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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 输入类型 | 力量 -最大 | 输入 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | 测试条件 | trr) | IGBT类型 | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 电流 -icm) | (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic | 切换能量 | 门充电 | TD (开/关) @ 25°C | 当前 -收集器截止(最大) | NTC热敏电阻 | (CIES) @ vce |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MSCGLQ75DDU120CTBL3NG | 321.4800 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | MSCGLQ | 470 w | 标准 | - | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 150-MSCGLQ75DDU120CTBL3NG | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 全桥 | - | 1200 v | 160 a | 2.4V @ 15V,75a | 50 µA | 是的 | 4.4 NF @ 25 V | ||||||||
![]() | BSM75GAL120DN2HOSA1 | - | ![]() | 5287 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 过时的 | 150°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | BSM75GAL120 | 625 w | 标准 | 模块 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | 单个开关 | - | 1200 v | 105 a | 3V @ 15V,75a | 1.4 MA | 不 | 5.5 nf @ 25 V | |||||||||
![]() | FS10R06VE3BOMA1 | - | ![]() | 2825 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜150°C | 底盘安装 | 模块 | FS10R06 | 50 W | 标准 | 模块 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 40 | 三相逆变器 | - | 600 v | 16 a | 2V @ 15V,10a | 1 MA | 不 | 550 pf @ 25 V | |||||||||
![]() | APTGT30DA170T1G | - | ![]() | 6468 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | SP1 | 210 w | 标准 | SP1 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 单身的 | 沟渠场停止 | 1700 v | 45 a | 2.4V @ 15V,30a | 250 µA | 是的 | 2.5 nf @ 25 V | |||||||||||
stgp3nb60f | - | ![]() | 8981 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | PowerMesh™ | 管子 | 过时的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | stgp3 | 标准 | 68 w | TO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 480V,3A,10欧姆,15V | 45 ns | - | 600 v | 6 a | 24 a | 2.4V @ 15V,3A | 125µJ(离) | 16 NC | 12.5NS/105NS | ||||||||
![]() | MIF100R12C1PF-BP | - | ![]() | 5447 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | MIF100 | 675兆 | - | 模块 | 下载 | 353-MIF100R12C1PF-BP | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2独立 | npt | 1200 v | 100 a | 3V @ 15V,100a | 1 MA | 不 | 6700 PF @ 25 V | |||||||||||
![]() | IRG4BC20K-S | - | ![]() | 2205 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | 标准 | 60 W | D2PAK | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | *IRG4BC20K-S | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 480V,9a,50ohm,15V | - | 600 v | 16 a | 32 a | 2.8V @ 15V,9a | (150µJ)(在),250µJ(250µJ)中 | 34 NC | 28NS/150NS | ||||||||
![]() | HGT1S7N60A4DS9A | - | ![]() | 9272 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | 标准 | 125 w | TO-263AB | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 390V,7a,25ohm,15V | 34 ns | - | 600 v | 34 a | 56 a | 2.7V @ 15V,7a | 120µJ(在)上,60µJ(60µJ) | 60 NC | 11NS/100NS | ||||||||
![]() | FP35R12KT4B16BOSA1 | - | ![]() | 1048 | 0.00000000 | Infineon技术 | Econopim™2 | 托盘 | 在sic中停产 | -40°C〜150°C | 底盘安装 | 模块 | FP35R12 | 210 w | 三相桥梁整流器 | 模块 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | 三相逆变器 | 沟渠场停止 | 1200 v | 70 a | 2.25V @ 15V,35a | 1 MA | 是的 | 2 NF @ 25 V | |||||||||
![]() | APTGF180DA60TG | - | ![]() | 5212 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | - | 底盘安装 | SP4 | 833 w | 标准 | SP4 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 单身的 | npt | 600 v | 220 a | 2.5V @ 15V,180a | 300 µA | 是的 | 8.6 NF @ 25 V | ||||||||||||
![]() | FGA30S120P | - | ![]() | 8010 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-3P-3,SC-65-3 | FGA30S120 | 标准 | 348 w | to-3pn | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | - | 沟渠场停止 | 1300 v | 60 a | 150 a | 2.3V @ 15V,30a | - | 78 NC | - | |||||||||||
![]() | FP50R06W2E3BOMA1 | 64.7000 | ![]() | 5951 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | FP50R06 | 175 w | 标准 | 模块 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 15 | 三相逆变器 | 沟渠场停止 | 600 v | 65 a | 1.9V @ 15V,50a | 1 MA | 是的 | 3.1 NF @ 25 V | |||||||||
![]() | FP15R06KL4BOMA1 | - | ![]() | 2077 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 过时的 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 20 | ||||||||||||||||||||||||
APT75GT120JRDQ3 | 46.6100 | ![]() | 6808 | 0.00000000 | 微芯片技术 | Thunderboltigbt® | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | APT75GT120 | 480 w | 标准 | isotop® | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 单身的 | npt | 1200 v | 97 a | 3.7V @ 15V,75a | 200 µA | 不 | 5.1 NF @ 25 V | ||||||||||
![]() | IXYX100N120C3 | 25.6400 | ![]() | 4415 | 0.00000000 | ixys | GenX3™,XPT™ | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3变体 | ixyx100 | 标准 | 1150 w | 加上247™-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 600V,100A,1OHM,15V | - | 1200 v | 188 a | 490 a | 3.5V @ 15V,100a | 6.5MJ(在)上,2.9MJ off) | 270 NC | 32NS/123NS | ||||||||
