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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 输入类型 | 力量 -最大 | 输入 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | 测试条件 | trr) | IGBT类型 | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 电流 -icm) | (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic | 切换能量 | 门充电 | TD (开/关) @ 25°C | 当前 -收集器截止(最大) | NTC热敏电阻 | (CIES) @ vce |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRG4PC30KDPBF | - | ![]() | 5626 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | IRG4PC30 | 标准 | 100 W | TO-247AC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 400 | 480V,16a,23ohm,15v | 42 ns | - | 600 v | 28 a | 58 a | 2.7V @ 15V,16a | 600µJ(在)上,580µJ降低) | 67 NC | 60NS/160NS | |||||||
![]() | IXXH40N65B4D1 | - | ![]() | 4293 | 0.00000000 | ixys | XPT™,Genx4™ | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | IXXH40 | 标准 | 455 w | TO-247(IXTH) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V,40a,5ohm,15V | 60 ns | - | 650 v | 115 a | 225 a | 2V @ 15V,40a | 1.4mj(在)上,800µJ(800µJ) | 66 NC | 20NS/115NS | ||||||||
![]() | MGP4N60ED | 0.4400 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Onmi | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | FZ2400R12KE3NOSA1 | 943.0000 | ![]() | 66 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | 10000 w | 标准 | AG-IHM130-2-1 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 单个开关 | - | 1200 v | 3460 a | 2.05V @ 15V,2.4KA | 5 ma | 不 | 150 nf @ 25 V | ||||||||||
![]() | HGTP7N60C3D | - | ![]() | 3488 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | 标准 | 60 W | TO-220AB | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | - | 35 ns | - | 600 v | 14 a | 56 a | 2V @ 15V,7a | - | 38 NC | - | ||||||||
![]() | IXLF19N250A | 53.4800 | ![]() | 2076 | 0.00000000 | ixys | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | I4-PAC™-5 (3个线索) | IXLF19 | 标准 | 250 w | ISOPLUS I4-PAC™ | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | 1500V,19a,47ohm,15V | npt | 2500 v | 32 a | 3.9V @ 15V,19A | (15mj)(30mj)(30MJ) | 142 NC | - | |||||||||
![]() | IKQ75N120CT2XKSA1 | 17.5000 | ![]() | 7387 | 0.00000000 | Infineon技术 | Trenchstop™ | 管子 | 不适合新设计 | -40°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | IKQ75N120 | 标准 | 938 w | PG-TO247-3-46 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 600V,75a,6ohm,15V | 沟渠场停止 | 1200 v | 150 a | 300 a | 2.15V @ 15V,75a | 6.7MJ(在)上,4.1MJ off) | 370 NC | 37NS/328N | ||||||||
![]() | RJH60F3DPK-00 t0 | - | ![]() | 8318 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 积极的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | RJH60F3 | 标准 | 178.5 w | to-3p | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | RJH60F3DPK00T0 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | - | 140 ns | 沟 | 600 v | 40 a | 1.82V @ 15V,20A | - | - | ||||||||
APT80GP60JDQ3 | 41.3600 | ![]() | 6006 | 0.00000000 | 微芯片技术 | PowerMos7® | 管子 | 积极的 | 底盘安装 | 同位素 | APT80GP60 | 462 w | 标准 | isotop® | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 单身的 | pt | 600 v | 151 a | 2.7V @ 15V,80a | 1.25 MA | 不 | 9.84 NF @ 25 V | |||||||||||
