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IGBT（8343）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	测试条件	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
FZ1200R12KL4CNOSA1	-	RFQ	8633	Infineon技术	IHM-B	托盘	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	模块			7800 w	标准	-	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP000014916	Ear99	8541.29.0095	2	单个开关			-	1200 v	1900 a		2.6V @ 15V，1.2KA				5 ma	不	90 nf @ 25 V
IRFP4227PBFXKMA1	3.3879	RFQ	3103	Infineon技术	-	管子	积极的									-	rohs3符合条件			448-IRFP4227PBFXKMA1			25
IXGA48N60C3-TRL	3.1631	RFQ	8261	ixys	Genx3™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IXGA48	标准	300 w		TO-263（D2PAK）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixga48nnnn60c3-trltr	Ear99	8541.29.0095	800		400V，30a，3ohm，15V	26 NS	pt	600 v	75 a	250 a	2.5V @ 15V，30a	410µJ（在）上，230µJ（OFF）	77 NC	19NS/60NS
BSM35GD120DLCE3224BOSA1	147.3320	RFQ	8226	Infineon技术	-	托盘	上次购买	-40°C〜125°C	底盘安装	模块	BSM35G		280 w	标准	模块	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	全桥			-	1200 v	70 a		2.6V @ 15V，35a				80 µA	不	2 NF @ 25 V
FZ1600R17HP4B21BOSA2	1.0000	RFQ	5812	Infineon技术	IHM-B	托盘	积极的	-40°C〜150°C	底盘安装	模块	FZ1600		10500 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2	半桥			沟渠场停止	1700 v	1600 a		2.25V @ 15V，1600a				5 ma	不	130 nf @ 25 V
RJP3047ADPK-80 ＃T2	3.6000	RFQ	12	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.30.0080	1
AOK40B120N1	5.5556	RFQ	7134	Alpha＆欧米茄半导体公司	Alpha IGBT™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	AOK40	标准	600 w		TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	785-AOK40B120N1	Ear99	8541.29.0095	30		600V，40a，7.5Ohm，15V	300 ns	-	1200 v	80 a	160 a	2.5V @ 15V，40a	3.4MJ（在）上，1.4MJ off）	100 NC	57NS/146NS
FF450R33T3E3BPSA1	1.0000	RFQ	1	Infineon技术	XHP™3	托盘	积极的	-40°C〜150°C	底盘安装	模块	FF450R33		1000000 w	标准	AG-XHP100-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响			8541.29.0095	1	半桥			沟渠场停止	3300 v	450 a		2.75V @ 15V，450a				5 ma	不
FP75R12N2T7PB11BPSA1	179.9500	RFQ	10	Infineon技术	Econopim™2	托盘	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块			20兆	三相桥梁整流器	Ag-Econo2b	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	三相逆变器			沟渠场停止	1200 v	75 a		1.8V @ 15V，75a				14 µA	是的	15.1 NF @ 25 V
IRGP20B60PDPBF	2.3100	RFQ	7782	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准	220 w		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	79		390V，13a，10ohm，15V	42 ns	npt	600 v	40 a	80 a	2.8V @ 15V，20A	（95µJ）（在），100µJ（OFF）	68 NC	20NS/115NS
APT50GLQ65JU2	-	RFQ	9144	微芯片技术	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克			220 w	标准	isotop®	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	100	提升斩波器			沟渠场停止	650 v	80 a		2.3V @ 15V，50a				50 µA	不	3.1 NF @ 25 V
IXGK35N120CD1	-	RFQ	9486	ixys	HiperFast™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXGK35	标准	350 w		TO-264（ixgk）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		960V，35A，5OHM，15V	60 ns	-	1200 v	70 a	140 a	4V @ 15V，35a	3MJ（（）	170 NC	50NS/150NS
RGWS00TS65GC13	6.2100	RFQ	7117	Rohm半导体	-	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	RGWS00	标准	245 w		TO-247G	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-RGWS00TS65GC13	Ear99	8541.29.0095	30		400V，50a，10ohm，15V		沟渠场停止	650 v	88 a	150 a	2V @ 15V，50a	（980µJ）（在），910µJ（OFF）上）	108 NC	46NS/145NS
FGA120N30DTU	1.4000	RFQ	364	Fairchild半导体	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	FGA120N30	标准	290 w		to-3p	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	30		-	21 ns	-	300 v	120 a	300 a	1.4V @ 15V，25a	-	120 NC	-
IXSH40N60A	-	RFQ	8551	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXSH40	标准	300 w		TO-247AD	下载		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		480V，40a，2.7Ohm，15V		-	600 v	75 a	150 a	3V @ 15V，40a	2.5MJ（）	190 NC	55NS/400NS
