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IGBT（8343）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	测试条件	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
SIGC42T60NCX1SA3	-	RFQ	6081	Infineon技术	-	大部分	过时的	-55°C〜150°C	表面安装	死	SIGC42T60	标准			死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的		1		300V，50a，3.3ohm，15V		npt	600 v	50 a	150 a	2.5V @ 15V，50a	-		43NS/130NS
IRG7PH46U-EP	-	RFQ	3809	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	irg7ph	标准	469 w		TO-247AD	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001537550	Ear99	8541.29.0095	25		600V，40a，10ohm，15V		沟	1200 v	130 a	160 a	2V @ 15V，40a	2.56mj（在）上，1.78mj off）	220 NC	45NS/410NS
MA15037577NDSA1	-	RFQ	6738	Infineon技术	-	大部分	过时的									-			到达不受影响	448-MA15037577NDSA1	Ear99	8541.29.0095	1
AIMDQ75R040M1HXUMA1	11.8434	RFQ	6063	Infineon技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	448-AIMDQ75R040M1HXUMA1TR			750
NXH100B120H3Q0PG	90.1200	RFQ	24	Onmi	-	托盘	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块			186 w	标准	22-PIM（55x32.5）	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-NXH100B120H3Q0PG	Ear99	8541.29.0095	24	2独立			沟渠场停止	1200 v	61 a		2.3V @ 15V，50a				200 µA	不	9.075 NF @ 20 V
FS150R17N3E4B11BOSA1	322.6120	RFQ	5243	Infineon技术	Econopack™3	托盘	积极的	-40°C〜150°C	底盘安装	模块	FS150R17		835 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	三相逆变器			沟渠场停止	1700 v	150 a		2.3V @ 15V，150a				1 MA	是的	13.5 nf @ 25 V
F4150R12KS4BOSA1	368.6400	RFQ	10	Infineon技术	-	大部分	积极的	-40°C〜125°C	底盘安装	模块	F4150R12		960 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	三相逆变器			-	1200 v	180 a		3.75V @ 15V，150a				5 ma	是的	10 nf @ 25 V
IGP50N60T	2.5100	RFQ	2	Infineon技术	Trenchstop™	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		标准	333 w		pg-to220-3-1	下载					Ear99	8542.39.0001	120		400V，50a，7ohm，15V		沟渠场停止	600 v	90 a	150 a	2V @ 15V，50a	1.2MJ（在）上，1.4MJ off）	310 NC	26NS/299NS
IXSK30N60BD1	-	RFQ	9461	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	ixsk30	标准	200 w			下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		480V，30a，4.7Ohm，15V	50 ns	-	600 v	55 a	110 a	2.7V @ 15V，55a	1.5mj（（）	100 NC	30NS/150NS
APTGT150TDU60PG	243.8000	RFQ	3785	微芯片技术	-	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SP6	APTGT150		480 w	标准	sp6-p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	三重，双重来源			沟渠场停止	600 v	225 a		1.9V @ 15V，150a				250 µA	不	9.2 NF @ 25 V
FF900R12IE4BOSA1	640.9000	RFQ	3	Infineon技术	PrimePack™2	托盘	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	FF900R12		5100 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3	单身的			沟渠场停止	1200 v	900 a		2.05V @ 15V，900A				5 ma	是的	54 NF @ 25 V
FGA30T65SHD	-	RFQ	5102	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	FGA30T65	标准	238 w		to-3pn	下载					Ear99	8542.39.0001	1		400V，30a，6ohm，15V	31.8 ns	沟渠场停止	650 v	60 a	90 a	2.1V @ 15V，30a	（598µJ）（在167µJ off）上脱落）	54.7 NC	14.4NS/52.8NS
FF200R12KS4PHOSA1	195.5800	RFQ	8	Infineon技术	-	托盘	积极的	-40°C〜125°C	底盘安装	模块	FF200R12		1400 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	8	半桥			-	1200 v	275 a		3.7V @ 15V，200a				5 ma	不	13 nf @ 25 V
NGTB30N120IHRWG	-	RFQ	4269	Onmi	-	管子	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	NGTB30	标准	384 w		TO-247	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		600V，30a，10ohm，15V		沟渠场停止	1200 v	60 a	120 a	2.5V @ 15V，30a	（700µJ）（离）	225 NC	- /230n
STGWA45HF60WDI	5.8400	RFQ	551	Stmicroelectronics	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STGWA45	标准	310 w		TO-247-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		400V，30a，4.7Ohm，15V	90 ns	-	600 v	80 a	150 a	2.5V @ 15V，30a	330µJ（）	160 NC	- /145ns
