SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 力量 -最大 输入 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 测试条件 trr) IGBT类型 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 电流 -icm) (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic 切换能量 门充电 TD (开/关) @ 25°C 当前 -收集器截止(最大) NTC热敏电阻 (CIES) @ vce
SKP02N120XKSA1 Infineon Technologies SKP02N120XKSA1 1.9803
RFQ
ECAD 2616 0.00000000 Infineon技术 - 管子 上次购买 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 SKP02N 标准 62 W pg-to220-3-1 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 500 800V,2a,91ohm,15V 50 ns npt 1200 v 6.2 a 9.6 a 3.6V @ 15V,2A 220µJ 11 NC 23NS/260NS
FP15R12W1T7B3BOMA1 Infineon Technologies FP15R12W1T7B3BOMA1 47.2800
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Infineon技术 Trenchstop™ 托盘 积极的 175°C(TJ) 底盘安装 模块 FP15R12 标准 Ag-Easy1b-2 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 2156-FP15R12W1T7B3BOMA1-448 Ear99 8541.29.0095 24 半桥逆变器 沟渠场停止 1200 v -
HGTG20N50C1D Harris Corporation HGTG20N50C1D 7.6600
RFQ
ECAD 3 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 标准 75 w TO-247 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.29.0095 1 - - 500 v 26 a 35 a 3.2V @ 20V,35a - 33 NC -
IXXK160N65C4 IXYS IXXK160N65C4 -
RFQ
ECAD 4002 0.00000000 ixys Genx4™,XPT™ 管子 在sic中停产 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-264-3,TO-264AA 160N65 标准 940 w TO-264(ixxk) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 400V,80a,1ohm,15V pt 650 v 290 a 800 a 2.1V @ 15V,160a 3.5mj(在)上,1.3MJ off) 422 NC 52NS/197NS
IXGA20N120 IXYS IXGA20N120 -
RFQ
ECAD 3431 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB ixga20 标准 150 w TO-263AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 800V,20A,47OHM,15V pt 1200 v 40 a 80 a 2.5V @ 15V,20A 6.5MJ() 63 NC 28NS/400NS
SGS5N150UFTU onsemi SGS5N150UFTU -
RFQ
ECAD 6146 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 SGS5N 标准 50 W TO-220F-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 600V,5A,10OHM,10V - 1500 v 10 a 20 a 5.5V @ 10V,5A 190µJ(在)上,100µJ(100µJ) 30 NC 10n/30n
APT40GR120B Microchip Technology APT40GR120B 7.4300
RFQ
ECAD 54 0.00000000 微芯片技术 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 APT40GR120 标准 500 w TO-247-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 600V,40a,4.3Ohm,15V npt 1200 v 88 a 160 a 3.2V @ 15V,40a 1.38mj(在)上(906µJ)off) 210 NC 22NS/163NS
IKZA40N65RH5XKSA1 Infineon Technologies IKZA40N65RH5XKSA1 9.9100
RFQ
ECAD 29 0.00000000 Infineon技术 Trenchstop™5 管子 积极的 -40°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-247-4 ikza40 标准 250 w PG-TO247-4-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 400V,20a,15ohm,15V 沟渠场停止 650 v 74 a 60 a 2.1V @ 15V,40a 140µJ(在)上,120µJ(120µJ) 95 NC 17NS/165NS
IXYN75N65C3D1 IXYS IXYN75N65C3D1 28.5640
RFQ
ECAD 9297 0.00000000 ixys XPT™,GenX3™ 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 ixyn75 标准 600 w SOT-227B 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 400V,60a,3ohm,15V 65 ns - 650 v 150 a 360 a 2.3V @ 15V,60a 2MJ(在)上,950µJ(OFF) 122 NC 26NS/93NS
