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IGBT（8343）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	测试条件	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
IXGH20N100	-	RFQ	1787年	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH20	标准	150 w		TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		800V，20A，47OHM，15V		pt	1000 v	40 a	80 a	3V @ 15V，20A	3.5MJ（）	73 NC	30NS/350NS
MUBW50-12T8	-	RFQ	8783	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	E3	mubw50		270 w	三相桥梁整流器	E3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5	三期逆变器			沟	1200 v	80 a		2.15V @ 15V，50a				2.7 MA	是的	3.5 nf @ 25 V
APT35GN120SG	9.5700	RFQ	68	微芯片技术	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	APT35GN120	标准	379 w		d3pa k	下载		（1 （无限）	到达不受影响	150-APT35GN120SG	Ear99	8541.29.0095	30		800V，35A，2.2OHM，15V		NPT，沟渠场停止	1200 v	94 a	105 a	2.1V @ 15V，35a	- ，2.315MJ（（2.315MJ））	220 NC	24NS/300NS
NVG800A75L4DSB2	-	RFQ	8986	Onmi	-	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	15-PowerDip 模块（2.827英寸，71.80mm）	NVG800			标准	AHPM15-CEC	下载				488-NVG800A75L4DSB2			1	半桥逆变器			-	750 v	800 a		1.6V @ 15V，600A				1 MA	不	43000 PF @ 30 V
APTGF50VDA60T3G	-	RFQ	6636	微芯片技术	-	大部分	过时的	-	底盘安装	SP3			250 w	标准	SP3	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1	双提升斩波器			npt	600 v	65 a		2.45V @ 15V，50a				250 µA	是的	2.2 NF @ 25 V
IRGS15B60KDPBF	1.0000	RFQ	5139	国际整流器	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		标准	208 w		D2PAK	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50		400V，15A，22OHM，15V	92 ns	npt	600 v	31 a	62 a	2.2V @ 15V，15a	（220µJ）（在340µJ上）	56 NC	34NS/184NS
IXGH41N60	-	RFQ	6968	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH41	标准	200 w		TO-247AD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		480V，41a，10ohm，15V		-	600 v	76 a	152 a	1.6V @ 15V，41a	8MJ（（）	120 NC	30NS/600NS
AIMZHN120R040M1TXKSA1	19.7280	RFQ	7609	Infineon技术	*	管子	积极的									-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	448-AIMZHN120R040M1TXKSA1			240
FS100R12KT4PBPSA1	207.9350	RFQ	2759	Infineon技术	Econopack™2	托盘	上次购买				FS100R12					-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	10
IGW30N60TPXKSA1	2.5600	RFQ	1	Infineon技术	Trenchstop™	管子	不适合新设计	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IGW30N60	标准	200 w		pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		400V，30a，10.5Ohm，15V		沟渠场停止	600 v	53 a	90 a	1.8V @ 15V，30a	（710µJ）（在420µJ上）	130 NC	15NS/179NS
IRGP4262DPBF	-	RFQ	4405	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准	250 w		TO-247AC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		400V，24a，10ohm，15V	170 ns	-	650 v	60 a	96 a	2.1V @ 15V，24a	（520µJ）（在），240µJ（240µJ）中	70 NC	24ns/73ns
IRG4RC20FTRPBF	-	RFQ	9553	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRG4RC20F	标准	66 W		D-pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001537264	Ear99	8541.29.0095	2,000		480V，12A，50OHM，15V		-	600 v	22 a	44 a	2.1V @ 15V，12A	190µJ（在）上，920µJ（OFF）	27 NC	26NS/194NS
IXGH40N60B2	-	RFQ	5054	ixys	HiperFast™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH40	标准	300 w		TO-247AD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		400V，30a，3.3ohm，15V		pt	600 v	75 a	200 a	1.7V @ 15V，30a	400µJ（离）	100 NC	18NS/130NS
IRGP50B60PD1PBF	-	RFQ	3767	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准	390 w		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400		390V，33a，3.3孔，15V	42 ns	npt	600 v	75 a	150 a	2.85V @ 15V，50a	（255µJ）（在），375µj（（（（（）	205 NC	30NS/130NS
IRG4BC40UPBF	-	RFQ	8163	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRG4BC40	标准	160 w		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		480V，20A，10欧姆，15V		-	600 v	40 a	160 a	2.1V @ 15V，20A	320µJ（在）上，350µJ（350µJ）	100 NC	34NS/110NS
