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IGBT（8343）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	测试条件	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
FMM6G30US60	28.1700	RFQ	34	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	模块			104 w	三相桥梁整流器	-	下载	Rohs不合规		到达不受影响	2156-FMM6G30US60	Ear99	8541.29.0095	1	三期逆变器			-	600 v	30 a		2.7V @ 15V，30a				250 µA	是的	2.1 NF @ 30 V
MMIX4B22N300	121.2200	RFQ	5092	ixys	Bimosfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	24-smd模块，9条线索	MMIX4B22		150 w	标准	24-smpd	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Q12641727D1	Ear99	8541.29.0095	20	全桥			-	3000 v	38 a		2.7V @ 15V，22a				35 µA	不	2.2 NF @ 25 V
MIXA40W1200TML	-	RFQ	6086	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	E1	Mixa40		195 w	标准	E1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	三期逆变器			pt	1200 v	60 a		2.1V @ 15V，35a				150 µA	是的
FD400R33KF2CKNOSA1	-	RFQ	2448	Infineon技术	-	大部分	过时的	-40°C〜125°C	底盘安装	模块	FD400R33		4800 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2	单菜器			-	3300 v	660 a		4.25V @ 15V，400A				5 ma	不	50 NF @ 25 V
APTGLQ200A120T3AG	144.4800	RFQ	4965	微芯片技术	-	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	APTGLQ200		1250 w	标准	SP3F	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	2独立			沟渠场停止	1200 v	400 a		2.4V @ 15V，160a				100 µA	是的	9.3 NF @ 25 V
HGT1S15N120C3S	4.0200	RFQ	695	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		标准	164 w		TO-263AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		-		-	1200 v	35 a	120 a	3.5V @ 15V，15a	-	100 NC	-
MIAA15WE600TMH	-	RFQ	7293	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	Minipack2	MIAA15W		80 W	单相桥梁整流器	Minipack2	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	20	三期逆变器			npt	600 v	23 a		2.5V @ 15V，15a				600 µA	是的	700 pf @ 25 V
IRG4PC40KDPBF	-	RFQ	2633	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRG4PC40	标准	160 w		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400		480V，25a，10ohm，15V	42 ns	-	600 v	42 a	84 a	2.6V @ 15V，25a	950µJ（在）上，760µJ降低）	120 NC	53NS/110NS
IKD03N60RF	-	RFQ	6575	Infineon技术	Trechstop®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	ikd03n	标准	53.6 w		pg-to252-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		400V，2.5a，68onm，15V	31 ns	沟	600 v	5 a	7.5 a	2.5V @ 15V，2.5a	90µJ	17.1 NC	10NS/128NS
DDB2U30N08VRBOMA1	-	RFQ	4367	Infineon技术	-	大部分	过时的	-40°C〜125°C	底盘安装	模块	DDB2U30		83.5 w	标准	模块	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	40	3独立			-	600 v	25 a		2.55V @ 15V，20A				1 MA	是的	880 pf @ 25 V
STGWA80H65DFB	-	RFQ	4317	Stmicroelectronics	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STGWA80	标准	469 w		TO-247长铅	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		400V，80a，10ohm，15V	85 ns	沟渠场停止	650 v	120 a	240 a	2V @ 15V，80a	2.1mj（在）上，1.5mj off）	414 NC	84NS/280NS
RJH60M3DPP-M0 ＃T2	-	RFQ	2166	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	RJH60M3	标准	39.7 w		TO-220FL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	RJH60M3DPPM0T2	Ear99	8541.29.0095	1		300V，17a，5ohm，15V	90 ns	沟	600 v	35 a		2.3V @ 15V，17a	（290µJ）（在），290µJ（290µJ）中	60 NC	38NS/90NS
APTGT300DU120G	303.2725	RFQ	8798	微芯片技术	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP6	APTGT300		1380 w	标准	SP6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	双重，共同来源			沟渠场停止	1200 v	420 a		2.1V @ 15V，300A				500 µA	不	21 nf @ 25 V
IRG4BC20SD-S	-	RFQ	9272	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		标准	60 W		D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRG4BC20SD-S	Ear99	8541.29.0095	50		480V，10a，50ohm，15V	37 ns	-	600 v	19 a	38 a	1.6V @ 15V，10a	320µJ（在）上，2.58MJ off）	27 NC	62NS/690NS
IRGB4064DPBF	1.0000	RFQ	2151	国际整流器	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		标准	101 w		TO-220AB	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50		400V，10a，22ohm，15V	62 ns	沟	600 v	20 a	40 a	1.91V @ 15V，10a	29µJ（在）上，200µJ（200µJ）	32 NC	27NS/79NS
