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IGBT（8343）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	测试条件	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
FF450R33T3E3B5BPSA1	1.0000	RFQ	4	Infineon技术	XHP™3	托盘	积极的	-40°C〜150°C	底盘安装	模块	FF450R33		1000000 w	标准	AG-XHP100-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响			8541.29.0095	1	半桥逆变器			沟渠场停止	3300 v	450 a		2.75V @ 15V，450a				5 ma	不	84 NF @ 25 V
IXYH55N120C4	8.8800	RFQ	71	ixys	XPT™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXYH55	标准	650 w		TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	238-ixyh55n120c4	Ear99	8541.29.0095	30		600V，40a，5ohm，15V	50 ns	-	1200 v	140 a	290 a	2.5V @ 15V，55a	3.5mj（在）上，1.34mj off）	114 NC	20N/180NS
中期300-12A4	-	RFQ	6578	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	Y3-DCB	300年中期		1380 w	标准	Y3-DCB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2	单身的			npt	1200 v	330 a		2.7V @ 15V，200a				13 ma	不	13 nf @ 25 V
VKI50-06P1	-	RFQ	9988	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	Eco-PAC2	VKI50		130 w	标准	Eco-PAC2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	完整的桥梁逆变器			npt	600 v	42.5 a		2.9V @ 15V，50a				600 µA	是的	16 NF @ 25 V
FF450R12ME4B61BPSA1	133.5700	RFQ	8755	Infineon技术	EconoDual™3	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块			2250 w	标准	Ag-Econod-3-2	下载					Ear99	8541.29.0095	2	半桥逆变器			沟渠场停止	1200 v	675 a		2.1V @ 15V，450a				3 ma	是的	28 NF @ 25 V
IXGT15N120CD1	-	RFQ	3338	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXGT15	标准	150 w		TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		960V，15a，10ohm，15V	40 ns	-	1200 v	30 a	60 a	3.8V @ 15V，15a	1.05MJ（）	69 NC	25NS/150NS
IKP28N65ES5XKSA1	4.0300	RFQ	3434	Infineon技术	Trenchstop™5	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IKP28N65	标准	130 w		pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		400V，28a，34ohm，15V	73 ns	沟渠场停止	650 v	38 a	90 a	1.9V @ 15V，28a	530µJ（在）上，400µJ（400µJ）	50 NC	27NS/184NS
NXH600N65L4Q2F2SG	154.5200	RFQ	9692	Onmi	-	托盘	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	NXH600		931 w	标准	41-pim/q2pack（93x47）	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-NXH600N65L4Q2F2SG	Ear99	8541.29.0095	36	三级逆变器			沟渠场停止	650 v	483 a		2.2V @ 15V，600A				100 µA	是的	37.1 NF @ 20 V
NXH350N100H4Q2F2S1G-R	305.7200	RFQ	72	Onmi	-	托盘	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	NXH350		592 w	标准	42-pim/q2pack（93x47）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	488-NXH350N100H4Q2F2S1G-R	Ear99	8541.29.0095	12	三级逆变器			沟渠场停止	1000 v	303 a		2.3V @ 15V，375a				1 MA	是的	24.146 NF @ 20 V
FP75R12N2T4B86BPSA1	277.7253	RFQ	8923	Infineon技术	Econopim™2	托盘	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块			20兆	三相桥梁整流器	Ag-Econo2b	-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	15	三期逆变器			沟渠场停止	1200 v	75 a		2.15V @ 15V，75a				1 MA	是的	4.3 NF @ 25 V
IXGH50N90B2D1	10.8900	RFQ	5141	ixys	HiperFast™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH50	标准	400 w		TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		720V，50a，5ohm，15V	200 ns	pt	900 v	75 a	200 a	2.7V @ 15V，50a	4.7MJ（）	135 NC	20N/350N
APT60GF60JU3	-	RFQ	9078	微芯片技术	-	大部分	过时的	-	底盘安装	同位素			378 w	标准	SOT-227	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1	单身的			npt	600 v	93 a		2.5V @ 15V，60a				80 µA	不	3.59 NF @ 25 V
IKY120N65EH7XKSA1	14.0600	RFQ	240	Infineon技术	-	管子	积极的									下载		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	240
IXEH40N120D1	-	RFQ	2259	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXEH40	标准	300 w		TO-247AD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		600V，40a，39ohm，15V	180 ns	npt	1200 v	60 a		3V @ 15V，40a	6.1MJ（在）上，3MJ（3MJ）	150 NC	-