APTGT100SK120D1G Microsemi Corporation APTGT100SK120D1G -
RFQ
ECAD 3169 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 D1 520 w 标准 D1 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 单身的 沟渠场停止 1200 v 150 a 2.1V @ 15V,100a 3 ma 7 nf @ 25 V
FGA15N120FTDTU onsemi FGA15N120FTDTU -
RFQ
ECAD 7216 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-3P-3,SC-65-3 FGA15N120 标准 220 w to-3p 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 - 575 ns 沟渠场停止 1200 v 30 a 45 a 2V @ 15V,15a - 100 NC -
FGA25N120ANTU onsemi FGA25N120ANTU -
RFQ
ECAD 4741 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-3P-3,SC-65-3 FGA25N120 标准 310 w to-3p 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 450 600V,25a,10ohm,15V npt 1200 v 40 a 75 a 3.2V @ 15V,25a 4.8mj(在)上,1MJ(1MJ) 200 NC 60NS/170NS
APT35GT120JU3 Microchip Technology APT35GT120JU3 24.4800
RFQ
ECAD 7246 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 底盘安装 同位素 APT35GT120 260 w 标准 SOT-227 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 单身的 沟渠场停止 1200 v 55 a 2.1V @ 15V,35a 5 ma 2.53 NF @ 25 V
CM20TF-12H Powerex Inc. CM20TF-12H -
RFQ
ECAD 3985 0.00000000 Powerex Inc. IGBTMOD™ 大部分 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 模块 125 w 标准 模块 - Rohs不合规 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.29.0095 3 三相逆变器 - 600 v 20 a 2.8V @ 15V,20A 1 MA 2 NF @ 10 V
APTGT150DH120G Microchip Technology APTGT150DH120G 217.1500
RFQ
ECAD 4409 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 - 底盘安装 SP6 APTGT150 690 w 标准 SP6 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 不对称桥 沟渠场停止 1200 v 220 a 2.1V @ 15V,150a 350 µA 10.7 NF @ 25 V
STGWT40V60DF STMicroelectronics STGWT40V60DF 4.5800
RFQ
ECAD 27 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-3P-3,SC-65-3 STGWT40 标准 283 w to-3p 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 400V,40a,10ohm,15V 41 ns 沟渠场停止 600 v 80 a 160 a 2.3V @ 15V,40a (456µJ)(在411µJ上) 226 NC 52NS/208NS
FF450R33T3E3B5P6BPMA1 Infineon Technologies FF450R33T3E3B5P6BPMA1 1.0000
RFQ
ECAD 3454 0.00000000 Infineon技术 XHP™3 托盘 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 模块 FF450R33 1000000 w 标准 AG-XHP100-6 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 6 2独立 沟渠场停止 3300 v 450 a 2.75V @ 15V,450a 5 ma 84 NF @ 25 V
IXXN100N60B3H1 IXYS IXXN100N60B3H1 38.1000
RFQ
ECAD 6285 0.00000000 ixys XPT™,GenX3™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 IXXN100 500 w 标准 SOT-227B - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Q7004112 Ear99 8541.29.0095 10 单身的 pt 600 v 170 a 1.8V @ 15V,70a 50 µA 4.86 NF @ 25 V
FGB20N60SF Fairchild Semiconductor FGB20N60SF 1.8000
RFQ
ECAD 726 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB 标准 208 w D2PAK(TO-263) 下载 Ear99 8541.29.0095 167 400V,20a,10ohm,15V 现场停止 600 v 40 a 60 a 2.8V @ 15V,20A (370µJ)(160µJ() 65 NC 13NS/90NS
FGH40N65UFDTU-F085 Fairchild Semiconductor FGH40N65UFDTU-F085 -
RFQ
ECAD 1254 0.00000000 Fairchild半导体 汽车,AEC-Q101 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 标准 290 w TO-247 下载 Ear99 8542.39.0001 1 400V,40a,10ohm,15V 65 ns 现场停止 650 v 80 a 120 a 2.4V @ 15V,40a 1.28mj(在)上,500µJ off) 119 NC 23ns/126ns
