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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 输入类型 | 力量 -最大 | 输入 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | 测试条件 | trr) | IGBT类型 | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 电流 -icm) | (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic | 切换能量 | 门充电 | TD (开/关) @ 25°C | 当前 -收集器截止(最大) | NTC热敏电阻 | (CIES) @ vce |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRG4BC20FD-S | - | ![]() | 8657 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | 标准 | 60 W | D2PAK | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | *IRG4BC20FD-S | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 480V,9a,50ohm,15V | 37 ns | - | 600 v | 16 a | 64 a | 2V @ 15V,9a | (250µJ)(在640µJ上) | 27 NC | 43NS/240NS | |||||||
![]() | IXYH90N65A5 | 12.1600 | ![]() | 7 | 0.00000000 | ixys | XPT™,GenX5™ | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | IXYH90 | 标准 | 650 w | TO-247(IXTH) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 238-ixyH90N65A5 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V,50A,5OHM,15V | pt | 650 v | 220 a | 600 a | 1.35V @ 15V,60a | 1.3MJ(在)上,3.4MJ off) | 260 NC | 40NS/420NS | |||||||
![]() | IRG4BC20SD-S | - | ![]() | 9272 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | 标准 | 60 W | D2PAK | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | *IRG4BC20SD-S | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 480V,10a,50ohm,15V | 37 ns | - | 600 v | 19 a | 38 a | 1.6V @ 15V,10a | 320µJ(在)上,2.58MJ off) | 27 NC | 62NS/690NS | |||||||
![]() | APTGT300TL65G | 325.1400 | ![]() | 7002 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | APTGT300 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||
![]() | VS-GT100TP60N | 79.2400 | ![]() | 24 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 积极的 | 175°C(TJ) | 底盘安装 | int-a-pak(3 + 4) | GT100 | 417 w | 标准 | int-a-pak | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 24 | 半桥 | 沟 | 600 v | 160 a | 2.1V @ 15V,100a | 5 ma | 不 | 7.71 NF @ 30 V | |||||||||
![]() | SIGC10T60EX7SA3 | - | ![]() | 4833 | 0.00000000 | Infineon技术 | Trenchstop™ | 大部分 | 积极的 | -40°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | 死 | SIGC10 | 标准 | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 0000.00.0000 | 1 | - | 沟渠场停止 | 600 v | 20 a | 60 a | 1.9V @ 15V,20A | - | - | |||||||||||
![]() | AOTF10B65M1 | 1.7700 | ![]() | 122 | 0.00000000 | Alpha&欧米茄半导体公司 | Alpha IGBT™ | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | AOTF10 | 标准 | 30 W | TO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 785-1766 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 400V,10A,30OHM,15V | 263 ns | - | 650 v | 20 a | 30 a | 2V @ 15V,10a | 180µJ(在)(130µJ)上 | 24 NC | 12NS/91NS | ||||||
![]() | STGWA80H65DFB | - | ![]() | 4317 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | STGWA80 | 标准 | 469 w | TO-247长铅 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V,80a,10ohm,15V | 85 ns | 沟渠场停止 | 650 v | 120 a | 240 a | 2V @ 15V,80a | 2.1mj(在)上,1.5mj off) | 414 NC | 84NS/280NS | |||||||
![]() | VS-GT140DA60U | 68.0600 | ![]() | 9869 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜175°C(TJ) | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | GT140 | 652 w | 标准 | SOT-227 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | 单身的 | 沟 | 600 v | 200 a | 2V @ 15V,100a | 100 µA | 不 | ||||||||||
![]() | IKB30N65EH5ATMA1 | 4.2800 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Infineon技术 | Trenchstop™5 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | IKB30N65 | 标准 | 188 w | pg-to263-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 400V,30a,22ohm,15V | 75 ns | 沟渠场停止 | 650 v | 55 a | 90 a | 2.1V @ 15V,30a | 870µJ(在)上,300µJ(OFF) | 70 NC | 24NS/159NS | |||||||
![]() | FPF2C110BI07AS2 | 77.7900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | * | 大部分 | 积极的 | - | 供应商不确定 | 到达不受影响 | 2156-FPF2C110BI07AS2-600039 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | MUBW15-06A6K | - | ![]() | 5033 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 过时的 | -40°C〜125°C(TJ) | 底盘安装 | E1 | mubw15 | 75 w | 三相桥梁整流器 | E1 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | 三期逆变器 | npt | 600 v | 19 a | 2.9V @ 15V,15a | 600 µA | 是的 | 600 pf @ 25 V | |||||||||
![]() | RJH60M3DPP-M0 #T2 | - | ![]() | 2166 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 过时的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | RJH60M3 | 标准 | 39.7 w | TO-220FL | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | RJH60M3DPPM0T2 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 300V,17a,5ohm,15V | 90 ns | 沟 | 600 v | 35 a | 2.3V @ 15V,17a | (290µJ)(在),290µJ(290µJ)中 | 60 NC | 38NS/90NS | |||||||
![]() | FS20R06VE3B2BOMA1 | - | ![]() | 2516 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜150°C | 底盘安装 | 模块 | FS20R06 | 71.5 w | 标准 | 模块 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 40 | 三相逆变器 | - | 600 v | 25 a | 2V @ 15V,20A | 1 MA | 是的 | 1.14 NF @ 25 V | |||||||||