IRGS4715DTRLPBF	-	RFQ	1272	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		标准	100 W		D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001549918	Ear99	8541.29.0095	800		400V，8A，50OHM，15V	86 ns	-	650 v	21 a	24 a	2V @ 15V，8a	200µJ（在）上，90µJ（OFF）	30 NC	30n/100n
IXGX60N60B2D1	-	RFQ	8822	ixys	HiperFast™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXGX60	标准	500 w		加上247™-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		400V，50a，3.3Ohm，15V	35 ns	pt	600 v	75 a	300 a	1.8V @ 15V，50a	1MJ （关闭）	170 NC	28NS/160NS
IXGH38N60	-	RFQ	5428	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH38	标准	200 w		TO-247AD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		480V，38A，10欧姆，15V		-	600 v	76 a	152 a	1.8V @ 15V，38a	（9MJ）（）	125 NC	30NS/600NS
STGWA35HF60WDI	-	RFQ	3445	Stmicroelectronics	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STGWA35	标准	260 w		TO-247长铅	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		390V，20a，10ohm，15V	85 ns	-	600 v	70 a	150 a	2.5V @ 15V，20A	185µJ（离）	140 NC	30ns/175ns
VS-40MT060WFHT	-	RFQ	2539	Vishay通用半导体 -二极管部门	hexfred®	托盘	过时的	150°C（TJ）	底盘安装	12-mtp模块	40MT060		284 w	标准	12-mtp	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		112-VS-40MT060WFHT	Ear99	8541.29.0095	105	全桥			-	600 v	67 a		-				250 µA	是的
APTGT75TDU60PG	170.9700	RFQ	3239	微芯片技术	-	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SP6	APTGT75		250 w	标准	sp6-p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	三重，双重来源			沟渠场停止	600 v	100 a		1.9V @ 15V，75a				250 µA	不	4.62 NF @ 25 V
APTGT400DA120G	239.4300	RFQ	2482	微芯片技术	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP6	APTGT400		1785 w	标准	SP6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	单身的			沟渠场停止	1200 v	560 a		2.1V @ 15V，400A				750 µA	不	28 NF @ 25 V
STGWA60NC60WDR	7.9700	RFQ	436	Stmicroelectronics	PowerMesh™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STGWA60	标准	340 w		TO-247长铅	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		390V，40a，10ohm，15V	42 ns	-	600 v	130 a	250 a	2.6V @ 15V，40a	（743µJ）（在560µJ上）	195 NC	40NS/240NS
FZ1600R12KF4S1NOSA1	-	RFQ	7386	Infineon技术	-	托盘	过时的	-	-	-	FZ1500			-	-	-		（1 （无限）	到达不受影响	SP000100529	过时的	0000.00.0000	1	-			-				-
FF225R65T3E3P4BPMA1	1.0000	RFQ	7371	Infineon技术	XHP™3	托盘	积极的	125°C（TJ）	底盘安装	模块	FF225R65		1000 w	标准	AG-XHP3K65	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4	2独立			沟渠场停止	5900 v	225 a		3.4V @ 15V，225a				5 ma	不	65.6 NF @ 25 V
IRGC10B60KB	-	RFQ	9725	Infineon技术	-	大部分	过时的	-	表面安装	死		标准			死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的		1		-		npt	600 v	10 a		1.3V @ 15V，2A	-		-
APTGF50SK120T1G	-	RFQ	7504	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-	底盘安装	SP1			312 w	标准	SP1	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1	单身的			npt	1200 v	75 a		3.7V @ 15V，50a				250 µA	是的	3.45 NF @ 25 V
IKW30N65H5XKSA1	5.1100	RFQ	83	Infineon技术	Trenchstop™	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IKW30N65	标准	188 w		pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		400V，15a，23ohm，15V	70 ns	沟	650 v	55 a	90 a	2.1V @ 15V，30a	280µJ（在）上，100µJ（OFF）	70 NC	20N/190NS
APTGT50A1202G	-	RFQ	7263	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP2			277 w	标准	SP2	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	半桥			沟渠场停止	1200 v	75 a		2.1V @ 15V，50a				50 µA	不	3.6 NF @ 25 V
RJP4046DPP-90 ＃T2F	1.0000	RFQ	4859	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
IXGX32N170H1	-	RFQ	6265	ixys	-	盒子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXGX32	标准	350 w		加上247™-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		1360v，32a，2.7Ohm，15V	150 ns	npt	1700 v	75 a	200 a	3.3V @ 15V，32a	（15mj））	155 NC	45NS/270NS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

IGBT（8343）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²