IKA15N65H5XKSA1 Infineon Technologies IKA15N65H5XKSA1 3.0000
RFQ
ECAD 36 0.00000000 Infineon技术 Trechstop® 管子 积极的 -40°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 IKA15N65 标准 33.3 w PG-TO220-3-111 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 400V,7.5a,39onm,15V 48 ns - 650 v 14 a 45 a 2.1V @ 15V,15a 120µJ(在)上,50µJ(50µJ) 38 NC 17ns/160ns
FGP30N6S2D onsemi FGP30N6S2D -
RFQ
ECAD 6596 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 fgp3 标准 167 w TO-220-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 400 390V,12a,10ohm,15V 46 ns - 600 v 45 a 108 a 2.5V @ 15V,12A 55µJ(在)上,100µJ(100µJ) 23 NC 6NS/40NS
AUIRGP35B60PD Infineon Technologies Auirgp35b60pd -
RFQ
ECAD 8752 0.00000000 Infineon技术 - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 auirgp35b 标准 308 w TO-247AC 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 400 390V,22a,3.3孔,15V npt 600 v 60 a 120 a 2.55V @ 15V,35a (220µJ)(在),215µJ(215µJ)中 160 NC 26NS/110NS
HGT1S12N60B3DS Harris Corporation HGT1S12N60B3DS 1.4100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB 标准 104 w TO-263AB 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 0000.00.0000 1 480V,12a,25ohm,15V - 600 v 27 a 110 a 2.1V @ 15V,12A 304µJ(在)上,250µJ(OFF) 78 NC 26NS/150NS
FS3L50R07W2H3B11BPSA1 Infineon Technologies FS3L50R07W2H3B11BPSA1 78.7500
RFQ
ECAD 8488 0.00000000 Infineon技术 EasyPack™ 托盘 积极的 -40°C〜150°C 底盘安装 模块 FS3L50 215 w 标准 模块 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 15 三相逆变器 沟渠场停止 650 v 75 a 1.8V @ 15V,50a 1 MA 是的 3.1 NF @ 25 V
FF450R12KE7PEHPSA1 Infineon Technologies FF450R12KE7PEHPSA1 218.8163
RFQ
ECAD 1790年 0.00000000 Infineon技术 C,Trenchstop™ 托盘 积极的 -40°C〜175°C(TJ) 底盘安装 模块 标准 Ag-62mmhb - rohs3符合条件 8 半桥 沟渠场停止 1200 v 450 a 1.75V @ 15V,450a 100 µA 70800 PF @ 25 V
NGB8206NSL3G onsemi NGB8206NSL3G -
RFQ
ECAD 8260 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB NGB820 逻辑 150 w D²Pak - (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 390 v 20 a 1.9V @ 4.5V,20A
APT100GLQ65JU3 Microchip Technology APT100GLQ65JU3 28.2300
RFQ
ECAD 1224 0.00000000 微芯片技术 - 管子 积极的 -55°C 〜175°C 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 APT100 430 w 标准 isotop® - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Q10742722 Ear99 8541.29.0095 1 单菜器 沟渠场停止 650 v 165 a 2.3V @ 15V,1000a 50 µA 6.1 NF @ 25 V
SKW20N60HSFKSA1 Infineon Technologies SKW20N60HSFKSA1 -
RFQ
ECAD 7555 0.00000000 Infineon技术 - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 SKW20N 标准 178 w PG-TO247-3-1 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 240 400V,20a,16ohm,15V 130 ns npt 600 v 36 a 80 a 3.15V @ 15V,20A 690µJ 100 NC 18NS/207NS
FP35R12KT4B11BOSA1 Infineon Technologies FP35R12KT4B11BOSA1 74.5000
RFQ
ECAD 26 0.00000000 Infineon技术 Econopim™2 大部分 在sic中停产 -40°C〜150°C 底盘安装 模块 FP35R12 210 w 标准 模块 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 三相逆变器 沟渠场停止 1200 v 35 a 2.15V @ 15V,35a 1 MA 是的 2 NF @ 25 V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库