STGB7NC60HDT4	2.3700	RFQ	9276	Stmicroelectronics	PowerMesh™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STGB7	标准	80 W		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		390V，7A，10欧姆，15V	37 ns	-	600 v	25 a	50 a	2.5V @ 15V，7a	95µJ（在）上，115µJ（115µJ）	35 NC	18.5NS/72NS
FP25R12KS4CBPSA1	158.4580	RFQ	3581	Infineon技术	-	托盘	上次购买	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	模块	FP25R12		230 w	三相桥梁整流器	Ag-Econo2b	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	15	三相逆变器			-	1200 v	40 a		3.7V @ 15V，25a				5 ma	是的	1.5 nf @ 25 V
F48MR12W2M1HB70BPSA1	175.0900	RFQ	6851	Infineon技术	-	托盘	积极的									-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响				15
ISL9V3040S3S	-	RFQ	9313	Onmi	Ecospark®	管子	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ISL9	逻辑	150 w		d²pak（to-263）	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400		300V，1KOHM，5V		-	430 v	21 a		1.6V @ 4V，6A	-	17 NC	- /4.8µs
APTGT150A120TG	164.7213	RFQ	9795	微芯片技术	-	大部分	积极的	-	底盘安装	SP4	APTGT150		690 w	标准	SP4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	半桥			沟渠场停止	1200 v	220 a		2.1V @ 15V，150a				250 µA	是的	10.7 NF @ 25 V
RGS60TS65HRC11	6.6200	RFQ	2818	Rohm半导体	-	管子	不适合新设计	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	RGS60	标准	223 w		TO-247N	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-RGS60TS65HRC11	Ear99	8541.29.0095	30		400V，30a，10ohm，15V		沟渠场停止	650 v	56 a	90 a	2.1V @ 15V，30a	（660µJ）（在），810µJ OFF）	36 NC	28NS/104NS
MIXA10W1200TML	-	RFQ	7628	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	E1	Mixa10		65 w	标准	E1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	三相逆变器			pt	1200 v	17 a		2.1V @ 15V，9A				150 µA	是的
SGB10N60A	1.0100	RFQ	452	Infineon技术	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SGB10N	标准	92 w		pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		400V，10a，25ohm，15V		npt	600 v	20 a	40 a	2.4V @ 15V，10a	320µJ	52 NC	28NS/178NS
irg7ph42ud2-ep	-	RFQ	3818	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRG7PH42	标准	321 w		TO-247AD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		600V，30a，10ohm，15V		沟	1200 v	60 a	90 a	2.02V @ 15V，30a	1.32MJ（）	234 NC	- /233ns
IXGA12N120A2	-	RFQ	1326	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IXGA12	标准	75 w		TO-263AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		960V，12a，100ohm，15V		pt	1200 v	24 a	48 a	3V @ 15V，12A	5.4MJ（）	24 NC	15NS/680NS
FMG1G75US60L	-	RFQ	5144	Onmi	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	7 pm-ga	FMG1		310 w	标准	7 pm-ga	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	15	单身的			-	600 v	75 a		2.8V @ 15V，75a				250 µA	不	7.056 NF @ 30 V
APTGF75DA60D1G	-	RFQ	7632	Microsemi Corporation	-	大部分	在sic中停产	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	D1			355 w	标准	D1	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1	单身的			npt	600 v	100 a		2.45V @ 15V，75a				500 µA	不	3.3 NF @ 25 V
IKB15N65EH5ATMA1	3.0500	RFQ	968	Infineon技术	Trenchstop™5	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IKB15N65	标准	105 w		pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		400V，15a，39ohm，15V	70 ns	沟渠场停止	650 v	30 a	45 a	2.1V @ 15V，15a	（400µJ）（在80µJ）上（OFF）	38 NC	16NS/145NS
IRG4BC20MDPBF	-	RFQ	5715	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		标准	60 W		TO-220AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		480V，11A，50OHM，15V	37 ns	-	600 v	18 a	36 a	2.1V @ 15V，11a	（410µJ）（在），2.03MJ（OFF）中）	39 NC	21NS/463NS
APTGT50DH170TG	135.5111	RFQ	9269	微芯片技术	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP4	APTGT50		312 w	标准	SP4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	不对称桥			沟渠场停止	1700 v	75 a		2.4V @ 15V，50a				250 µA	是的	4.4 NF @ 25 V

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

IGBT（8343）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²