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IGBT（5058）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	测试条件	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C
IKP20N65H5XKSA1	2.9700	RFQ	94	Infineon技术	Trenchstop™	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IKP20N65	标准	125 w	pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	400V，10a，32ohm，15V	52 ns	沟	650 v	42 a	60 a	2.1V @ 15V，20A	170µJ（在）上，60µj（60µJ）	48 NC	18NS/156NS
FGAF20N60SMD	-	RFQ	2484	Onmi	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3	FGAF20	标准	75 w	to-3pf	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	400V，20a，10ohm，15V	26.7 ns	现场停止	600 v	40 a	60 a	1.7V @ 15V，20A	（452µJ）（在141µJ上）	64 NC	12NS/91NS
RGSX5TS65EHRC11	11.7500	RFQ	450	Rohm半导体	-	管子	不适合新设计	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	RGSX5TS65	标准	404 w	TO-247N	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	846-RGSX5TS65EHRC11	Ear99	8541.29.0095	30	400V，75A，10欧姆，15V	116 ns	沟渠场停止	650 v	114 a	225 a	2.15V @ 15V，75a	3.44MJ（在）上，1.9MJ off）	79 NC	43ns/113ns
stgp3nb60f	-	RFQ	8981	Stmicroelectronics	PowerMesh™	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	stgp3	标准	68 w	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	480V，3A，10欧姆，15V	45 ns	-	600 v	6 a	24 a	2.4V @ 15V，3A	125µJ（离）	16 NC	12.5NS/105NS
IRG4BC20K-S	-	RFQ	2205	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		标准	60 W	D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRG4BC20K-S	Ear99	8541.29.0095	50	480V，9a，50ohm，15V		-	600 v	16 a	32 a	2.8V @ 15V，9a	（150µJ）（在），250µJ（250µJ）中	34 NC	28NS/150NS
HGT1S7N60A4DS9A	-	RFQ	9272	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		标准	125 w	TO-263AB	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1	390V，7a，25ohm，15V	34 ns	-	600 v	34 a	56 a	2.7V @ 15V，7a	120µJ（在）上，60µJ（60µJ）	60 NC	11NS/100NS
FGA30S120P	-	RFQ	8010	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	FGA30S120	标准	348 w	to-3pn	下载					Ear99	8542.39.0001	1	-		沟渠场停止	1300 v	60 a	150 a	2.3V @ 15V，30a	-	78 NC	-
IXYX100N120C3	25.6400	RFQ	4415	ixys	GenX3™，XPT™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	ixyx100	标准	1150 w	加上247™-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	600V，100A，1OHM，15V		-	1200 v	188 a	490 a	3.5V @ 15V，100a	6.5MJ（在）上，2.9MJ off）	270 NC	32NS/123NS
IXYH40N90C3	5.4664	RFQ	4725	ixys	GenX3™，XPT™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXYH40	标准	600 w	TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	450V，40a，5ohm，15V		-	900 v	105 a	200 a	2.5V @ 15V，40a	1.9mj（在），1MJ（1MJ）上	74 NC	27NS/78NS
SIGC18T60SNCX1SA3	-	RFQ	7979	Infineon技术	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	死	SIGC18	标准		死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的		1	400V，20a，16ohm，15V		npt	600 v	20 a	60 a	2.5V @ 15V，20A	-		36NS/250NS
IXXP12N65B4D1	2.8766	RFQ	4939	ixys	XPT™，Genx4™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXXP12	标准	160 w	TO-220-3	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	400V，12a，20欧姆，15V	43 ns	-	650 v	38 a	70 a	1.95V @ 15V，12A	440µJ（在）上，220µJ（（）	34 NC	13ns/158ns
FGF65A3L	-	RFQ	9544	桑肯	-	大部分	积极的	175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3	FGF65	标准	72 w	to-3pf	下载	Rohs符合条件			1261-FGF65A3L	Ear99	8541.29.0095	1,440	400V，30a，10ohm，15V	50 ns	沟渠场停止	650 v	50 a	90 a	1.96V @ 15V，30a	600µJ（在）上，600µJ（600µJ）off）	60 NC	30NS/90NS
IRG8P75N65UD1-EPBF	3.8000	RFQ	2	国际整流器	-	大部分	过时的								-					Ear99	8542.39.0001	1
ISL9V303333	1.4100	RFQ	3	Fairchild半导体	Ecospark®	管子	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		逻辑	150 w	TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	400	300V，1KOHM，5V		-	360 v	21 a		1.6V @ 4V，6A	-	17 NC	- /4.8µs
IRGP4266D-EPBF	5.5400	RFQ	141	国际整流器	-	管子	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准	455 w	TO-247AD	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	25	400V，75A，10欧姆，15V	170 ns	-	650 v	140 a	300 a	2.1V @ 15V，75a	2.5MJ（在）上，2.2MJ off）	210 NC	50NS/200NS