![]() | IXGK35N120BD1 | - | ![]() | 3839 | 0.00000000 | ixys | HiperFast™ | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-264-3,TO-264AA | IXGK35 | 标准 | 350 w | TO-264(ixgk) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | 960V,35A,5OHM,15V | 60 ns | - | 1200 v | 70 a | 140 a | 3.3V @ 15V,35a | 3.8MJ(() | 170 NC | 50NS/180NS | |||||||
![]() | FF225R65T3E3P2BPSA1 | 1.0000 | ![]() | 2499 | 0.00000000 | Infineon技术 | XHP™3 | 托盘 | 积极的 | 125°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | FF225R65 | 1000 w | 标准 | AG-XHP3K65 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2 | 2独立 | 沟渠场停止 | 5900 v | 225 a | 3.4V @ 15V,225a | 5 ma | 不 | 65.6 NF @ 25 V | ||||||||||
![]() | MG75UZ12MRGJ | 30.1032 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Yangjie技术 | - | 大部分 | 积极的 | - | 底盘安装 | SOT-227-4 | 标准 | SOT-227 | - | Rohs符合条件 | 到达不受影响 | 4617-MG75UZ12MRGJ | Ear99 | 25 | 单身的 | - | 1200 v | 75 a | - | 不 | ||||||||||||||
![]() | FZ1200R33HE3BPSA1 | 1.0000 | ![]() | 4520 | 0.00000000 | Infineon技术 | IHM-B | 托盘 | 不适合新设计 | -40°C〜150°C | 底盘安装 | 模块 | FZ1200 | 13000 w | 标准 | 模块 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 全桥 | 沟渠场停止 | 3300 v | 1200 a | 3.2V @ 15V,1200A | 5 ma | 不 | 210 NF @ 25 V | |||||||||
![]() | IXGN200N170 | 69.5000 | ![]() | 7812 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | IXGN200 | 标准 | 1250 w | SOT-227B | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | -ixgn200N170 | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | 850V,100A,1OHM,15V | 133 ns | - | 1700 v | 280 a | 1050 a | 2.6V @ 15V,100a | 28MJ(在)(30MJ)(OFF)上) | 540 NC | 37NS/320NS | ||||||
![]() | FS225R12OE4PBOSA1 | 559.0900 | ![]() | 4476 | 0.00000000 | Infineon技术 | Econopack™+ | 托盘 | 积极的 | -40°C〜150°C | 底盘安装 | 模块 | FS225R12 | 20兆 | 标准 | 模块 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 4 | 全桥 | 沟渠场停止 | 1200 v | 450 a | 2.15V @ 15V,225a | 3 ma | 是的 | 13 nf @ 25 V | |||||||||
![]() | FD200R12KE3S1HOSA1 | - | ![]() | 9806 | 0.00000000 | Infineon技术 | * | 大部分 | 积极的 | - | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FF600R07ME4B11BOSA1 | - | ![]() | 9218 | 0.00000000 | Infineon技术 | EconoDual™3 | 大部分 | 在sic中停产 | -40°C〜150°C | 底盘安装 | 模块 | FF600R07 | 1800 w | 标准 | 模块 | 下载 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 6 | 2独立 | 沟渠场停止 | 650 v | 700 a | 1.95V @ 15V,600A | 1 MA | 是的 | 37 NF @ 25 V | ||||||||||
![]() | IRG4RC10UTR | - | ![]() | 6827 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | IRG4RC10U | 标准 | 38 w | D-pak | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | 480V,5A,100OHM,15V | - | 600 v | 8.5 a | 34 a | 2.6V @ 15V,5A | 80µJ(在)(160µJ)(OFF)上) | 15 NC | 19NS/116NS | ||||||||
![]() | IRG4PH30KPBF | 1.0000 | ![]() | 9106 | 0.00000000 | 国际整流器 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | 标准 | 100 W | TO-247AC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | 960V,10a,23ohm,15V | - | 1200 v | 20 a | 40 a | 4.2V @ 15V,10a | (640µJ)(在920µJ上) | 53 NC | 28NS/200NS | |||||||||
![]() | FS50R12KT4B11BOSA1 | - | ![]() | 8627 | 0.00000000 | Infineon技术 | Econopack™2 | 托盘 | 在sic中停产 | -40°C〜150°C | 底盘安装 | 模块 | FS50R12 | 280 w | 标准 | 模块 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | 全桥 | 沟渠场停止 | 1200 v | 50 a | 2.15V @ 15V,50a | 1 MA | 是的 | 2.8 nf @ 25 V | |||||||||
