RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

IGBT（8343）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	测试条件	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
IRG4PH50S-EPBF	-	RFQ	5446	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRG4PH50	标准	200 w		TO-247AD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		960V，33A，5OHM，15V		-	1200 v	57 a	114 a	1.7V @ 15V，33a	1.8MJ（在）中，19.6MJ OFF）	167 NC	32NS/845NS
IXGX100N160A	-	RFQ	5165	ixys	-	管子	积极的	-	通过洞	TO-247-3变体	IXGX100	-			加上247™-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		-		-				-	-		-
APT100GT120JR	51.6200	RFQ	1476	微芯片技术	Thunderboltigbt®	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	APT100		570 w	标准	isotop®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	单身的			npt	1200 v	123 a		3.7V @ 15V，100a				100 µA	不	6.7 NF @ 25 V
APT50GT120B2RG	16.4400	RFQ	228	微芯片技术	Thunderboltigbt®	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	APT50GT120	标准	625 w			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		800V，50a，4.7Ohm，15V		npt	1200 v	94 a	150 a	3.7V @ 15V，50a	2330µJ（）	340 NC	24NS/230NS
RGW60TS65HRC11	6.3700	RFQ	4916	Rohm半导体	-	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	RGW60	标准	178 w		TO-247N	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-RGW60TS65HRC11	Ear99	8541.29.0095	450		400V，15a，10ohm，15V		沟渠场停止	650 v	64 a	120 a	1.9V @ 15V，30a		84 NC	36NS/107NS
ISL9V2040S3S	1.0000	RFQ	5345	Fairchild半导体	Ecospark®	管子	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		逻辑	130 w		D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	400		300V，1KOHM，5V		-	430 v	10 a		1.9V @ 4V，6A	-	12 nc	- /3.64µs
IHW20N120R5	1.0000	RFQ	2974	Infineon技术	Trenchstop™	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准	288 w		pg-to247-3-41	下载					Ear99	8541.29.0095	1		600V，20a，10ohm，15V		沟渠场停止	1200 v	40 a	60 a	1.75V @ 15V，20A	- （750µJ）（OFF）	170 NC	- /260NS
RGW80TS65EHRC11	8.0200	RFQ	8016	Rohm半导体	-	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	RGW80	标准	214 w		TO-247N	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-RGW80TS65EHRC11	Ear99	8541.29.0095	450		400V，20a，10ohm，15V	86 ns	沟渠场停止	650 v	80 a	160 a	1.9V @ 15V，40a		110 NC	43ns/148ns
APT80GA90B	10.8900	RFQ	8537	微芯片技术	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	APT80GA90	标准	625 w		TO-247 [B]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		600V，47A，4.7OHM，15V		pt	900 v	145 a	239 a	3.1V @ 15V，47a	1652µJ（在）（1389µJ）上	200 NC	18NS/149NS
IXBL20N300C	-	RFQ	1340	ixys	Bimosfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	isoplusi5-pak™	ixbl20	标准	417 w		isoplusi5-pak™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		1500V，20a，3ohm，15V	864 ns	-	3000 v	50 a	430 a	6V @ 15V，20A	23MJ（在）上，2.6MJ（2.6MJ）	425 NC	33NS/370NS
F3L225R12W3H3B11BPSA1	123.1900	RFQ	4731	Infineon技术	-	托盘	积极的				F3L225					-		（1 （无限）					8
IRGP4069PBF	-	RFQ	7392	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准	268 w		TO-247AC	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001542388	Ear99	8541.29.0095	25		400V，35a，10ohm，15V		沟	600 v	76 a	105 a	1.85V @ 15V，35a	（390µJ）（在），632µJ（（（（（（）	104 NC	46NS/105NS
FGB20N6S2	0.6000	RFQ	8	Fairchild半导体	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		标准	125 w		D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50		390V，7a，25ohm，15V		-	600 v	28 a	40 a	2.7V @ 15V，7a	25µJ（在）（58µJ）（OFF）上）	30 NC	7.7NS/87NS
NGTD30T120F2WP	-	RFQ	4932	Onmi	-	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	死	NGTD30	标准			死	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		-		沟渠场停止	1200 v		200 a	2.4V @ 15V，40a	-		-
IXGA36N60A3	-	RFQ	8739	ixys	Genx3™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IXGA36	标准	220 w		TO-263AA	下载			到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		400V，30a，5ohm，15V	23 ns	pt	600 v		200 a	1.4V @ 15V，30a	740µJ（在）上，3MJ（）	80 NC	18NS/330NS
