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IGBT（8343）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	测试条件	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
MGF65A6L	-	RFQ	2296	桑肯	-	大部分	积极的	175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	MGF65	标准	405 w		TO-3P-3L	下载	Rohs符合条件			1261-MGF65A6L	Ear99	8541.29.0095	1,440		400V，60a，10ohm，15V	65 ns	沟渠场停止	650 v	80 a	180 a	1.96V @ 15V，60a	1.7MJ（在）上，1.4MJ（OFF）	110 NC	50NS/130NS
IGW40N60TPXKSA1	3.2500	RFQ	480	Infineon技术	Trenchstop™	管子	不适合新设计	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IGW40N60	标准	246 w		pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		400V，40a，10.1Ohm，15V		沟渠场停止	600 v	67 a	120 a	1.8V @ 15V，40a	1.06mj（在）（610µJ）上）	177 NC	18NS/222NS
IXXP50N60B3	7.6221	RFQ	2664	ixys	XPT™，GenX3™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXXP50	标准	600 w		TO-220-3	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		360V，36a，5ohm，15V	40 ns	-	600 v	120 a	200 a	1.8V @ 15V，36a	670µJ（在）（1.2MJ）上）	70 NC	27NS/150NS
SIGC14T60NCX7SA1	-	RFQ	7154	Infineon技术	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	死	SIGC14	标准			死	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的		1		300V，15a，18ohm，15V		npt	600 v	15 a	45 a	2.5V @ 15V，15a	-		21NS/110NS
RJP60F5DPM-00 ＃T1	-	RFQ	5080	Renesas Electronics America Inc	-	管子	在sic中停产	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	RJP60F	标准	45 W		to-3pfm	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	RJP60F5DPM00T1	Ear99	8541.29.0095	100		400V，30a，5ohm，15V		沟	600 v	80 a		1.8V @ 15V，40a	-	74 NC	53NS/90NS
WG50N65DHWQ	3.5500	RFQ	754	Ween半导体	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	WG50N65D	标准	278 w		TO-247-3	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		1740-WG50N65DHWQ	Ear99	8541.29.0095	600		400V，50a，10ohm，15V	105 ns	沟渠场停止	650 v	91 a	200 a	2V @ 15V，50a	1.7MJ（在）上，600µJ（600µJ）	160 NC	66ns/163ns
MWI50-12E7	-	RFQ	1733年	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	E2	MWI50		350 w	标准	E2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	6	三相逆变器			npt	1200 v	90 a		2.4V @ 15V，50a				800 µA	不	3.8 nf @ 25 V
IRGC4067EFX7SA1	-	RFQ	3834	Infineon技术	-	大部分	积极的	-	表面安装	死	IRGC4067	标准			死	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响			0000.00.0000	1		-		-	600 v	240 a		-	-		-
FP75R12W3T7B11BPSA1	152.9200	RFQ	8	Infineon技术	*	托盘	积极的									-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	8
AOT10B60M1	0.8005	RFQ	9339	Alpha＆欧米茄半导体公司	Alphaigbt™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	AOT10	标准	83 W		TO-220	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	785-AOT10B60M1TR	Ear99	8541.29.0095	1,000		400V，10A，30OHM，15V		-	600 v	20 a	25 a	2.9V @ 15V，10a	190µJ（在）（140µJ）上	14 NC	5.5NS/61NS
APT70GR120J	29.8400	RFQ	7380	微芯片技术	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4	APT70GR120		543 w	标准	SOT-227	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	单身的			npt	1200 v	112 a		3.2V @ 15V，70a				1 MA	不	7.26 NF @ 25 V
NXH40B120MNQ1SNG	172.4100	RFQ	21	Onmi	-	托盘	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块			156 w	标准	32-PIM（71x37.4）	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-NXH40B120MNQ1SNG	Ear99	8541.29.0095	21	三重，双重来源			-				-					是的	3.227 NF @ 800 V
BSM30GD60DLCBOSA1	-	RFQ	6932	Infineon技术	-	托盘	过时的	-40°C〜125°C	底盘安装	模块	BSM30G		135 w	标准	模块	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	三相逆变器			-	600 v	40 a		2.45V @ 15V，30a				500 µA	不	1.3 nf @ 25 V
STGF30M65DF2	2.8800	RFQ	1	Stmicroelectronics	m	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STGF30	标准	38 w		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		400V，30a，10ohm，15V	140 ns	沟渠场停止	650 v	60 a	120 a	2V @ 15V，30a	（300µJ）（在960µJ上）	80 NC	31.6ns/115ns