IXBA14N300HV | 87.0400 | ![]() | 5077 | 0.00000000 | ixys | Bimosfet™ | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | ixba14 | 标准 | 200 w | TO-263 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | -ixba14n300hv | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 960V,14a,20欧姆,15V | 1.4 µs | npt | 3000 v | 38 a | 120 a | 2.7V @ 15V,14a | - | 62 NC | 40NS/166NS | |||||||
![]() | APT20GF120BRG | - | ![]() | 9712 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | APT20GF120 | 标准 | 200 w | TO-247 [B] | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | - | npt | 1200 v | 32 a | 64 a | 3.2V @ 15V,15a | 2.7MJ | 95 NC | 17NS/105NS | |||||||||
![]() | FF450R17ME4PB11BOSA1 | 384.9300 | ![]() | 5596 | 0.00000000 | Infineon技术 | EconoDual™3 | 托盘 | 积极的 | -40°C〜150°C | 底盘安装 | 模块 | FF450R17 | 标准 | 模块 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 6 | 2独立 | 沟渠场停止 | 1700 v | 450 a | 2.3V @ 15V,450a | 3 ma | 是的 | 36 NF @ 25 V | ||||||||||
![]() | IXA20I1200PB | 5.3200 | ![]() | 9551 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | IXA20I1200 | 标准 | 165 w | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 600V,15a,56ohm,15V | pt | 1200 v | 38 a | 2.1V @ 15V,15a | 1.65mj(在)上,1.7MJ OFF) | 47 NC | - | |||||||||
![]() | SGW50N60HS | - | ![]() | 6824 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | SGW50N | 标准 | 416 w | PG-TO247-3-1 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 400V,50a,6.8Ohm,15V | npt | 600 v | 100 a | 150 a | 3.15V @ 15V,50a | 1.96mj | 179 NC | 47NS/310NS | ||||||||
![]() | FF800R17KF6CB2NOSA2 | - | ![]() | 1023 | 0.00000000 | Infineon技术 | ihm-a | 托盘 | 过时的 | FF800R17 | - | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2 | - | - | - | ||||||||||||||||||||
![]() | IXGT24N60CD1 | - | ![]() | 1128 | 0.00000000 | ixys | HiperFast™,Lightspeed™ | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-268-3,D³pak(2 + tab),TO-268AA | IXGT24 | 标准 | 150 w | TO-268AA | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 480V,24a,10ohm,15V | 25 ns | - | 600 v | 48 a | 80 a | 2.5V @ 15V,24a | 240µJ(离) | 55 NC | 15NS/75NS | ||||||||
![]() | IXGK60N60B2D1 | - | ![]() | 7301 | 0.00000000 | ixys | HiperFast™ | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-264-3,TO-264AA | IXGK60 | 标准 | 500 w | TO-264(ixgk) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | 400V,50a,3.3Ohm,15V | 35 ns | pt | 600 v | 75 a | 300 a | 1.8V @ 15V,50a | 1MJ (关闭) | 170 NC | 28NS/160NS | ||||||||
![]() | F450R07W1H3B11ABOMA1 | 45.1258 | ![]() | 7772 | 0.00000000 | Infineon技术 | EasyPack™ | 托盘 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | F450R07 | 200 w | 标准 | 模块 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 24 | 完整的桥梁逆变器 | 沟渠场停止 | 650 v | 55 a | 1.85V @ 15V,25a | 50 µA | 是的 | 3.25 NF @ 25 V | |||||||||
![]() | SGP20N60HSXKSA1 | - | ![]() | 5888 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | SGP20N | 标准 | 178 w | pg-to220-3-1 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | 400V,20a,16ohm,15V | npt | 600 v | 36 a | 80 a | 3.15V @ 15V,20A | 690µJ | 100 NC | 18NS/207NS |
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