QID3320002	-	RFQ	4148	Powerex Inc.	r	大部分	在sic中停产	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块			1.78 kW	标准	-	-				835-QID3320002			1	半桥			-	3300 v	370 a		3.3V @ 15V，200a				2 ma	不	23000 PF @ 10 V
IXGA15N100C	-	RFQ	5409	ixys	Lightspeed™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IXGA15	标准	150 w		TO-263AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		960V，15a，10ohm，15V		-	1000 v	30 a	60 a	3.5V @ 15V，15a	850µJ（离）	73 NC	25NS/150NS
FGA40T65UQDF	-	RFQ	6336	Onmi	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	FGA40T65	标准	231 w		to-3pn	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	450		400V，40a，6ohm，15V	89 ns	npt	650 v	80 a	120 a	1.67V @ 15V，40a	（989µJ）（在310µJ上）	306 NC	32NS/271NS
APTGF75SK60D1G	-	RFQ	6033	Microsemi Corporation	-	大部分	在sic中停产	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	D1			355 w	标准	D1	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1	单身的			npt	600 v	100 a		2.45V @ 15V，75a				500 µA	不	3.3 NF @ 25 V
IKQ100N60TXKSA1	12.8600	RFQ	4383	Infineon技术	Trenchstop™	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IKQ100	标准	714 w		PG-TO247-3-46	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		400V，100A，3.6ONM，15V	230 ns	沟渠场停止	600 v	160 a	400 a	2V @ 15V，100a	3.1mj（在）上，2.5MJ off）	610 NC	30NS/290NS
IXB80IF600NA	-	RFQ	6574	ixys	-	管子	积极的	-	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXB80IF600	标准			SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		-		NPT，Pt	600 v	120 a		-	-		-
APTGT300SK170G	269.2320	RFQ	5107	微芯片技术	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP6	APTGT300		1660 w	标准	SP6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	单身的			沟渠场停止	1700 v	400 a		2.4V @ 15V，300A				750 µA	不	26.5 nf @ 25 V
IGA03N120H2XKSA1	1.8352	RFQ	9032	Infineon技术	-	管子	上次购买	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IGA03	标准	29 W		pg-to220-3-31	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		800V，3A，82OHM，15V		-	1200 v	3 a	9 a	2.8V @ 15V，3A	290µJ	8.6 NC	9.2NS/281NS
FGAF20S65AQ	-	RFQ	7277	Onmi	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3	FGAF20	标准	75 w		TO-3PF-3	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		400V，10a，23ohm，15V	235 ns	沟渠场停止	650 v	40 a	60 a	2.1V @ 15V，20A	345µJ（在）上，95µj（（）	38 NC	18NS/102NS
SGF23N60UFTU	1.4200	RFQ	154	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3	SGF23N60	标准	75 w		to-3pf	下载					Ear99	8541.29.0095	1		300V，12a，23ohm，15V		-	600 v	23 a	92 a	2.6V @ 15V，12a	（115µJ）（在），135µJ（（（（）		17NS/60NS
IGC15T65QEX1SA1	-	RFQ	4086	Infineon技术	-	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	死	IGC15T65	标准			死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响			0000.00.0000	1		-		沟渠场停止	650 v	30 a	90 a	2.32V @ 15V，30a	-		-
BSM30GD60DLCE3224	-	RFQ	8244	Infineon技术	-	托盘	过时的	150°C（TJ）	底盘安装	模块	BSM30G		135 w	标准	模块	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	单身的			npt	600 v	40 a		2.45V @ 15V，30a				500 µA	不	1.3 nf @ 25 V
IGTM20N40A	2.3100	RFQ	6264	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-	通过洞	TO-204AA，TO-3		标准			TO-3	下载	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	100		-		-	400 v	20 a		-	-		-
RGW60TS65CHRC11	12.8100	RFQ	8029	Rohm半导体	-	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	RGW60	标准	178 w		TO-247N	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-RGW60TS65CHRC11	Ear99	8541.29.0095	30		400V，15a，10ohm，15V	34 ns	-	650 v	64 a	120 a	1.9V @ 15V，30a	（70µJ）（在），220µJ（（（（）	84 NC	37NS/91NS
APTGLQ40H120T1G	73.5407	RFQ	5193	微芯片技术	-	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	SP1	APTGLQ40		250 w	标准	SP1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	全桥			沟渠场停止	1200 v	75 a		2.4V @ 15V，40a				100 µA	是的	2.3 nf @ 25 V

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

IGBT（8343）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²