IXGC16N60B2D1	-	RFQ	4743	ixys	HiperFast™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	ISOPLUS220™	IXGC16	标准	63 W		ISOPLUS220™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		400V，12A，22OHM，15V	110 ns	pt	600 v	28 a	100 a	2.3V @ 15V，12a	150mj（（）	32 NC	25NS/70NS
FGA50N100BNTDTU	-	RFQ	5546	Onmi	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	FGA50N100	标准	156 w		to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	450		-	1.5 µs	腐败和战战trench	1000 v	50 a	100 a	2.9V @ 15V，60a	-	275 NC	-
FZ1800R17HP4B29BOSA2	1.0000	RFQ	6478	Infineon技术	IHM-B	托盘	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	FZ1800		11500 w	标准	AG-IHMB190	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	单个开关			沟渠场停止	1700 v	1800 a		2.25V @ 15V，1.8KA				5 ma	不	145 NF @ 25 V
IXBH20N360HV	131.8200	RFQ	1	ixys	Bimosfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXBH20	标准	430 w		TO-247HV	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		1500V，20a，10ohm，15V	1.7 µs	-	3600 v	70 a	220 a	3.4V @ 15V，20A	15.5MJ（在）上，4.3MJ OFF）	110 NC	18NS/238NS
MUBW50-12E8	-	RFQ	6024	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	E3	mubw		350 w	三相桥梁整流器	E3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5	三期逆变器			-	1200 v	90 a		2.4V @ 15V，50a				800 µA	是的	3.8 nf @ 25 V
STGW20NB60KD	-	RFQ	2225	Stmicroelectronics	PowerMesh™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STGW20	标准	170 w		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		480V，20A，10欧姆，15V	80.5 ns	-	600 v	50 a	100 a	2.8V @ 15V，20A	675µJ（在）上，500µJ（（）	85 NC	39NS/105NS
HGT1S3N60C3D	0.9000	RFQ	365	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		标准	33 W		i2pak（（TO-262）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		-		-	600 v	6 a	24 a	2V @ 15V，3A	-	13.8 NC	-
APT50GR120B2	10.8900	RFQ	2166	微芯片技术	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	APT50GR120	标准	694 w		TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		600V，50a，4.3Ohm，15V		npt	1200 v	117 a	200 a	3.2V @ 15V，50a	2.14mj（在）上，1.48mj off）	445 NC	28NS/237NS
VS-GB150TH120U	-	RFQ	6104	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	底盘安装	双int-a-pak（3 + 4）	GB150		1147 w	标准	双int-a-pak	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	VSGB150TH120U	Ear99	8541.29.0095	12	半桥			-	1200 v	280 a		3.6V @ 15V，150a				5 ma	不	12.7 NF @ 30 V
APTGT150A60T3AG	105.0300	RFQ	1279	微芯片技术	-	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SP3	APTGT150		600 w	标准	SP3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	半桥			沟渠场停止	600 v	225 a		1.9V @ 15V，150a				250 µA	是的	9.2 NF @ 25 V
IRG4BC15UD-S	-	RFQ	9591	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		标准	49 W		D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		480V，7.8a，75ohm，15V	28 ns	-	600 v	14 a	42 a	2.4V @ 15V，7.8a	240µJ（在）上，260µJ（OFF）	23 NC	17ns/160ns
IXXH50N60C3	8.3921	RFQ	3734	ixys	GenX3™，XPT™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXXH50	标准	600 w		TO-247AD（IXXH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		360V，36a，5ohm，15V		pt	600 v	100 a	200 a	2.3V @ 15V，36a	（720µJ）（在330µJ上）	64 NC	24ns/62ns
RJP60F0DPE-00＃j3	-	RFQ	8876	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	SC-83	RJP60F	标准	122 w		ldpak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	RJP60F0DPE00J3	Ear99	8541.29.0095	1,000		400V，30a，5ohm，15V		沟	600 v	50 a		1.82V @ 15V，25a	-		46NS/70NS
FZ900R12KP4HOSA1	213.3600	RFQ	6	Infineon技术	c	托盘	积极的	-40°C〜125°C	底盘安装	模块	FZ900R12			标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	单身的			-	1200 v	900 a		2.05V @ 15V，900A				5 ma	不	56 NF @ 25 V
MIO600-65E11	-	RFQ	3468	ixys	-	托盘	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	E11	mio			标准	E11	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	单个开关			npt	6500 v	600 a		4.2V @ 15V，600A				120 MA	不	150 nf @ 25 V

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

IGBT（8343）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²