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IGBT（8343）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	测试条件	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
FZ1000R33HE3BPSA1	1.0000	RFQ	3	Infineon技术	IHM-B	托盘	不适合新设计	-40°C〜150°C	底盘安装	模块	FZ1000			标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2	单个开关			沟渠场停止	3300 v	1000 a		3.1V @ 15V，100a				5 ma	不	190 NF @ 25 V
FS100R07N2E4_B11	79.6300	RFQ	6	Infineon技术	Econopack™2	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块			20兆	标准	Ag-Econo2b	下载					Ear99	8542.39.0001	1	三相逆变器			沟渠场停止	650 v	125 a		1.95V @ 15V，100a				1 MA	是的	6.2 NF @ 25 V
AIMZHN120R010M1TXKSA1	93.2660	RFQ	5139	Infineon技术	*	管子	积极的									-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	448-AIMZHN120R010M1TXKSA1			240
IXA33IF1200HB	10.4200	RFQ	216	ixys	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXA33IF1200	标准	250 w		TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		600V，25a，39ohm，15V	350 ns	pt	1200 v	58 a		2.1V @ 15V，25a	2.5mj（在）上，3MJ（3mj）	76 NC	-
STGB20V60F	-	RFQ	2589	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STGB20	标准	167 w		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		400V，20A，15V		沟渠场停止	600 v	40 a	80 a	2.2V @ 15V，20A	200µJ（在）上，130µJ（OFF）	116 NC	38NS/149NS
IGB50N65H5ATMA1	3.9500	RFQ	990	Infineon技术	Trenchstop™5	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IGB50	标准	270 w		pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		400V，50a，12ohm，15V		沟渠场停止	650 v	80 a	150 a	2.1V @ 15V，50a	1.59mj（在）上，750µJ off）	120 NC	23ns/173ns
IXGX40N60BD1	-	RFQ	2776	ixys	HiperFast™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXGX40	标准	250 w		加上247™-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		480V，40a，4.7Ohm，15V	35 ns	-	600 v	75 a	150 a	2.1V @ 15V，40a	2.7MJ（）	116 NC	25NS/180NS
FF600R12ME4CPBPSA1	410.6367	RFQ	2794	Infineon技术	EconoDual™3	托盘	不适合新设计	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	FF600R12		4050 w	标准	ag-econod	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	6	半桥逆变器			沟渠场停止	1200 v	1060 a		2.1V @ 15V，600A				3 ma	是的	37 NF @ 25 V
BSM300GA120DN2SE325HOSA1	-	RFQ	2301	Infineon技术	-	大部分	过时的				BSM300					-					过时的		1
APTGF330DA60D3G	-	RFQ	9427	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	D-3模块			1400 w	标准	D3	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1	单身的			npt	600 v	460 a		2.5V @ 15V，400A				750 µA	不	18 nf @ 25 V
FF450R12KE4HOSA1	213.3600	RFQ	2477	Infineon技术	c	托盘	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	FF450R12		2400 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	半桥			沟渠场停止	1200 v	520 a		2.15V @ 15V，450a				5 ma	不	28 NF @ 25 V
GT60N321（Q）	-	RFQ	5273	东芝半导体和存储	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	to-3pl	GT60N321	标准	170 w		TO-3P（lh）	-		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	100		-	2.5 µs	-	1000 v	60 a	120 a	2.8V @ 15V，60a	-		330NS/700NS
IKU10N60RBKMA1	-	RFQ	1055	Infineon技术	Trechstop®	管子	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	Ku10n	标准	150 w		pg-to251-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		400V，10a，23ohm，15V	62 ns	沟	600 v	20 a	30 a	2.1V @ 15V，10a	590µJ	64 NC	14NS/192NS
IRG4RC10KD	-	RFQ	8025	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		标准	38 w		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRG4RC10KD	Ear99	8541.29.0095	75		480V，5A，100OHM，15V	28 ns	-	600 v	9 a	18 a	2.62V @ 15V，5A	（250µJ）（在140µJ上）	19 nc	49NS/97NS
IRGR3B60KD2TRLP	-	RFQ	9916	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRGR3B60	标准	52 w		D-pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		400V，3A，100OHM，15V	77 ns	npt	600 v	7.8 a	15.6 a	2.4V @ 15V，3A	（62µJ）（在），39µJ（39µJ）中	13 NC	18NS/110NS