![]() | IXGH15N120B | - | ![]() | 6300 | 0.00000000 | ixys | HiperFast™ | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | IXGH15 | 标准 | 180 w | TO-247AD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 960V,15a,10ohm,15V | pt | 1200 v | 30 a | 60 a | 3.2V @ 15V,15a | 1.75MJ() | 69 NC | 25NS/180NS | ||||||||
IXGA150N30TC | - | ![]() | 7095 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 过时的 | - | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | IXGA15 | 标准 | TO-263AA | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | - | - | 300 v | 150 a | - | - | - | |||||||||||||
![]() | IXGH38N60U1 | - | ![]() | 7446 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 过时的 | - | 通过洞 | TO-247-3 | IXGH38 | 标准 | 200 w | TO-247AD | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | - | - | 600 v | 76 a | 1.8V @ 15V,38a | - | - | |||||||||||
![]() | IRGS4064DPBF | 1.2400 | ![]() | 6989 | 0.00000000 | 国际整流器 | - | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | 标准 | 101 w | D2PAK | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.29.0095 | 181 | 400V,10a,22ohm,15V | 62 ns | 沟 | 600 v | 20 a | 40 a | 1.91V @ 15V,10a | 29µJ(在)上,200µJ(200µJ) | 32 NC | 27NS/79NS | ||||||||||
![]() | IXER35N120D1 | - | ![]() | 9188 | 0.00000000 | ixys | - | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | ixer35 | 标准 | 200 w | ISOPLUS247™ | 下载 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 600V,35a,39ohm,15V | 80 ns | npt | 1200 v | 50 a | 2.8V @ 15V,35a | 5.4MJ(在)上,2.6MJ off) | 150 NC | - | |||||||||
![]() | HGTP3N60A4D | 1.2300 | ![]() | 25 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | 标准 | 70 W | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | 390V,3A,50OHM,15V | 29 ns | - | 600 v | 17 a | 40 a | 2.7V @ 15V,3A | (37µJ)(在),25µJ(25µJ)中 | 21 NC | 6NS/73NS | ||||||||||
![]() | HGT1S14N36G3VLT_NL | - | ![]() | 5266 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA | 逻辑 | 100 W | i2pak((TO-262) | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.29.0095 | 124 | 300V,7A,28OHM,5V | - | 390 v | 18 a | 2.2V @ 5V,14a | - | 24 NC | - /7µs | ||||||||||
![]() | RGS50TSX2DHRC11 | 10.6100 | ![]() | 406 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | RGS50 | 标准 | 395 w | TO-247N | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-RGS50TSX2DHRC11 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 600V,25a,10ohm,15V | 182 ns | 沟渠场停止 | 1200 v | 50 a | 75 a | 2.1V @ 15V,25a | 1.4MJ(在)上,1.65MJ OFF) | 67 NC | 37NS/140NS | ||||||
![]() | IRG4PC40UD-EPBF | - | ![]() | 9517 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | IRG4PC40 | 标准 | 160 w | TO-247AC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 400 | 480V,20A,10欧姆,15V | 42 ns | - | 600 v | 40 a | 160 a | 2.1V @ 15V,20A | (710µJ)(在350µJ上) | 100 NC | 54NS/110NS | |||||||
![]() | IRGBC30F | - | ![]() | 4607 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | 标准 | 100 W | TO-220AB | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | - | 600 v | 31 a | 2.1V @ 15V,17a | ||||||||||||||
![]() | APTGTQ200A65T3G | 120.8100 | ![]() | 2587 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜175°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | APTGTQ200 | 483 w | 标准 | SP3F | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 半桥 | - | 650 v | 200 a | 2.2V @ 15V,200a | 200 µA | 是的 | 12 nf @ 25 V | ||||||||||
![]() | FGP5N60UFDTU | - | ![]() | 4674 | 0.00000000 | Onmi | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | FGP5 | 标准 | 81 w | TO-220-3 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 400 | 400V,5A,20欧姆,15V | 30 ns | 现场停止 | 600 v | 10 a | 15 a | 2.4V @ 15V,5A | 75µJ(在)上,59µJ(59µJ) | 19.5 NC | 6NS/44NS | ||||||||
![]() | IRGP4640D-EPBF | 3.6200 | ![]() | 43 | 0.00000000 | 国际整流器 | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 83 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | STGB7NB60KDT4 | - | ![]() | 5161 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | PowerMesh™ | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | STGB7 | 标准 | 80 W | D2PAK | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 480V,7A,10欧姆,15V | 50 ns | - | 600 v | 14 a | 56 a | 2.8V @ 15V,7a | (140µJ)) | 32.7 NC | 15NS/50NS | |||||||
![]() | DF1400R12IP4DBOSA1 | 831.0100 | ![]() | 3697 | 0.00000000 | Infineon技术 | PrimePack™3 | 托盘 | 不适合新设计 | -40°C〜150°C | 底盘安装 | 模块 | DF1400 | 7700 w | 标准 | 模块 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2 | 单菜器 | 沟渠场停止 | 1200 v | 1400 a | 2.1V @ 15V,1400a | 5 ma | 是的 | 82 NF @ 25 V | |||||||||
![]() | HGTG40N60B3 | - | ![]() | 1300 | 0.00000000 | Onmi | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | HGTG40 | 标准 | 290 w | TO-247-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 450 | 480V,40a,3ohm,15V | - | 600 v | 70 a | 330 a | 2V @ 15V,40a | 1.05mj(在)上,800µJ off) | 250 NC | 47NS/170NS |
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