STGW30NC60WD	5.1400	RFQ	7858	Stmicroelectronics	PowerMesh™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STGW30	标准	200 w	TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	390V，20a，10ohm，15V	40 ns	-	600 v	60 a	150 a	2.5V @ 15V，20A	305µJ（在）上，181µJ（OFF）	102 NC	29.5NS/118NS
IRGB4064DPBF	-	RFQ	9264	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		标准	101 w	TO-220AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	400V，10a，22ohm，15V	62 ns	沟	600 v	20 a	40 a	1.91V @ 15V，10a	29µJ（在）上，200µJ（200µJ）	21 NC	27NS/79NS
MGF65A6L	-	RFQ	2296	桑肯	-	大部分	积极的	175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	MGF65	标准	405 w	TO-3P-3L	下载	Rohs符合条件			1261-MGF65A6L	Ear99	8541.29.0095	1,440	400V，60a，10ohm，15V	65 ns	沟渠场停止	650 v	80 a	180 a	1.96V @ 15V，60a	1.7MJ（在）上，1.4MJ（OFF）	110 NC	50NS/130NS
IGW40N60TPXKSA1	3.2500	RFQ	480	Infineon技术	Trenchstop™	管子	不适合新设计	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IGW40N60	标准	246 w	pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	400V，40a，10.1Ohm，15V		沟渠场停止	600 v	67 a	120 a	1.8V @ 15V，40a	1.06mj（在）（610µJ）上）	177 NC	18NS/222NS
IXXP50N60B3	7.6221	RFQ	2664	ixys	XPT™，GenX3™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXXP50	标准	600 w	TO-220-3	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	360V，36a，5ohm，15V	40 ns	-	600 v	120 a	200 a	1.8V @ 15V，36a	670µJ（在）（1.2MJ）上）	70 NC	27NS/150NS
SIGC14T60NCX7SA1	-	RFQ	7154	Infineon技术	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	死	SIGC14	标准		死	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的		1	300V，15a，18ohm，15V		npt	600 v	15 a	45 a	2.5V @ 15V，15a	-		21NS/110NS
RJP60F5DPM-00 ＃T1	-	RFQ	5080	Renesas Electronics America Inc	-	管子	在sic中停产	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	RJP60F	标准	45 W	to-3pfm	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	RJP60F5DPM00T1	Ear99	8541.29.0095	100	400V，30a，5ohm，15V		沟	600 v	80 a		1.8V @ 15V，40a	-	74 NC	53NS/90NS
WG50N65DHWQ	3.5500	RFQ	754	Ween半导体	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	WG50N65D	标准	278 w	TO-247-3	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		1740-WG50N65DHWQ	Ear99	8541.29.0095	600	400V，50a，10ohm，15V	105 ns	沟渠场停止	650 v	91 a	200 a	2V @ 15V，50a	1.7MJ（在）上，600µJ（600µJ）	160 NC	66ns/163ns
IRGC4067EFX7SA1	-	RFQ	3834	Infineon技术	-	大部分	积极的	-	表面安装	死	IRGC4067	标准		死	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响			0000.00.0000	1	-		-	600 v	240 a		-	-		-
AOT10B60M1	0.8005	RFQ	9339	Alpha＆欧米茄半导体公司	Alphaigbt™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	AOT10	标准	83 W	TO-220	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	785-AOT10B60M1TR	Ear99	8541.29.0095	1,000	400V，10A，30OHM，15V		-	600 v	20 a	25 a	2.9V @ 15V，10a	190µJ（在）（140µJ）上	14 NC	5.5NS/61NS
STGF30M65DF2	2.8800	RFQ	1	Stmicroelectronics	m	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STGF30	标准	38 w	TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	400V，30a，10ohm，15V	140 ns	沟渠场停止	650 v	60 a	120 a	2V @ 15V，30a	（300µJ）（在960µJ上）	80 NC	31.6ns/115ns
STGWA80H65FB	-	RFQ	5060	Stmicroelectronics	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STGWA80	标准	469 w	TO-247长铅	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	400V，80a，10ohm，15V		沟渠场停止	650 v	120 a	240 a	2V @ 15V，80a	2.1mj（在）上，1.5mj off）	414 NC	84NS/280NS
APT50GN60BDQ2G	7.2700	RFQ	8192	微芯片技术	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	APT50GN60	标准	366 w	TO-247 [B]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	400V，50a，4.3Ohm，15V		沟渠场停止	600 v	107 a	150 a	1.85V @ 15V，50a	（1185µJ）（在1565µJ上）	325 NC	20N/230N
IGB30N60T	-	RFQ	7450	Infineon技术	Trenchstop™	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		标准	187 W	pg-to263-3-2	下载					Ear99	8542.39.0001	1	400V，30a，10.6Ohm，15V		沟渠场停止	600 v	45 a	90 a	2.05V @ 15V，30a	（690µJ）（在），770µJ（OFF）上）	167 NC	23ns/254ns
FGH50N6S2	-	RFQ	7389	Onmi	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	FGH50	标准	463 w	TO-247-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	150	390V，30a，3ohm，15V		-	600 v	75 a	240 a	2.7V @ 15V，30a	（260µJ）（在250µJ上）	70 NC	13ns/55ns

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

IGBT（5058）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²