![]() | FS100R07N2E4BPSA1 | 136.6000 | ![]() | 5677 | 0.00000000 | Infineon技术 | Econopack™2 | 托盘 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | FS100R07 | 335 w | 标准 | Ag-Econo2b | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 15 | 三相逆变器 | 沟渠场停止 | 650 v | 100 a | 1.95V @ 15V,100a | 1 MA | 是的 | 6.2 NF @ 25 V | |||||||||
![]() | IXYH40N90C3 | 5.4664 | ![]() | 4725 | 0.00000000 | ixys | GenX3™,XPT™ | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | IXYH40 | 标准 | 600 w | TO-247(IXTH) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 450V,40a,5ohm,15V | - | 900 v | 105 a | 200 a | 2.5V @ 15V,40a | 1.9mj(在),1MJ(1MJ)上 | 74 NC | 27NS/78NS | ||||||||
![]() | SIGC18T60SNCX1SA3 | - | ![]() | 7979 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 死 | SIGC18 | 标准 | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 过时的 | 1 | 400V,20a,16ohm,15V | npt | 600 v | 20 a | 60 a | 2.5V @ 15V,20A | - | 36NS/250NS | |||||||||||
![]() | IXXP12N65B4D1 | 2.8766 | ![]() | 4939 | 0.00000000 | ixys | XPT™,Genx4™ | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | IXXP12 | 标准 | 160 w | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 400V,12a,20欧姆,15V | 43 ns | - | 650 v | 38 a | 70 a | 1.95V @ 15V,12A | 440µJ(在)上,220µJ(() | 34 NC | 13ns/158ns | ||||||||
![]() | FGF65A3L | - | ![]() | 9544 | 0.00000000 | 桑肯 | - | 大部分 | 积极的 | 175°C(TJ) | 通过洞 | TO-3P-3 | FGF65 | 标准 | 72 w | to-3pf | 下载 | Rohs符合条件 | 1261-FGF65A3L | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,440 | 400V,30a,10ohm,15V | 50 ns | 沟渠场停止 | 650 v | 50 a | 90 a | 1.96V @ 15V,30a | 600µJ(在)上,600µJ(600µJ)off) | 60 NC | 30NS/90NS | ||||||||
![]() | IRG8P75N65UD1-EPBF | 3.8000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 国际整流器 | - | 大部分 | 过时的 | - | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | CM75TU-12H | - | ![]() | 6382 | 0.00000000 | Powerex Inc. | IGBTMOD™ | 大部分 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | 310 w | 标准 | 模块 | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 三相逆变器 | - | 600 v | 75 a | 3V @ 15V,75a | 1 MA | 不 | 6.6 NF @ 10 V | |||||||||||
![]() | ISL9V303333 | 1.4100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | Ecospark® | 管子 | 过时的 | -40°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | 逻辑 | 150 w | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.29.0095 | 400 | 300V,1KOHM,5V | - | 360 v | 21 a | 1.6V @ 4V,6A | - | 17 NC | - /4.8µs | ||||||||||||
![]() | IRGP4266D-EPBF | 5.5400 | ![]() | 141 | 0.00000000 | 国际整流器 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | 标准 | 455 w | TO-247AD | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | 400V,75A,10欧姆,15V | 170 ns | - | 650 v | 140 a | 300 a | 2.1V @ 15V,75a | 2.5MJ(在)上,2.2MJ off) | 210 NC | 50NS/200NS | ||||||||||
APTGF50H60T3G | - | ![]() | 5377 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 过时的 | - | 底盘安装 | SP3 | 250 w | 标准 | SP3 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 完整的桥梁逆变器 | npt | 600 v | 65 a | 2.45V @ 15V,50a | 250 µA | 是的 | 2.2 NF @ 25 V | |||||||||||||
![]() | STGW30NC60WD | 5.1400 | ![]() | 7858 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | PowerMesh™ | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | STGW30 | 标准 | 200 w | TO-247-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 390V,20a,10ohm,15V | 40 ns | - | 600 v | 60 a | 150 a | 2.5V @ 15V,20A | 305µJ(在)上,181µJ(OFF) | 102 NC | 29.5NS/118NS | |||||||
![]() | FD1200R17KE3KNOSA1 | 1.0000 | ![]() | 5462 | 0.00000000 | Infineon技术 | Econopack™4 | 托盘 | 不适合新设计 | -40°C〜125°C | 底盘安装 | 模块 | FD1200 | 5950 w | 标准 | 模块 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2 | 双制动斩波器 | - | 1700 v | 1600 a | 2.45V @ 15V,1200A | 5 ma | 不 | 110 nf @ 25 V | |||||||||
![]() | VID50-12P1 | - | ![]() | 3555 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | Eco-PAC2 | vid | 208 w | 标准 | Eco-PAC2 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | 单身的 | npt | 1200 v | 49 a | 3.7V @ 15V,50a | 1.1 MA | 是的 | 1.65 NF @ 25 V | ||||||||||
![]() | IRGB4064DPBF | - | ![]() | 9264 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | 标准 | 101 w | TO-220AB | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 400V,10a,22ohm,15V | 62 ns | 沟 | 600 v | 20 a | 40 a | 1.91V @ 15V,10a | 29µJ(在)上,200µJ(200µJ) | 21 NC | 27NS/79NS | |||||||||
APTGT100H60T3G | 102.7300 | ![]() | 9098 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜175°C(TJ) | 底盘安装 | SP3 | APTGT100 | 340 w | 标准 | SP3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 完整的桥梁逆变器 | 沟渠场停止 | 600 v | 150 a | 1.9V @ 15V,100a | 250 µA | 是的 | 6.1 NF @ 25 V |
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