IRG7PH35UD-EP	4.6300	RFQ	4	国际整流器	*	大部分	积极的									下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-IRG7PH35UD-EP-600047			1
RGT40TM65DGC9	3.2800	RFQ	799	Rohm半导体	-	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	RGT40	标准	39 W		TO-220NFM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		400V，20a，10ohm，15V	58 ns	沟渠场停止	650 v	17 a	60 a	2.1V @ 15V，20A	-	40 NC	22NS/75NS
4PS03012S43G30699NOSA1	-	RFQ	3042	Infineon技术	Primestack™	托盘	过时的	-25°C〜55°C	底盘安装	模块	4PS03012			标准	模块	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		过时的		1	全桥			-				-					不
IXBX75N170	65.0100	RFQ	1928年	ixys	Bimosfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXBX75	标准	1040 w		加上247™-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		-	1.5 µs	-	1700 v	200 a	580 a	3.1V @ 15V，75a	-	350 NC	-
IXYH20N65C3	3.2398	RFQ	4647	ixys	GenX3™，XPT™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixyh20	标准	230 w		TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		400V，20A，20欧姆，15V		pt	650 v	50 a	105 a	2.5V @ 15V，20A	（430µJ）（在350µJ上）	30 NC	19NS/80NS
IGW30N60TFKSA1	3.9300	RFQ	243	Infineon技术	Trechstop®	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IGW30N	标准	187 W		PG-TO247-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		400V，30a，10.6Ohm，15V		沟渠场停止	600 v	60 a	90 a	2.05V @ 15V，30a	1.46mj	167 NC	23ns/254ns
IXGH25N120	-	RFQ	7418	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH25	标准	200 w		TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		960V，25a，33ohm，15V		-	1200 v	50 a	100 a	3V @ 15V，25a	（11mj）（）	130 NC	100NS/650NS
IRG6I330U-111p	-	RFQ	9074	Infineon技术	-	管子	过时的	-	通过洞	TO-220-3	IRG6I330U	标准	43 W		TO-220AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001541504	Ear99	8541.29.0095	50		-		-	330 v	28 a		1.55V @ 15V，28a	-		39NS/120NS
KGF65A3H	-	RFQ	7280	桑肯	-	管子	积极的	175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	KGF65	标准	217 w		TO-247-3	下载	Rohs符合条件			1261-KGF65A3H	Ear99	8541.29.0095	1,440		400V，30a，10ohm，15V	50 ns	沟渠场停止	650 v	50 a	90 a	2.73V @ 15V，30a	（500µJ）（在400µJ上）	60 NC	30NS/90NS
IHW30N120R5XKSA1	4.8600	RFQ	421	Infineon技术	Trenchstop™	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IHW30N120	标准	330 w		pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		600V，30a，10ohm，15V		沟渠场停止	1200 v	60 a	90 a	1.85V @ 15V，30a	1.1mj（（）	235 NC	- /330n
6PS04512E43G37986NOSA1	-	RFQ	5246	Infineon技术	Primestack™	大部分	过时的	-25°C〜55°C	底盘安装	模块	6PS04512			标准	模块	-		不适用	到达不受影响		Ear99	8543.70.9860	1	三相逆变器			沟渠场停止	1200 v			-					是的
AOK60B65HQ3	2.5038	RFQ	6837	Alpha＆欧米茄半导体公司	Alphaigbt™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	AOK60	标准	500 w		TO-247	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	785-AOK60B65HQ3	Ear99	8541.29.0095	240		400V，60a，5ohm，15V	106 ns	-	650 v	120 a	180 a	2.5V @ 15V，60a	2.21mj（在）（1.2MJ）上）	84 NC	36NS/157NS
IRG4PC50SPBF	-	RFQ	3340	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRG4PC50	标准	200 w		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400		480V，41A，5OHM，15V		-	600 v	70 a	140 a	1.36V @ 15V，41a	（720µJ）（在），8.27MJ（OFF）	180 NC	33NS/650NS
IXXK100N60B3H1	26.8000	RFQ	3523	ixys	GenX3™，XPT™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXXK100	标准	695 w		TO-264（ixxk）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		360V，70a，2ohm，15V	140 ns	pt	600 v	200 a	440 a	1.8V @ 15V，70a	1.9MJ（在），2MJ（2MJ）中	143 NC	30NS/120NS
APT65GP60JDQ2	37.8200	RFQ	4269	微芯片技术	PowerMos7®	管子	积极的		底盘安装	同位素	APT65GP60		431 w	标准	isotop®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	单身的			pt	600 v	130 a		2.7V @ 15V，65a				1.25 MA	不	7.4 nf @ 25 V

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

IGBT（8343）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²