RGW00TS65HRC11	6.8500	RFQ	4064	Rohm半导体	-	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	RGW00	标准	254 w		TO-247N	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-RGW00TS65HRC11	Ear99	8541.29.0095	450		400V，25a，10ohm，15V		沟渠场停止	650 v	96 a	200 a	1.9V @ 15V，50a		141 NC	48NS/186NS
IXYH10N170C	11.7500	RFQ	1	ixys	XPT™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixyh10	标准	280 w		TO-247（IXYH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		850V，10a，10ohm，15V	17 ns	-	1700 v	36 a	84 a	3.8V @ 15V，10a	1.4MJ（在）上，700µJ（OFF）	46 NC	14NS/130NS
SGL60N90DG3YDTU	-	RFQ	2961	Onmi	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	SGL60	标准	180 w		TO-264-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	150		-	1.5 µs	沟	900 v	60 a	120 a	2.7V @ 15V，60a	-	260 NC	-
FMG2G400US60	-	RFQ	7131	Onmi	-	盒子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	晚上7点	FMG2		1136 w	标准	晚上7点	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	半桥			-	600 v	400 a		2.7V @ 15V，400A				250 µA	不
FGA20S120M	-	RFQ	5832	Onmi	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	FGA20	标准	348 w		to-3p	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		-		沟渠场停止	1200 v	40 a	60 a	1.85V @ 15V，20A	-	208 NC	-
AOB10B65M1	1.2466	RFQ	1149	Alpha＆欧米茄半导体公司	Alpha IGBT™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	AOB10	标准	150 w		TO-263（D2PAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		400V，10A，30OHM，15V	262 ns	-	650 v	20 a	30 a	2V @ 15V，10a	180µJ（在）（130µJ）上	24 NC	12NS/91NS
IRGP4640-EPBF	-	RFQ	1905年	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRGP4640	标准	250 w		TO-247AD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		400V，24a，10ohm，15V		-	600 v	65 a	72 a	1.9V @ 15V，24a	（100µJ）（600µJ）（off）	75 NC	40NS/105NS
APTGV30H60T3G	-	RFQ	7693	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP3			90 W	标准	SP3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	完整的桥梁逆变器			NPT，沟渠场停止	600 v	50 a		1.9V @ 15V，30a				250 µA	是的	1.6 nf @ 25 V
DGG4015A	-	RFQ	7605	桑肯	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	DGG40	标准	55 w		TO-252	下载	Rohs符合条件			1261-DGG4015ATR	Ear99	8541.29.0095	3,000		-		-	425 v	15 a		1.7V @ 10V，10A	-		-
SGF23N60UFDTU	-	RFQ	6219	Onmi	-	管子	过时的	-	通过洞	TO-3P-3	SGF23	标准	75 w		to-3pf	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		300V，12a，23ohm，15V	60 ns	-	600 v	23 a	92 a	2.6V @ 15V，12a	（115µJ）（在），135µJ（（（（）	49 NC	17NS/60NS
irg7ph42ud2pbf	-	RFQ	1763年	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRG7PH42	标准	321 w		TO-247AC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		600V，30a，10ohm，15V		沟	1200 v	60 a	90 a	2.02V @ 15V，30a	1.32MJ（）	234 NC	- /233ns
IRGPC50F	-	RFQ	2550	Infineon技术	-	包	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准	200 w		TO-247AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25				-	600 v	70 a		1.7V @ 15V，39a
F417MR12W1M1HB70BPSA1	164.4200	RFQ	3853	Infineon技术	-	托盘	积极的									-	rohs3符合条件						24
VS-GT75NP120N	-	RFQ	8383	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	int-a-pak（3 + 4）	GT75		446 w	标准	int-a-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	VSGT75NP120N	Ear99	8541.29.0095	24	单身的			-	1200 v	150 a		2.08V @ 15V，75a ty（typ））				1 MA	不	9.45 NF @ 30 V
F3L75R12W1H3PB11BPSA1	75.1200	RFQ	30	Infineon技术	-	托盘	积极的									-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

IGBT（8343）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²