STGWA80H65FB	-	RFQ	5060	Stmicroelectronics	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STGWA80	标准	469 w		TO-247长铅	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		400V，80a，10ohm，15V		沟渠场停止	650 v	120 a	240 a	2V @ 15V，80a	2.1mj（在）上，1.5mj off）	414 NC	84NS/280NS
APT50GN60BDQ2G	7.2700	RFQ	8192	微芯片技术	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	APT50GN60	标准	366 w		TO-247 [B]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		400V，50a，4.3Ohm，15V		沟渠场停止	600 v	107 a	150 a	1.85V @ 15V，50a	（1185µJ）（在1565µJ上）	325 NC	20N/230N
6MS10017E41W36460BOSA1	-	RFQ	4771	Infineon技术	MODSTACK™	大部分	过时的	-25°C〜55°C	底盘安装	模块	6ms10017			标准	模块	下载		不适用	到达不受影响		Ear99	8543.70.9860	1	三相逆变器			-	1700 v			-					是的
IGB30N60T	-	RFQ	7450	Infineon技术	Trenchstop™	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		标准	187 W		pg-to263-3-2	下载					Ear99	8542.39.0001	1		400V，30a，10.6Ohm，15V		沟渠场停止	600 v	45 a	90 a	2.05V @ 15V，30a	（690µJ）（在），770µJ（OFF）上）	167 NC	23ns/254ns
APTGT75TL60T3G	93.2700	RFQ	10	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SP3	APTGT75		250 w	标准	SP3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	三级逆变器			沟渠场停止	600 v	100 a		1.9V @ 15V，75a				250 µA	是的	4.62 NF @ 25 V
APTGL325A120D3G	316.5800	RFQ	4966	微芯片技术	-	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	D-3模块	APTGL325		1500 w	标准	D3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	半桥			沟渠场停止	1200 v	420 a		2.2V @ 15V，300A				5 ma	不	18.6 NF @ 25 V
FGH50N6S2	-	RFQ	7389	Onmi	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	FGH50	标准	463 w		TO-247-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	150		390V，30a，3ohm，15V		-	600 v	75 a	240 a	2.7V @ 15V，30a	（260µJ）（在250µJ上）	70 NC	13ns/55ns
IRGPC40S	-	RFQ	3023	Infineon技术	-	包	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准	160 w		TO-247AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25				-	600 v	50 a		1.8V @ 15V，31a
FGD5T120SH	1.7400	RFQ	1717年	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FGD5T120	标准	69 W		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		600V，5A，30OHM，15V		沟渠场停止	1200 v	10 a	12.5 a	3.6V @ 15V，5A	（247µJ）（在），94µJ（94µJ）中	6.7 NC	4.8NS/24.8NS
AIKBE50N65RF5ATMA1	8.0195	RFQ	8245	Infineon技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	448-AIKBE50N65RF5ATMA1TR			1,000
afghl25t120rl	-	RFQ	4035	Onmi	汽车，AEC-Q101	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	afghl25	标准	400 w		TO-247-3	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-AFGHL25T120RL	Ear99	8541.29.0095	450		600V，25A，5OHM，15V	159 ns	沟渠场停止	1250 v	48 a	100 a	2V @ 15V，25a	（1.94mj）（730µJ off）	277 NC	27.2NS/116NS
IXG70IF1200NA	25.1170	RFQ	5432	ixys	X2PT™，XPT™	管子	积极的	-	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXG70IF1200	标准			SOT-227B	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixg70if1200NA		0000.00.0000	10		-		pt	1200 v	130 a		-			-
IRG4BC30W-STRRP	-	RFQ	9699	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRG4BC30	标准	100 W		D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001540364	Ear99	8541.29.0095	800		480V，12a，23ohm，15V		-	600 v	23 a	92 a	2.7V @ 15V，12A	（130µJ）（在130µJ上）	51 NC	25NS/99NS
FD401R17KF6CB2NOSA1	742.3500	RFQ	28	Infineon技术	*	大部分	积极的									下载		供应商不确定	到达受影响	2156-FD401R17KF6CB2NOSA1-448			1
FZ1200R12HE4HOSA2	637.5500	RFQ	1	Infineon技术	IHM-B	托盘	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	FZ1200		7150 w	标准	-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2	单个开关			沟渠场停止	1200 v	1825 a		2.1V @ 15V，1.2KA				5 ma	不	74 NF @ 25 V
NGB8202NT4G	-	RFQ	3375	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	NGB820	逻辑	150 w		D²Pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		300V，9A，1KOHM，5V		-	440 v	20 a	50 a	1.9V @ 4.5V，20A	-		- /5µs

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

IGBT（8343）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²