/340NS
IKD04N60R6EDV1 Infineon Technologies IKD04N60R6EDV1 -
RFQ
ECAD 2362 0.00000000 Infineon技术 Trenchstop™ 大部分 积极的 -40°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 标准 75 w PG-TO252-3-313 下载 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.29.0095 1 400V,4A,43OHM,15V 43 ns 沟渠场停止 600 v 8 a 12 a 2.1V @ 15V,4A (90µJ)(在150µJ)上(OFF) 27 NC 14NS/146NS
IGC10T65U8QX1SA1 Infineon Technologies IGC10T65U8QX1SA1 -
RFQ
ECAD 8806 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 积极的 - - - IGC10 - - - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 0000.00.0000 1 - - - - -
AFGY160T65SPD-B4 onsemi AFGY160T65SPD-B4 15.0800
RFQ
ECAD 9711 0.00000000 Onmi 汽车,AEC-Q100 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 Afgy160 标准 882 w TO-247-3 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 488-AFGY160T65SPD-B4 Ear99 8541.29.0095 30 400V,160a,5ohm,15V 132 ns 沟渠场停止 650 v 240 a 480 a 2.05V @ 15V,160a 12.4MJ(在)上,5.7MJ off) 245 NC 53NS/98NS
FF300R12KT3HOSA1 Infineon Technologies FF300R12KT3HOSA1 214.2900
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Infineon技术 c 托盘 不适合新设计 -40°C〜125°C 底盘安装 模块 FF300R12 1450 w 标准 模块 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 2独立 沟渠场停止 1200 v 480 a 2.15V @ 15V,300A 5 ma 21 nf @ 25 V
IXGT60N60B2 IXYS IXGT60N60B2 -
RFQ
ECAD 5667 0.00000000 ixys HiperFast™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-268-3,D³pak(2 + tab),TO-268AA IXGT60 标准 500 w TO-268AA 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 400V,50a,3.3Ohm,15V pt 600 v 75 a 300 a 1.8V @ 15V,50a 1MJ (关闭) 170 NC 28NS/160NS
APT11GF120BRDQ1G Microsemi Corporation APT11GF120BRDQ1G -
RFQ
ECAD 4997 0.00000000 Microsemi Corporation - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 apt11g 标准 156 w TO-247 [B] 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 800V,8a,10ohm,15V npt 1200 v 25 a 24 a 3V @ 15V,8a 300µJ(在)上,285µJ(OFF) 65 NC 7NS/100NS
IXBT20N360HV IXYS IXBT20N360HV 76.3097
RFQ
ECAD 8421 0.00000000 ixys Bimosfet™ 管子 不适合新设计 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-268-3,D³pak(2 + tab),TO-268AA IXBT20 标准 430 w TO-268AA 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 1500V,20a,10ohm,15V 1.7 µs - 3600 v 70 a 220 a 3.4V @ 15V,20A 15.5MJ(在)上,4.3MJ OFF) 110 NC 18NS/238NS
IRGP4640PBF International Rectifier IRGP4640pbf 1.9000
RFQ
ECAD 10 0.00000000 国际整流器 - 大部分 积极的 -40°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 标准 250 w TO-247AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 0000.00.0000 1 400V,24a,10ohm,15V - 600 v 65 a 72 a 1.9V @ 15V,24a (100µJ)(600µJ)(off) 75 NC 40NS/105NS
STGW20V60DF STMicroelectronics STGW20V60DF 3.9100
RFQ
ECAD 637 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 STGW20 标准 167 w TO-247-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 497-13763-5 Ear99 8541.29.0095 30 400V,20A,15V 40 ns 沟渠场停止 600 v 40 a 80 a 2.2V @ 15V,20A 200µJ(在)上,130µJ(OFF) 116 NC 38NS/149NS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库