IKP08N65F5XKSA1	2.1600	RFQ	7	Infineon技术	Trechstop®	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IKP08N65	标准	70 W		PG-TO220-3-111	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP000973408	Ear99	8541.29.0095	500		400V，4A，48ohm，15V	41 ns	-	650 v	18 a	24 a	2.1V @ 15V，8a	（70µJ）（在），20µj（20 µj）	22 NC	10NS/116NS
IXGQ150N30TC	-	RFQ	5035	ixys	-	管子	过时的	-	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	IXGQ150	标准			to-3p	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		-		-	300 v	150 a		-	-		-
AOK20B65M1	2.5630	RFQ	3797	Alpha＆欧米茄半导体公司	Alpha IGBT™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	AOK20	标准	227 w		TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	240		400V，20a，15ohm，15V	322 ns	-	650 v	40 a	60 a	2.15V @ 15V，20A	（470µJ）（在），270µJ（270µJ）上）	46 NC	26ns/122ns
IXGH24N170AH1	-	RFQ	8719	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH24	标准	250 w		TO-247AD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		850V，24a，10ohm，15V	200 ns	npt	1700 v	24 a	75 a	6V @ 15V，16a	2.97mj（在）上（790µJ）off）	140 NC	21NS/336NS
A1C15S12M3	52.8000	RFQ	3537	Stmicroelectronics	-	托盘	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	A1C15		142.8 w	三相桥梁整流器	Acepack™1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-17736	Ear99	8541.29.0095	36	三期逆变器			沟渠场停止	1200 v	15 a		2.45V @ 15V，15a				100 µA	是的	985 PF @ 25 V
APT40GL120JU3	24.2202	RFQ	6323	微芯片技术	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	底盘，螺柱坐骑	SOT-227-4，迷你布洛克	APT40GL120		220 w	标准	SOT-227	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	单身的			沟渠场停止	1200 v	65 a		2.25V @ 15V，35a				250 µA	不	1.95 nf @ 25 V
APTGF50X60T3G	-	RFQ	9069	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-	底盘安装	SP3			250 w	标准	SP3	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1	三相逆变器			npt	600 v	65 a		2.45V @ 15V，50a				250 µA	是的	2.2 NF @ 25 V
IHY15N120R3XKSA1	-	RFQ	4300	Infineon技术	Trechstop®	管子	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IHY15	标准	254 w		PG-TO247HC-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	280		600V，15A，14.6OHM，15V		沟	1200 v	30 a	45 a	1.7V @ 15V，15a	（700µJ）（离）	165 NC	- /300NS
SIGC76T65R3EX1SA1	-	RFQ	2894	Infineon技术	Trenchstop™	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	死	SIGC76	标准			死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响			0000.00.0000	1		-		沟渠场停止	650 v	150 a	450 a	1.2V @ 15V，45a	-		-
NGD8201NT4	-	RFQ	3592	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NGD8201	逻辑	125 w		DPAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		300V，9A，1KOHM，5V		-	440 v	20 a	50 a	1.9V @ 4.5V，20A	-		- /5µs
HGTG40N60C3	-	RFQ	7264	Fairchild半导体	UFS	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准	291 w		TO-247	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-HGTG40N60C3-600039			1		480V，40a，3ohm，15V		-	600 v	75 a	300 a	1.8V @ 15V，40a	850mj（在），1MJ（1MJ）上	395 NC	47NS/185NS
STGB30H65DFB2	2.6900	RFQ	1	Stmicroelectronics	HB2	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-4，d²pak（3 +选项卡），TO-263AA	STGB30	标准	167 w		D2PAK-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-STGB30H65DFB2TR	Ear99	8541.29.0095	1,000		400V，30a，6.8Ohm，15V	115 ns	沟渠场停止	650 v	50 a	90 a	2.1V @ 15V，30a	270µJ（在）（310µJ）上	90 nc	18.4NS/71NS
F4100R12N2H3FB11BPSA1	275.7100	RFQ	15	Infineon技术	*	托盘	积极的				F4100R					-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	15
APTGLQ75H120TG	152.8300	RFQ	5295	微芯片技术	-	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	APTGLQ75		385 w	标准	SP4	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	全桥			沟渠场停止	1200 v	130 a		2.4V @ 15V，75a				50 µA	是的	4.4 NF @ 25 V
FS75R12KT3GBOSA1	189.6000	RFQ	7	Infineon技术	Econopack™3	托盘	积极的	-40°C〜125°C	底盘安装	模块	FS75R12		355 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	三相逆变器			沟渠场停止	1200 v	100 a		2.15V @ 15V，75a				5 ma	是的	5.3 nf @ 25 V

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

IGBT（8343）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²