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IGBT（8343）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	测试条件	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
VII25-12P1	-	RFQ	3243	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	Eco-PAC2	vii		130 w	标准	Eco-PAC2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	半桥			npt	1200 v	30 a		3.3V @ 15V，25a				900 µA	是的	1 nf @ 25 V
BSM400GA170DLS	142.3400	RFQ	10	Infineon技术	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	底盘安装	模块	BSM400		3120 w	标准	模块	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1	单身的			-	1700 v	800 a		3.3V @ 15V，400A				1 MA	不	27 NF @ 25 V
FGD3040G2-F085C	1.6900	RFQ	9657	Onmi	汽车，AEC-Q101，Ecospark®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FGD3040	逻辑	150 w		D-pak（TO-252）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		300V，6.5A，1000OHM，5V		-	400 v	41 a		1.25V @ 4V，6A	-	21 NC	0.9µs/4.8µs
IXGC12N60C	-	RFQ	7894	ixys	HiperFast™	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	ISOPLUS220™	IXGC12	标准	85 w		ISOPLUS220™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		480V，12a，18onm，15v		-	600 v	15 a	48 a	2.7V @ 15V，12A	90µJ（离）	32 NC	20N/60N
APTGT35H120T1G	-	RFQ	4218	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP1			208 w	标准	SP1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	完整的桥梁逆变器			沟渠场停止	1200 v	55 a		2.1V @ 15V，35a				250 µA	是的	2.5 nf @ 25 V
PS2GFANSET30599NOSA1	-	RFQ	6004	Infineon技术	-	托盘	过时的				PS2GFANSET30599					-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1
IRG4PC30KD	-	RFQ	1990	Infineon技术	-	包	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRG4PC30	标准	100 W		TO-247AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRG4PC30KD	Ear99	8541.29.0095	25		480V，16a，23ohm，15v	42 ns	-	600 v	28 a	58 a	2.7V @ 15V，16a	600µJ（在）上，580µJ降低）	67 NC	60NS/160NS
APTGT150SK120TG	-	RFQ	3934	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP4			690 w	标准	SP4	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	单身的			沟渠场停止	1200 v	220 a		2.1V @ 15V，150a				350 µA	是的	10.7 NF @ 25 V
APTGT400DA120D3G	-	RFQ	7056	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	D-3模块			2100 w	标准	D3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	单身的			沟渠场停止	1200 v	580 a		2.1V @ 15V，400A				750 µA	不	29 nf @ 25 V
FZ1200R33KF2CS1NOSA1	-	RFQ	2023	Infineon技术	-	托盘	过时的	-40°C〜125°C	底盘安装	模块	FZ1200		14500 w	标准	-	下载			到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	全桥			-	3300 v	2000 a		4.25V @ 15V，1.2KA				12 ma	不	150 nf @ 25 V
FF600R12KE7PHPSA1	261.2688	RFQ	2873	Infineon技术	C，Trenchstop™	托盘	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块				标准	Ag-62mmhb	-	rohs3符合条件						8	半桥逆变器			沟渠场停止	1200 v	600 a		1.75V @ 15V，600A				100 µA	不	92300 PF @ 25 V
MGB20N36CL	1.2700	RFQ	734	Onmi	*	大部分	积极的									-	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1
RGT60TS65DGC11	2.3755	RFQ	7529	Rohm半导体	-	管子	不适合新设计	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	RGT60	标准	194 w		TO-247N	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-RGT60TS65DGC11	Ear99	8541.29.0095	30		400V，30a，10ohm，15V	58 ns	沟渠场停止	650 v	55 a	90 a	2.1V @ 15V，30a	-	58 NC	29n/100ns
AIGB50N65F5ATMA1	5.0600	RFQ	224	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	AIGB50	标准			pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		-		npt	650 v	50 a		-	-		-
HGT1S7N60C3DS	-	RFQ	1794年	Onmi	-	管子	过时的	-	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	HGT1S7N60	标准	60 W		d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		480V，7A，50OHM，15V	37 ns	-	600 v	14 a	56 a	2V @ 15V，7a	165µJ（在）上，600µJ（600µJ）	23 NC	-
STGP30H65F	3.1200	RFQ	14	Stmicroelectronics	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STGP30	标准	260 w		TO-220	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		400V，30a，10ohm，15V		沟渠场停止	650 v	60 a	120 a	2.4V @ 15V，30a	350µJ（在）上，400µJ（400µJ）	105 NC	50NS/160NS
APTGT300A60D3G	217.9400	RFQ	5607	微芯片技术	-	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	D-3模块	APTGT300		940 w	标准	D3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	半桥			沟渠场停止	600 v	400 a		1.9V @ 15V，300A				500 µA	不	18.5 nf @ 25 V
SIGC18T60NCX1SA4	-	RFQ	1718年	Infineon技术	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	死	SIGC18	标准			死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的		1		300V，20a，13ohm，15V		npt	600 v	20 a	60 a	2.5V @ 15V，20A	-		21NS/110NS
NGTB40N120IHLWG	-	RFQ	1547年	Onmi	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	NGTB40	标准	260 w		TO-247-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		600V，40a，10ohm，15V		沟渠场停止	1200 v	80 a	320 a	2.35V @ 15V，40a	1.4MJ（）	420 NC	- /360NS
IXGH16N60B2D1	-	RFQ	1977年	ixys	HiperFast™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH16	标准	150 w		TO-247AD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		400V，12A，22OHM，15V	30 ns	pt	600 v	40 a	100 a	1.95V @ 15V，12A	160µJ（在）上，120µJ（120µJ）	24 NC	18NS/73NS
DF160R12W2H3FB11BPSA1	125.8700	RFQ	15	Infineon技术	EasyPack™	托盘	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	DF160R12		20兆	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	15	三相逆变器			沟渠场停止	1200 v	40 a		1.7V @ 15V，20A				1 MA	是的	2.35 NF @ 25 V
FGPF7N60LSDTU	0.5500	RFQ	4	Fairchild半导体	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		标准	45 W		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50		300V，7A，470OHM，15V	65 ns	-	600 v	14 a	21 a	2V @ 15V，7a	270µJ（在）上，3.8MJ（3.8MJ）	24 NC	120NS/410NS
MUBW20-06A7	-	RFQ	7382	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	E2	mubw20		125 w	三相桥梁整流器	E2	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	6	三期逆变器			npt	600 v	35 a		2.3V @ 15V，20A				600 µA	是的	1.1 NF @ 25 V
IXYQ30N65B3D1	-	RFQ	6676	ixys	GenX3™，XPT™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	IXYQ30	标准	270 w		to-3p	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-IXYQ30N65B3D1	Ear99	8541.29.0095	30		400V，30a，10ohm，15V	38 ns	pt	650 v	70 a	160 a	2.1V @ 15V，30a	（830µJ）（在640µJ上）	45 NC	17ns/87ns
BSM100GD60DLCBDLA1	-	RFQ	2405	Infineon技术	-	托盘	过时的	-40°C〜125°C	底盘安装	模块	BSM100		430 w	标准	模块	-			到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	全桥			-	600 v	130 a		2.45V @ 15V，100a				500 µA	不	4.3 NF @ 25 V
NGTB30N120LWG	-	RFQ	5228	Onmi	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	NGTB30	标准	560 w		TO-247-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		600V，30a，10ohm，15V		沟渠场停止	1200 v	60 a	240 a	2.2V @ 15V，30a	4.4MJ（在）上，1MJ（1MJ）	420 NC	136NS/360NS
IGC99T120T8RQX1SA1	-	RFQ	8411	Infineon技术	Trenchstop™	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	死	IGC99T120	标准			死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		-		沟渠场停止	1200 v	100 a	300 a	2.42V @ 15V，100A	-		-
AOK60B60D1	4.3397	RFQ	9742	Alpha＆欧米茄半导体公司	Alpha IGBT™	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	AOK60	标准	417 w		TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	785-1625-5	Ear99	8541.29.0095	240		400V，60a，5ohm，15V	137 ns	-	600 v	120 a	210 a	2.4V @ 15V，60a	3.1mj（在）上，730µJ（OFF）	75 NC	32NS/74NS
APT15GN120kg	-	RFQ	6344	Microsemi Corporation	PowerMos7®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	APT15GN120	标准	195 w		TO-220 [K]	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		800V，15a，4.3Ohm，15V		沟渠场停止	1200 v	45 a	45 a	2.1V @ 15V，15a	（410µJ）（在），950µJ（OFF）上）	90 nc	10NS/150NS
STGWA40H65DFB2	4.1200	RFQ	2201	Stmicroelectronics	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STGWA40	标准	230 w		TO-247长铅	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-19785	Ear99	8541.29.0095	30		400V，40a，4.7Ohm，15V	75 ns	沟渠场停止	650 v	72 a	160 a	2V @ 15V，40a	（765µJ）（在410µJ上）	153 NC	18NS/72NS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

IGBT（8343）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²